深入剖析 FCP190N65F - N 沟道 SuperFET® II FRFET® MOSFET

在电子工程师的日常设计工作中，MOSFET 作为关键的功率器件，其性能优劣直接影响到整个电路的性能。今天我们就来深入剖析一下飞兆半导体的 FCP190N65F - N 沟道 SuperFET® II FRFET® MOSFET，了解它的特性、应用以及相关参数。

文件下载：FCP190N65FCN-D.pdf

飞兆半导体与安森美半导体整合说明

由于飞兆半导体已并入安森美半导体，部分飞兆可订购的零件编号需更改以符合安森美半导体的系统要求。安森美半导体的产品管理系统无法处理带有下划线（）的零件命名，因此飞兆零件编号中的下划线（）将改为破折号（-）。大家可查看安森美半导体网站以验证更新后的器件编号，最新的订购信息可在 www.onsemi.com 上获取。若有关于系统集成的问题，可发邮件至 [e-mail]。

FCP190N65F MOSFET 特性

电气性能优越

• 耐压与电流：该 MOSFET 漏极 - 源极电压（V_DSS）可达 650V，在 T_J=150°C 时能承受 700V。连续漏极电流（I_D）在 T_C=25°C 时为 20.6A，T_C=100°C 时为 13.1A，脉冲漏极电流（I_DM）可达 61.8A，能满足不同电路的电流需求。
• 低导通电阻：典型值 R_DS(on)=168mΩ，最大 190mΩ，可有效降低导通损耗，提高电路效率。
  • 低栅极电荷和低输出电容：超低栅极电荷（典型值 Q_g=60nC）和低有效输出电容（典型值 C_oss(eff.)=186 pF），有助于实现快速开关，降低开关损耗。

可靠性高

• 雪崩测试：100% 经过雪崩测试，能承受单脉冲雪崩能量（E_AS）400mJ，重复雪崩能量（E_AR）2.1mJ，增强了器件在复杂环境下的可靠性。
• 符合标准：符合 RoHS 标准，绿色环保，符合现代电子设备的设计要求。

应用领域

FCP190N65F 适用于多种领域，如 LCD / LED / PDP TV、太阳能逆变器和 AC - DC 电源等。在这些应用中，其低导通损耗和优越的开关性能能够有效提高系统效率和稳定性。大家在设计这些类型的电路时，是否会优先考虑这款 MOSFET 呢？

详细参数解读

绝对最大额定值

符号	参数	FCP190N65F	单位
VDSS	漏极 - 源极电压	650	V
VGSS	栅极 - 源极电压（ - DC）	±20	V
VGSS	栅极 - 源极电压（ - AC (f > 1 Hz)）	±30	V
ID	漏极电流（ - 连续 (TC = 25°C)）	20.6	A
ID	漏极电流（ - 连续 (TC = 100°C)）	13.1	A
IDM	漏极电流（ - 脉冲）	61.8	A
EAS	单脉冲雪崩能量	400	mJ
IAR	雪崩电流	4.0	A
EAR	重复雪崩能量	2.1	mJ
dv/dt	MOSFET dv/dt	100	V/ns
二极管恢复 dv/dt 峰值	50	V/ns
PD	功耗 (TC = 25°C)	208	W
- 高于 25°C 的功耗系数	1.67	W/°C
TJ, TSTG	工作和存储温度范围	-55 至 +150	°C
TL	用于焊接的最高引脚温度,距离外壳 1/8” ,持续 5 秒	300	°C

热性能

符号	参数	FCP190N65F	单位
RθJC	结至外壳热阻最大值	0.6	°C/W
RθJA	结至环境热阻最大值	62.5	°C/W

电气特性

• 关断特性：漏极 - 源极击穿电压（BV_DSS）在 T_J=25°C 时为 650V，T_J=150°C 时为 700V，击穿电压温度系数为 0.71V/°C，零栅极电压漏极电流（I_DSS）在不同条件下有不同值，栅极 - 体漏电流（I_GSS）为 ±100nA。
• 导通特性：栅极阈值电压（V_GS(th)）为 3 - 5V，漏极至源极静态导通电阻（R_DS(on)）在 V_GS=10V，I_D=10A 时为 168 - 190mΩ，正向跨导（g_FS）为 18S。
• 动态特性：输入电容（C_iss）、输出电容（C_oss）、反向传输电容（C_rss）等参数在不同条件下有相应值，10V 电压的栅极电荷总量（Q_g(tot)）为 60 - 78nC。
• 开关特性：导通延迟时间（t_d(on)）、导通上升时间（t_r）、关断延迟时间（t_d(off)）和关断下降时间（t_f）等参数决定了其开关速度。
• 漏极 - 源极二极管特性：漏极 - 源极二极管最大正向连续电流（I_S）为 20.6A，最大正向脉冲电流（I_SM）为 61.8A，正向电压（V_SD）为 1.2V，反向恢复时间（t_rr）为 105ns，反向恢复电荷（Q_rr）为 515nC。

典型性能特征

文档中给出了多个典型性能特征图，如导通区域特性、传输特性、导通电阻变化与漏极电流和栅极电压的关系等。这些特性图有助于工程师更直观地了解该 MOSFET 在不同条件下的性能表现。例如，从导通电阻变化与温度的关系图中，可以看到随着温度的升高，导通电阻的变化趋势，从而在设计电路时考虑温度对器件性能的影响。大家在实际设计中，是否会经常参考这些典型性能特征图呢？

封装标识与定购信息

器件编号	顶标	封装	包装方法	卷尺寸	带宽	数量
FCP190N65F	FCP190N65F	TO - 220	塑料管	N/A	N/A	50 个

测试电路与波形

文档还给出了栅极电荷测试电路与波形、阻性开关测试电路与波形、非箝位电感开关测试电路与波形以及二极管恢复 dv/dt 峰值测试电路与波形等。这些测试电路和波形图为工程师在实际测试和验证该 MOSFET 性能时提供了参考。在进行电路测试时，大家是否会严格按照这些测试电路和波形来进行呢？

综上所述，FCP190N65F - N 沟道 SuperFET® II FRFET® MOSFET 以其优越的性能和广泛的应用领域，成为电子工程师在设计相关电路时的一个不错选择。但在实际应用中，还需要根据具体的电路要求和工作条件，对其各项参数进行仔细评估和验证。希望本文能对大家在使用这款 MOSFET 时有所帮助。