Onsemi FCH067N65S3 MOSFET：高性能解决方案

在电子设计领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是至关重要的元件，广泛应用于各种电源电路中。今天，我们来深入了解 Onsemi 公司推出的 FCH067N65S3 MOSFET，看看它有哪些独特的性能和优势。

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产品概述

FCH067N65S3 属于 Onsemi 的 SUPERFET III 系列，这是全新的高压超结（SJ）MOSFET 家族。该系列利用电荷平衡技术，实现了出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这种先进技术不仅能最大限度地减少传导损耗，还具备卓越的开关性能，能够承受极高的 dv/dt 速率。此外，SUPERFET III MOSFET 易驱动系列有助于解决 EMI（电磁干扰）问题，让设计实现更加轻松。

产品特性

1. 高压与低电阻特性：在 (TJ = 150^{circ}C) 时，耐压可达 700V，典型导通电阻 (R{DS(on)} = 59mOmega)，能有效降低功耗，提高效率。
2. 低栅极电荷和输出电容：超低的栅极电荷（典型 (Qg = 78nC)）和低有效输出电容（典型 (C{oss(eff.)} = 715pF)），有助于减少开关损耗，提升开关速度。
3. 雪崩测试：经过 100% 雪崩测试，保证了产品在极端条件下的可靠性。
4. 环保特性：这些器件无铅且符合 RoHS 标准，符合环保要求。

应用领域

FCH067N65S3 适用于多种应用场景，包括：

1. 电信/服务器电源：在电信和服务器电源中，对电源的效率和稳定性要求极高。FCH067N65S3 的低导通电阻和卓越的开关性能，能够满足这些严格的要求，确保电源的高效运行。
2. 工业电源：工业电源通常需要承受较大的负载和恶劣的工作环境。该 MOSFET 的高耐压和高可靠性，使其成为工业电源设计的理想选择。
3. UPS/太阳能：在不间断电源（UPS）和太阳能系统中，需要高效的功率转换和可靠的性能。FCH067N65S3 能够提供稳定的电源输出，提高系统的整体效率。

电气特性

绝对最大额定值

参数	数值	单位
漏源电压 (V_{DSS})	650	V
栅源电压 (V_{GSS})（DC）	(pm30)	V
栅源电压 (V_{GSS})（AC，(f > 1Hz)）	(pm30)	V
连续漏极电流（(T_C = 25^{circ}C)）	44	A
连续漏极电流（(T_C = 100^{circ}C)）	28	A
脉冲漏极电流 (I_{DM})	110	A
单脉冲雪崩能量 (E_{AS})	1160	mJ
雪崩电流 (I_{AS})	8.8	A
重复雪崩能量 (E_{AR})	3.12	mJ
MOSFET dv/dt	100	V/ns
峰值二极管恢复 dv/dt	20	-
功率耗散（(T_C = 25^{circ}C)）	312	W
25°C 以上降额	2.5	W/°C
工作和存储温度范围	(-55) 至 (+150)	°C
焊接时最大引线温度（距外壳 1/8 英寸，5 秒）	300	°C

电气参数

1. 关断特性：漏源击穿电压 (B_{VDS}) 在 (T_J = 25^{circ}C) 时为 650V，在 (TJ = 150^{circ}C) 时为 700V，击穿电压温度系数为 (0.72V/^{circ}C)。零栅压漏极电流 (I{DSS}) 在 (V{DS} = 650V)，(V{GS} = 0V) 时最大为 1A。
2. 导通特性：栅极阈值电压 (V{GS(th)}) 在 (V{GS} = V_{DS})，(ID = 1mA) 时为 2.5 - 4.5V，静态漏源导通电阻 (R{DS(on)}) 在 (V_{GS} = 10V)，(I_D = 22A) 时典型值为 59mΩ，最大值为 67mΩ。
3. 动态特性：输入电容 (C{iss}) 在 (V{DS} = 400V)，(V{GS} = 0V)，(f = 1MHz) 时典型值为 3090pF，有效输出电容 (C{oss(eff.)}) 在 (V{DS}) 从 0V 到 400V，(V{GS} = 0V) 时典型值为 715pF。总栅极电荷 (Q{g(tot)}) 在 (V{DS} = 400V)，(ID = 22A)，(V{GS} = 10V) 时典型值为 78nC。
4. 开关特性：开启延迟时间 (t_{d(on)}) 典型值为 26ns，开启上升时间 (tr) 典型值为 52ns，关断延迟时间 (t{d(off)}) 典型值为 89ns，关断下降时间 (t_f) 典型值为 16ns。
5. 源 - 漏二极管特性：最大连续源 - 漏二极管正向电流 (IS) 最大为 44A，最大脉冲源 - 漏二极管正向电流 (I{SM}) 最大为 110A，源 - 漏二极管正向电压 (V{SD}) 在 (V{GS} = 0V)，(I_{SD} = 22A) 时最大为 1.2V。

典型性能曲线

文档中还给出了一系列典型性能曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、体二极管正向电压随源电流和温度的变化、电容特性、栅极电荷特性、击穿电压随温度的变化、导通电阻随温度的变化、最大安全工作区、最大漏极电流随外壳温度的变化、(E_{oss}) 随漏源电压的变化以及瞬态热响应曲线等。这些曲线能够帮助工程师更好地了解该 MOSFET 在不同工作条件下的性能表现，从而进行更优化的设计。

封装与订购信息

FCH067N65S3 采用 TO - 247 封装，具体尺寸在文档中有详细说明。订购信息方面，型号为 FCH067N65S3 - F155，顶部标记为 FCH067N65S3，包装方式为 G03 管装，每管 30 个。

总的来说，Onsemi 的 FCH067N65S3 MOSFET 凭借其出色的性能和广泛的应用领域，为电子工程师提供了一个可靠的解决方案。在实际设计中，工程师可以根据具体的应用需求，结合这些特性和参数，进行合理的电路设计。大家在使用这款 MOSFET 时，有没有遇到过什么特别的问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享。