0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

Wolfspeed发布新一代TOLT顶部散热封装产品组合

WOLFSPEED 来源:WOLFSPEED 2026-02-09 09:10 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

Wolfspeed 发布新一代 TOLT 产品组合,以满足快速增长的 AI 数据中心需求

基于 Wolfspeed 第四代 (Gen 4) MOSFET 技术开发的新型TOLT (TO-Leaded, 顶部散热) 封装,助力下一代 AI 数据中心实现更高的功率密度和热性能。

专门设计用于满足 AI 数据中心和超大规模数据中心快速增长的功率和散热需求,TOLT 助力开启更高效、可扩展且紧凑的系统架构。

Wolfspeed 计划发布三个顶部散热封装系列产品。在推出首个顶部散热 U2 产品组合之后,Wolfspeed发布第二个顶部散热 TOLT 产品组合,瞄准了增长最为快速的行业领域。

全球碳化硅技术引领者 Wolfspeed 公司(美国纽约证券交易所上市代码:WOLF)于近期推出了新型 TOLT 封装产品组合,该组合能够在数据中心机架应用的电源中助力实现功率密度最大化。TOLT 封装设计为从封装顶部散发热量,使得散热效率大幅提升。这使得客户企业能够开发出更小型、更可靠的功率系统,以支持 AI 数据中心不断增长的需求。

Wolfspeed 工业与能源业务副总裁 Guy Moxey 表示:“AI 正在推动数据中心原始设备制造商 (OEM) 对功率系统的尺寸和整体效率进行极具战略性的规划。我们的 TOLT 产品系列为开发更高密度、热性能优化的功率系统提供了一条直通路径,能够充分满足 AI 数据中心的需求。Wolfspeed的第四代 (Gen 4) 技术有效助力这些系统运行更凉爽、更高效、更可靠。”

碳化硅技术是功率器件市场乃至整个半导体行业中增长最为快速的组件之一。作为硅材料的优越替代品,碳化硅非常适合高功率应用 – 例如 AI 数据中心、电动交通、可再生能源系统和电池储能系统 – 助力这些应用实现更高的性能和更低的系统成本。

Wolfspeed 650V TOLT 产品提供多个导通电阻 RDSON选项,更多信息敬请访问:

https://www.wolfspeed.com/products/power/sic-mosfets/?package=TOLT%20%28TSC%29

关于 Wolfspeed 第三个顶部散热产品组合的更多详细信息,计划将于 2026 年下半年公布。

关于 Wolfspeed, Inc.

Wolfspeed(美国纽约证券交易所上市代码:WOLF)在全球范围内推动碳化硅技术采用方面处于市场领先地位,这些碳化硅技术为全球最具颠覆性的创新成果提供了动力支持。作为碳化硅领域的引领者和全球最先进半导体技术的创新者,我们致力于为人人享有的美好世界赋能。Wolfspeed 通过面向各种应用的碳化硅材料、功率模块、分立功率器件和功率裸芯片产品,助您实现梦想,成就非凡(The Power to Make It Real)。了解更多详情,敬请访问 www.wolfspeed.com。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 封装
    +关注

    关注

    128

    文章

    9380

    浏览量

    149213
  • 数据中心
    +关注

    关注

    18

    文章

    5842

    浏览量

    75251
  • AI
    AI
    +关注

    关注

    91

    文章

    41976

    浏览量

    303069
  • Wolfspeed
    +关注

    关注

    0

    文章

    106

    浏览量

    8939

原文标题:Wolfspeed发布新一代TOLT产品组合,以满足快速增长的AI数据中心需求

文章出处:【微信号:WOLFSPEED,微信公众号:WOLFSPEED】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    基本半导体推出第三碳化硅MOSFET顶部散热封装系列产品

    基于第三碳化硅MOSFET技术平台,基本半导体推出QDPAK、TOLT、T2PAK-7三款顶部散热封装
    的头像 发表于 04-23 15:32 422次阅读
    基本半导体推出第三<b class='flag-5'>代</b>碳化硅MOSFET<b class='flag-5'>顶部</b><b class='flag-5'>散热</b><b class='flag-5'>封装</b>系列<b class='flag-5'>产品</b>

    新品 | 采用顶部散热Q-DPAK封装CoolSiC™ G2 1200V MOSFET 产品扩展

    新品CoolSiCG21200VMOSFET采用顶部散热Q-DPAK封装第二CoolSiC1200VMOSFET,采用顶部
    的头像 发表于 03-13 17:09 1336次阅读
    新品 | 采用<b class='flag-5'>顶部</b><b class='flag-5'>散热</b>Q-DPAK<b class='flag-5'>封装</b>CoolSiC™ G2 1200V MOSFET <b class='flag-5'>产品</b>扩展

    高通推出全新AI原生Wi-Fi8产品组合

    高通技术公司今日宣布推出其行业领先的Wi-Fi 8产品组合,这是构建AI时代连接基础的关键步。该全面的产品组合包括高通 FastConnect 8800移动连接系统和五款全新高通跃龙 网络平台
    的头像 发表于 03-04 09:33 988次阅读

    SiC碳化硅功率器件顶部散热封装TOLT与QDPAK的结构优势、热电动力学分析及工程安装指南

    SiC碳化硅功率器件顶部散热封装TOLT与QDPAK的结构优势、热电动力学分析及工程安装指南 BASiC Semiconductor基本半导体
    的头像 发表于 02-08 15:25 882次阅读
    SiC碳化硅功率器件<b class='flag-5'>顶部</b><b class='flag-5'>散热</b><b class='flag-5'>封装</b>:<b class='flag-5'>TOLT</b>与QDPAK的结构优势、热电动力学分析及工程安装指南

    Wolfspeed最新推出TOLT封装650V第四MOSFET产品组合

    ) MOSFET 产品组合,这代表着次重大飞跃,它具有更优异的散热管理、更高的可靠性和更灵活的设计,能够应对现代电力电子领域最紧迫的挑战。
    的头像 发表于 01-21 14:25 3436次阅读

    顶部散热封装QDPAK安装指南

    由于QDPAK封装是英飞凌新一代大功率产品的表贴顶部散热产品,其安装方式有所不同,所以针对其安装
    的头像 发表于 12-22 18:26 849次阅读
    <b class='flag-5'>顶部</b><b class='flag-5'>散热</b><b class='flag-5'>封装</b>QDPAK安装指南

    QDPAK顶部散热封装简介

    QDPAK顶部散热器件是种表贴器件产品。相对于传统表贴产品只能从底部进行散热的方式,
    的头像 发表于 12-18 17:08 1022次阅读
    QDPAK<b class='flag-5'>顶部</b><b class='flag-5'>散热</b><b class='flag-5'>封装</b>简介

    超越国际巨头:微碧半导体VBGQTA1101以顶尖TOLT封装重塑功率密度标杆

    近日,国内功率半导体领域迎来突破性进展——微碧半导体(VBsemi)正式推出新品VBGQTA1101,采用创新TOLT-16封装。这不仅是中国首款采用顶部散热技术的功率MOSFET,更
    的头像 发表于 10-11 19:43 3.8w次阅读
    超越国际巨头:微碧半导体VBGQTA1101以顶尖<b class='flag-5'>TOLT</b><b class='flag-5'>封装</b>重塑功率密度标杆

    Wolfspeed 200mm碳化硅材料产品组合开启大规模商用

    全球碳化硅 (SiC) 技术引领者 Wolfspeed 公司(美国纽约证券交易所上市代码:WOLF)宣布,Wolfspeed 200mm 碳化硅材料产品开启大规模商用。这重要里程碑标
    的头像 发表于 09-11 09:12 1845次阅读

    禾赛科技新一代高性能激光雷达亮相2025慕尼黑国际车展

    2025 年 9 月 9 日,禾赛科技携最新一代高性能激光雷达产品组合亮相国际顶尖汽车科技盛会 IAA Mobility 慕尼黑国际车展。
    的头像 发表于 09-09 15:15 2221次阅读

    Wolfspeed推出新型顶部散热(TSC)碳化硅MOSFET和肖特基二极管,优化热管理并节约能耗

    器件产品线,新增采用顶部散热(TSC)封装的 U2 系列产品。该系列提供 650 V 至 1200 V 多种电压选项,能显著提升系统功率密度
    的头像 发表于 07-09 10:50 1857次阅读
    <b class='flag-5'>Wolfspeed</b>推出新型<b class='flag-5'>顶部</b><b class='flag-5'>散热</b>(TSC)碳化硅MOSFET和肖特基二极管,优化热管理并节约能耗

    Wolfspeed推SiC MOSFET/SBD新品:顶部散热封装

    电子发烧友网综合报道 最近Wolfspeed的破产消息给业界带来了不小的震撼,虽然在资本层面面临危机,不过Wolfspeed当前的业务还是在正常推进的。Wolfspeed本周推出了新型的顶部
    的头像 发表于 07-08 00:55 4134次阅读
    <b class='flag-5'>Wolfspeed</b>推SiC MOSFET/SBD新品:<b class='flag-5'>顶部</b><b class='flag-5'>散热</b><b class='flag-5'>封装</b>

    仁懋TOLT封装MOS——专为大功率而生

    当工业电源、储能设备、新能源交通等领域对功率密度的需求突破极限,传统MOSFET封装技术正面临前所未有的挑战。广东仁懋电子推出的TOLT顶部散热封装
    的头像 发表于 06-18 13:27 2565次阅读
    仁懋<b class='flag-5'>TOLT</b><b class='flag-5'>封装</b>MOS——专为大功率而生

    新品 | 采用顶部散热 Q-DPAK封装的 CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET

    新品采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飞凌采用顶部散热Q-DPAK
    的头像 发表于 05-29 17:04 1389次阅读
    新品 | 采用<b class='flag-5'>顶部</b><b class='flag-5'>散热</b> Q-DPAK<b class='flag-5'>封装</b>的 CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET

    新品 | 采用顶部散热QDPAK的CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET半桥产品

    新品采用顶部散热QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半桥产品英飞凌采用顶部散热QDPAK的CoolSiC1200VG2
    的头像 发表于 05-27 17:03 1671次阅读
    新品 | 采用<b class='flag-5'>顶部</b><b class='flag-5'>散热</b>QDPAK的CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET半桥<b class='flag-5'>产品</b>