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onsemi NTB110N65S3HF MOSFET:高效电源系统的理想之选

lhl545545 2026-03-30 15:05 次阅读
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onsemi NTB110N65S3HF MOSFET:高效电源系统的理想之选

电子工程师的日常设计工作中,MOSFET 是不可或缺的关键元件。今天,我们就来深入了解 onsemi 推出的 NTB110N65S3HF 这款 N 沟道 SUPERFET III FRFET MOSFET,看看它有哪些独特的性能和优势。

文件下载:NTB110N65S3HF-D.PDF

产品概述

NTB110N65S3HF 属于 onsemi 的 SUPERFET III 系列,这是全新的高压超结(SJ)MOSFET 家族。它采用了电荷平衡技术,具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这种先进技术旨在最大程度地减少传导损耗,提供卓越的开关性能,并能承受极高的 dv/dt 速率。因此,SUPERFET III MOSFET 非常适合各种追求小型化和高效率的电源系统。同时,SUPERFET III FRFET MOSFET 优化了体二极管的反向恢复性能,能够去除额外的组件,提高系统的可靠性。

产品特性

电气特性

  • 耐压能力:在 (T{J}=150^{circ}C) 时,可承受 700V 的电压;在 (T{C}=25^{circ}C) 时,漏源击穿电压 (BVDSS) 为 650V。
  • 导通电阻:典型的 (R{DS(on)}) 为 98mΩ,最大值为 110mΩ(在 (V{GS}=10V),(I_{D}=15A) 条件下)。
  • 栅极电荷:超低的栅极电荷,典型值 (Q_{g}=62nC)。
  • 输出电容:低有效输出电容,典型值 (C_{oss(eff.)}=522pF)。
  • 雪崩测试:经过 100% 雪崩测试,确保了在极端情况下的可靠性。

热特性

  • 热阻:结到外壳的最大热阻 (R{θJC}=0.52^{circ}C/W),结到环境的最大热阻 (R{θJA}=45^{circ}C/W)。

封装与标识

  • 封装形式:采用 D2PAK(TO - 263 3 - Lead)封装。
  • 标识信息:顶部标识为 NTB110N65S3HF,其中包含了 onsemi 标志、组装工厂代码、数据代码(年和周)、批次等信息。

应用领域

  • 电信/服务器电源:在电信和服务器电源系统中,对效率和可靠性要求极高。NTB110N65S3HF 的低导通电阻和卓越的开关性能能够有效降低功耗,提高电源效率,确保系统稳定运行。
  • 工业电源:工业环境通常对设备的稳定性和耐用性有严格要求。这款 MOSFET 能够承受高电压和大电流,适应工业电源的复杂工况。
  • 电动汽车充电器:随着电动汽车的普及,充电器的性能至关重要。NTB110N65S3HF 的高效性能有助于提高充电效率,缩短充电时间。
  • UPS/太阳能:在不间断电源(UPS)和太阳能系统中,需要能够高效转换和存储能量的元件。该 MOSFET 可以满足这些系统对功率转换和能量管理的需求。

绝对最大额定值

在使用 NTB110N65S3HF 时,必须严格遵守其绝对最大额定值,否则可能会损坏器件,影响其功能和可靠性。以下是一些关键的绝对最大额定值: 参数 数值 单位
漏源电压 (V_{DSS}) 650 V
栅源电压 (V_{GSS})(DC +30 V
栅源电压 (V_{GSS})(AC,(f>1Hz)) ±30 V
连续漏极电流((T_{C}=25^{circ}C)) (I_{D}) 30 A
连续漏极电流((T_{C}=100^{circ}C)) (I_{D}) 19.5 A
脉冲漏极电流 (I_{DM}) 69 A
单脉冲雪崩能量 (E_{AS}) 380 mJ
雪崩电流 (I_{AS}) 4.4 A
重复雪崩能量 (E_{AR}) 2.4 mJ
MOSFET dv/dt 100 V/ns
峰值二极管恢复 dv/dt 50 V/ns
功率耗散((T_{C}=25^{circ}C)) (P_{D}) 240 W
25°C 以上降额系数 1.92 W/°C
工作和存储温度范围 (T{J},T{STG}) - 55 至 +150 °C
焊接时最大引脚温度(距离外壳 1/8",5 秒) (T_{L}) 300 °C

典型性能曲线

文档中提供了一系列典型性能曲线,包括导通区域特性、传输特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、体二极管正向电压随源极电流和温度的变化、电容特性、栅极电荷特性等。这些曲线能够帮助工程师更好地了解 MOSFET 在不同工作条件下的性能表现,从而进行更精确的电路设计

总结

onsemi 的 NTB110N65S3HF MOSFET 凭借其出色的性能和广泛的应用领域,为电子工程师在电源系统设计中提供了一个可靠的选择。在实际应用中,工程师需要根据具体的设计需求,结合其电气特性、热特性和绝对最大额定值等参数,合理使用该器件,以实现高效、稳定的电源系统设计。大家在使用这款 MOSFET 时,有没有遇到过什么问题或者有什么独特的应用经验呢?欢迎在评论区分享。

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