深入解析 onsemi NTMFS08N2D5C：高性能 N 沟道 MOSFET 的卓越之选

在电子设计领域，MOSFET 作为关键的功率开关元件，其性能直接影响着整个电路的效率和稳定性。今天，我们将深入探讨 onsemi 推出的 NTMFS08N2D5C 这款 N 沟道 MOSFET，剖析其特性、参数及应用场景，为电子工程师们在设计中提供有价值的参考。

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产品概述

NTMFS08N2D5C 是 onsemi 采用先进的 POWERTRENCH 工艺结合屏蔽栅技术生产的 N 沟道 MV MOSFET。该工艺经过优化，在降低导通电阻的同时，保持了出色的开关性能和一流的软体二极管特性。

产品特性

屏蔽栅 MOSFET 技术

• 低导通电阻：在 (V{GS}=6V)、(I{D}=34A) 时，最大 (R{DS(on)} = 8mOmega)；在 (V{GS}=10V) 时，(R_{DS(on)}) 低至 (2.7mOmega)，能有效降低导通损耗，提高电路效率。
• 低反向恢复电荷（Qrr）：相比其他 MOSFET 供应商，Qrr 降低了 50%，减少了开关过程中的能量损耗，降低了开关噪声和 EMI。
• 封装设计稳健：MSL1 封装设计，具有良好的可靠性，且通过了 100% UIL 测试。
• 环保合规：该器件为无铅、无卤素/BFR 且符合 RoHS 标准，满足环保要求。

关键参数

最大额定值

参数	数值	单位
漏源电压 (V_{DS})	80	V
栅源电压 (V_{GS})	±20	V
连续漏极电流（(T_{C}=25^{circ}C)）	166	A
连续漏极电流（(T_{C}=100^{circ}C)）	105	A
连续漏极电流（(T_{A}=25^{circ}C)）	24	A
脉冲漏极电流	823	A
单脉冲雪崩能量 (E_{AS})	600	mJ
功率耗散（(T_{C}=25^{circ}C)）	138	W
功率耗散（(T_{A}=25^{circ}C)）	2.7	W
工作和存储结温范围 (T{J}, T{STG})	-55 至 +150	°C

电气特性

• 关断特性：漏源击穿电压 (BV{DSS}) 为 80V，击穿电压温度系数 (Delta BV{DSS}/Delta T{J}) 为 62mV/°C，零栅压漏极电流 (I{DSS}) 为 1μA，栅源泄漏电流 (I_{GSS}) 为 100nA。
• 导通特性：在不同测试条件下有相应的导通参数。
• 动态特性：包含各种电容参数等。
• 开关特性：如开启延迟时间 (t{d(on)})、上升时间 (t{r})、关断延迟时间 (t{d(off)})、下降时间 (t{f}) 等，以及总栅极电荷 (Q{g})、栅源电荷 (Q{gs})、栅漏“米勒”电荷 (Q_{gd}) 等。

典型特性曲线

文档中给出了多个典型特性曲线，直观地展示了该 MOSFET 在不同条件下的性能表现：

• 导通区域特性：展示了不同栅源电压下漏极电流与漏源电压的关系。
• 归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系：帮助工程师了解导通电阻随电流和电压的变化情况。
• 归一化导通电阻与结温的关系：体现了结温对导通电阻的影响。
• 导通电阻与栅源电压的关系：为选择合适的栅源电压提供参考。
• 传输特性：展示了漏极电流与栅源电压的关系。
• 源漏二极管正向电压与源电流的关系：有助于了解二极管的特性。
• 栅极电荷特性：反映了栅极电荷与栅源电压和漏极电压的关系。
• 雪崩电流与雪崩时间的关系：体现了器件的雪崩能力。
• 正向偏置安全工作区：明确了器件在不同电压和电流下的安全工作范围。
• 电容与漏源电压的关系：展示了电容随电压的变化情况。
• 最大连续漏极电流与壳温的关系：帮助工程师根据壳温确定最大连续漏极电流。
• 单脉冲最大功率耗散：体现了器件在单脉冲情况下的功率承受能力。
• 结到壳瞬态热响应曲线：用于分析器件在脉冲工作时的热特性。

应用场景

• DC - DC 转换：作为主 DC - DC MOSFET 同步整流器，可提高 DC - DC 和 AC - DC 转换的效率。
• 电机驱动：在电机驱动电路中，能够实现高效的功率转换和控制。
• 太阳能应用：适用于太阳能系统中的功率管理。

订购信息

器件型号	标记	封装	卷盘尺寸	胶带宽度	数量
NTMFS08N2D5C	NTMFS08N2D5C	Power 56 (PQFN8) (无铅/无卤素)	13″	12mm	3000

总结

onsemi 的 NTMFS08N2D5C N 沟道 MOSFET 凭借其先进的技术、出色的性能和环保合规性，在众多应用场景中展现出卓越的优势。电子工程师们在设计相关电路时，可以充分考虑该器件的特性和参数，以实现高效、稳定的电路设计。大家在实际应用中是否遇到过类似 MOSFET 的选型难题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。