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揭秘MAX17693A/MAX17693B:高效无光耦隔离反激转换器的卓越设计与应用

h1654155282.3538 2026-03-04 14:50 次阅读
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揭秘MAX17693A/MAX17693B:高效无光耦隔离反激转换器的卓越设计与应用

电子工程师的日常工作中,寻找高效、稳定且设计简单的电源解决方案至关重要。Maxim推出的MAX17693A/MAX17693B 4.2V - 60V无光耦隔离反激转换器,凭借其诸多卓越特性,成为低中功率应用的理想之选。今天,我们就来深入探讨这款转换器的详细信息。

文件下载:MAX17693A.pdf

关键特性概述

MAX17693A/MAX17693B作为Rainier系列隔离电源设备的成员,具备高集成度和高性能,能助力打造更凉爽、更小且更简单的电源解决方案。它采用固定频率峰值电流模式控制,直接从初级侧反激波形感应隔离输出电压,无需次级侧误差放大器光耦合器,可节省多达20%的PCB空间。

高效集成

该转换器集成了低导通电阻(RDSON)、76V、245mΩ的nMOSFET初级开关,工作电源范围宽达4.2V - 60V,开关频率可编程为100kHz - 350kHz。

功能丰富

它支持外部时钟同步,可避免多转换器系统中输入总线上的低频“拍频”现象;具备可编程频率抖动功能,实现低电磁干扰(EMI)、扩频操作;支持输出整流二极管正向压降的温度补偿;MAX17693A内部补偿确保环路稳定性,MAX17693B则提供外部环路补偿的灵活性。

可靠保护

具备强大的打嗝保护和热保护机制,能在恶劣环境下可靠工作,工作温度范围为 -40°C至 +125°C,结温范围为 -40°C至 +150°C。

电气特性分析

输入特性

输入电压范围为4.2V - 60V,输入电源关断电流低至2.5μA,无负载时输入电源电流为0.95mA。

关键引脚参数

  • EN/UVLO引脚:开启阈值典型值为1.215V,关断阈值典型值为1.1V,可精确控制电源转换器的开启和关闭。
  • VCC引脚线性稳压器输出电压典型值为5.77V,具备电流限制和欠压锁定功能。
  • RT引脚:用于设置开关频率,默认频率为200kHz,可通过连接电阻进行编程。
  • SYNC/DITHER引脚:可实现频率抖动或外部时钟同步功能。

保护特性参数

  • 过流保护:峰值电流限制典型值为0.543A,失控电流限制典型值为0.666A,打嗝超时周期为16384个时钟周期。
  • 热关断:热关断阈值为160°C,滞后为10°C。

关键设计要点

变压器设计

MAX17693A/MAX17693B适用于不连续导通模式(DCM)反激转换器,变压器设计需选择合适的磁化电感、匝数比和开关频率,以满足内部采样算法要求。

匝数比选择

最小匝数比 (K{MIN}) 受集成nMOSFET最大工作电压(76V)限制,计算公式为: [K{MIN }=frac{left(1+K{S}right) timesleft(V{OUT }+V{D}right)}{76-V{INMAX }}] 其中,(K{S}) 为泄漏电感电压尖峰的钳位系数,(V{OUT}) 为输出电压,(V{D}) 为输出二极管正向压降,(V{INMAX}) 为最大输入电压。

磁化电感计算

磁化电感需满足最小关断时间和最小导通时间要求,计算公式分别为: [L_{MAGTOFF }=480 × 10^{-9} × frac{left(V{OUT }+V{D}right)}{0.07 × K}] [L{MAGTON }=frac{210 × 10^{-9}}{0.117} × V{INMAX }] 最终选择的磁化电感应大于 (L_{MAGTOFF}) 和 (L{MAG_TON})。

开关频率确定

为确保DCM操作,开关频率应根据不同情况进行选择,如未使用SYNC/DITHER功能时,标称开关频率 (f{SWRT}) 应小于等于1.06 (f{SWDCM}),其中 (f{SWDCM}) 为转换器在所有工作条件下保持DCM的最大开关频率,计算公式为: [f{SWDCM }=frac{left(D{VINMIN } × V{INMIN }right)^{2} × eta}{2 × V{OUT } timesleft(I{OUT }+I_{COUTSS }right) × L{MAG } times(1+ TOL )}] 其中,(D{VINMIN}) 为最小输入电压下的最大占空比,(eta) 为转换器目标效率,(I{COUTSS}) 为软启动期间输出电容充电电流,(L{MAG}) 为磁化电感,(TOL) 为磁化电感公差。

元件选择

二次整流器

应选择反向阻断电压有足够余量的肖特基二极管,其反向电压计算公式为: [V_{SECRECT }=K{RSF} timesleft(K × V{INMAX }+V{OUT }right)] 其中,(K_{RSF}) 为安全系数,建议取值范围为1.5 - 2。

温度补偿电阻(RTC/VCM)

为补偿输出二极管正向电压的负温度系数对输出电压的影响,需选择合适的 (R{TC / VCM}) 电阻。首先根据开关频率从表中选择因子 (m{f}),计算共模电压设置 (K{VCM}): [K{VCM}=m{f} × L{MAG} × I{PEAKDCM }-SS] 然后根据 (K{VCM}) 的大小选择不同的公式计算 (R_{TC / VCM})。

SET和FB电阻

(R{SET}) 应设置为10kΩ,当不需要温度补偿时,反馈电阻 (R{FB}) 计算公式为: [R{FB}=frac{R{SET}}{V{SET}} × frac{V{OUT}+V{D}}{K}] 当需要温度补偿时,根据 (K{VCM}) 的大小选择不同的公式计算 (R_{FB})。

输入和输出电容

输入电容应选择低等效串联电阻(ESR)、高纹波电流能力的陶瓷电容,计算公式为: [C{IN} geq frac{I{PEAKDCM } × D{VINMIN } timesleft(1-frac{D{VINMIN }}{2}right)^{2}}{2 × 0.94 × f{SWRT} × Delta V{IN}}] 输出电容应选择温度稳定性好的X7R陶瓷电容,其容量需根据不同需求(如稳定性、纹波、负载阶跃响应)进行计算,取最大值。

环路补偿(仅MAX17693B)

MAX17693B通过COMP引脚的外部频率补偿网络进行补偿,补偿值计算公式如下: [R{Z}=8180 timesleft(frac{f{C}}{f{P}}right) × sqrt{frac{V{OUT } × I{OUT }}{2 × L{MAG} × f{SWRT }}}] [C{Z}=frac{1}{2 pi × R{Z} × f{P}}] [C{P}=frac{1}{pi × R{Z} × f{SWRT}}] 其中,(f{P}=frac{1}{pi × frac{V{OUT }}{I{OUT }} × C{OUT }}),(C{OUT}) 为输出电容。

电压钳位设计

为限制集成nMOSFET的漏源电压应力,需使用外部钳位电路,钳位电压应满足: [V{ClAMP }<76-V{INMAX }] 可使用简单的齐纳二极管(ZD)钳位电路,ZD击穿电压应比 (V_{CLAMP}) 低5V - 10V。对于LX节点振铃问题,可添加RC缓冲器进行阻尼。

设计实例

以一个工业应用为例,输入电压范围为18V - 36V,输出电压为5V,负载电流为0.25A。

匝数比选择

计算最小匝数比 (K{MIN}) 为0.3,最终选择 (K = 0.45),最大占空比 (D{MAX}) 为0.4,小于最大占空比限制(0.65),因此 (D_{VINMIN } = 0.4)。

磁化电感和开关频率确定

计算得到 (L_{MAGTON } = 64.6μH),(L{MAGTOFF } = 82.3μH),选择磁化电感 (L{MAG} = 100μH),允许 ±10% 公差。计算 (f{SWDCM} = 160kHz),选择 (f{SWRT} = 150kHz),计算 (R_{RT} = 66.6kΩ),选择标准电阻66.5kΩ。

元件选择

  • 输出电容:计算得到 (C{OUT} = 19.7μF)(根据稳定性),(C{OUT} (Ripple) ≥ 20.7μF)(根据纹波),最终选择47μF、10V、1210陶瓷电容。
  • 软启动时间:选择20ms软启动时间,计算得到 (I{COUT - SS } = 6.25mA),(I{PEAKDCM - SS } = 0.482A),小于最小峰值电流限制(0.495A)。
  • 二次二极管:计算得到 (V_{SEC_RECT } = 31.8V),选择SBR3U40P1。
  • RTC/VCM电阻:计算得到 (K{VCM} = 2.82),(R{TC / VCM} = 77.8kΩ),选择标准电阻76.8kΩ。
  • RSET、RFB电阻:计算得到 (R_{FB} = 131kΩ),选择标准电阻127kΩ。
  • 输入电容:计算得到 (C_{IN} ≥ 0.58μF),选择4.7μF、50V、0805陶瓷电容。

环路补偿(仅MAX17693B)

计算得到 (f{P} = 637Hz),(R{Z} = 26.2kΩ),选择标准电阻24.3kΩ;(C{Z} = 10.3nF),选择标准10nF电容;(C{P} = 87pF),选择标准100pF电容。

PCB布局指南

  • 尽量减小脉冲电流路径的环路面积,特别是从 (V_{IN}) 旁路电容通过初级侧绕组和内部nMOSFET开关的高频电流路径。
  • (V{CC}) 旁路电容应直接跨接在IC的 (V{CC}) 和GND引脚。
  • (V_{IN}) 和GND引脚之间应连接旁路电容,并靠近IC放置。
  • IC的暴露焊盘应直接连接到IC的GND引脚。
  • 模拟信号地和开关电流的功率地应分开,在开关活动最小的点(通常是 (V_{CC}) 旁路电容的返回端)连接。
  • 尽量减小 (R_{FB}) 电阻的走线长度。

总结

MAX17693A/MAX17693B无光耦隔离反激转换器凭借其高效、集成度高、功能丰富等优点,为电子工程师提供了优秀的电源解决方案。在设计过程中,合理选择变压器参数、元件值,并遵循PCB布局指南,能够确保转换器稳定、高效地工作。各位工程师在实际应用中,不妨根据具体需求,充分发挥这款转换器的优势,打造出更出色的电源设计。

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