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探索MAX5092/MAX5093:4V - 72V输入LDO与升压预调节器的完美结合

h1654155282.3538 2026-03-21 16:45 次阅读
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探索MAX5092/MAX5093:4V - 72V输入LDO与升压预调节器的完美结合

在电子设计领域,电源管理芯片的性能直接影响着整个系统的稳定性和效率。MAX5092/MAX5093作为一款高性能的电源管理芯片,为我们提供了出色的解决方案。今天,我们就来深入了解一下这款芯片。

文件下载:MAX5093.pdf

一、芯片概述

MAX5092A/MAX5092B/MAX5093A/MAX5093B是低静态电流、低压差(LDO)调节器,内置高频升压预调节器。它能在冷启动到负载突降(3.5V - 80V)的输入电压条件下,无缝提供预设的3.3V(MAX5092A/MAX5093A)或5V(MAX5092B/MAX5093B)LDO输出电压,最大输出电流可达250mA,具有良好的负载和线性调节能力。在电池正常工作时,升压预调节器完全关闭,静态电流降至65μA(典型值),非常适合常供电应用。

二、芯片特性亮点

(一)宽输入电压范围

支持3.5V - 72V的宽工作输入电压范围,启动电压为4V,能适应多种复杂的电源环境。

(二)灵活的输出电压设置

LDO输出电压可预设为3.3V、5V,也可通过外部电阻在1.5V - 9V(MAX5092)或1.5V - 10V(MAX5093)范围内进行编程调节;升压输出电压预设为7V,同样可通过外部电阻在最高11V(MAX5092)或12V(MAX5093)范围内调节。

(三)低功耗设计

LDO模式下静态电流仅65μA((V_{IN} ≥8V)),关机电流低至5μA,有效降低系统功耗。

(四)完善的保护功能

具备输出过载、短路和热保护功能,还有带可编程超时时间的上电复位(RESET)输出,增强了系统的稳定性和可靠性。

(五)散热性能良好

采用热增强型16引脚5mm x 5mm薄型QFN封装,在+70°C的多层PCB板上可散热达2.7W。

三、芯片工作原理剖析

(一)升压转换器

采用最小关断时间、最大导通时间的脉冲频率调制(PFM)控制方案。当VBSOUT低于由VBSFB确定的调节点时,内部MOSFET导通;当电感电流达到峰值电流限制(典型值2.5A)或最大导通时间2.25μs时,MOSFET关断,且关断后至少保持1μs。这种控制方案下,开关频率和输出纹波是负载电流和输入电压的函数,无需频率补偿。

(二)线性调节器

内部采用p沟道MOSFET作为LDO的传输晶体管,升压调节器的输出连接到p - MOSFET的源极。LDO在升压调节器启动200μs后启动,可提供最大250mA的电流,典型压差电压为0.9V。LDO输出电压可通过SET输入进行设置。

(三)内部调节器(VL)

用于为所有内部低压模块供电,当VBSOUT高于5.5V时,VVL调节至5.5V;当VBSOUT低于5.5V时,VVL跟踪BSOUT的电压。

(四)上电复位输出(RESET)

是一个开漏输出引脚,当LDO输出(VOUT)低于标称输出电压的90%时,RESET在短延迟后拉低;当输出高于标称输出电压的92%时,RESET在编程的复位超时时间后变为高阻态。

(五)使能和保持输入

通过EN(高电平有效)和HOLD(低电平有效)两个逻辑输入实现自保持电路,无需额外组件。

四、芯片应用电路示例

文档中给出了多个典型应用电路,如MAX5092B和MAX5093B的工厂预编程LDO和升压输出电压电路,以及MAX5092A和MAX5093A的用户可编程LDO和升压输出电压电路。这些电路展示了芯片在不同输出电压设置下的应用方式。

五、设计指南要点

(一)电容选择

  1. 输入电容(CIN):由于升压转换器在输入电压下降时需快速启动,为保证正常工作,若电源(电池)离芯片较远,建议使用大容量、低ESR的电容。可选用47μF、100mΩ的低ESR电容,并尽可能靠近芯片输入放置。在低温环境下,可选择ESR低于40mΩ的电解电容,或并联一个10μF的低ESR陶瓷电容。
  2. 升压电容(CBSOUT):升压转换器输出电流波形不连续,需要在BSOUT端使用大容量、低ESR的电容以确保低VBSOUT纹波。可使用100mΩ或更低ESR的电解电容,也可并联一个10μF的陶瓷电容。同时,可通过公式计算所需电容的ESR和纹波电压。

    (二)电感选择

    电感值的选择具有一定灵活性。较小的电感值通常能使电路尺寸更小,但可能会增加纹波;较大的电感值可能提高效率、减少纹波,但可能会降低最大输出电流。为获得最大输出电流,应选择合适的电感值,使控制器在最大导通时间之前达到电流限制,并确保电感的最大饱和电流大于3A。

    (三)输出电压设置

  3. 升压输出电压(VBSOUT):支持预设和可调两种模式。预设模式下,将BSFB直接连接到SGND,VBSOUT固定为7V;可调模式下,将BSFB连接到外部电阻分压器的中心抽头,可对VBSOUT进行编程设置。
  4. LDO输出电压(VOUT):同样支持预设和可调两种模式。预设模式下,将SET连接到SGND,VOUT调节为3.3V(MAX5092A/MAX5093A)或5V(MAX5092B/MAX5093B);可调模式下,将SET连接到外部电阻分压器的中心抽头,可设置不同的输出电压。

    (四)肖特基二极管选择(MAX5093_)

    MAX5093_需要在LX和BSOUT之间连接一个外部二极管,建议选择肖特基二极管,确保其峰值电流额定值大于或等于内部升压转换器MOSFET的峰值电流限制,平均正向电流额定值至少为1A,反向击穿电压大于最坏情况下的负载突降电压。

    (五)CT电容选择

    通过在CT和SGND之间连接一个电容((C_{CT})),可对RESET的超时时间进行编程设置。当VOUT下降到LDO输出调节电压的90%以下时,CT电容的放电时间决定了RESET拉低的延迟,提供了对RESET功能的抗干扰能力。

    (六)最大输出电流计算

    芯片最大输入电压可达+72V,OUT端可提供最大250mA的电流,但实际输出电流受封装功耗限制。可通过功率耗散曲线或公式计算允许的封装功耗和最大输出电流。

    (七)PCB布局指南

    良好的PCB布局和布线对于高频开关电源的正常调节和稳定性至关重要。建议参考评估套件的PCB布局,并遵循以下原则:

  5. 为SGND使用大面积铜平面,将其焊接到裸露焊盘,并在PCB的顶部和底部暴露该铜区域,避免在芯片下方将EP铜平面直接连接到引脚3(SGND),以减少接地反弹。
  6. 将功率组件和大电流路径与敏感模拟电路隔离。
  7. 保持大电流路径短,特别是在接地端子处。
  8. 将输入电容和升压输出电容的返回端子连接到PGND_BST电源接地平面,在输入电容的负极端子处将电源接地(PGND_BST)和信号接地(SGND)平面连接在一起,且仅在此处连接。将PGND_LDO接地平面与SGND接地平面单点连接。
  9. 确保反馈连接短而直接,保证BSFB和SGND之间的低阻抗路径,将BSFB的瞬态限制在100mV以下。
  10. 将高速开关节点远离敏感模拟区域,使用内部PCB层作为SGND的EMI屏蔽层,以减少辐射噪声对芯片、反馈分压器和旁路电容的影响。

六、总结

MAX5092/MAX5093芯片凭借其宽输入电压范围、灵活的输出电压设置、低功耗、完善的保护功能和良好的散热性能,在电源管理领域具有很大的应用潜力。在设计过程中,合理选择电容、电感、二极管等外部组件,并遵循正确的PCB布局指南,能够充分发挥芯片的性能,为电子系统提供稳定、高效的电源解决方案。大家在实际应用中是否遇到过类似芯片的使用问题呢?欢迎在评论区分享交流。

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