选型手册：MOT6180J N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的MOT6180J是一款面向 60V 低压大电流场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，凭借低导通电阻、高可靠性及环保特性，适用于便携设备、电池供电系统、笔记本电脑电源管理等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配低压大电流供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时典型值8mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)时典型值10mΩ，低压场景下传导损耗极低；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)）：\(T_c=25^\circ\text{C}\)时50A，\(T_c=100^\circ\text{C}\)时降额为39A；脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）达200A，满足负载瞬时大电流需求。

二、核心特性

• 低导通电阻：8~10mΩ 导通电阻设计，大幅降低低压大电流场景下的传导损耗，提升电源转换效率；
• 高可靠性与鲁棒性：通过100% UIS（单向雪崩耐量）测试和100% Rg 测试，保障异常工况下的电路稳定性；
• 环保合规：RoHS 及无卤合规，适配绿色电子制造需求；
• 耐用性优异：器件结构可靠，适配便携设备等高频使用场景。

三、关键电气参数（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值	单位
漏源极电压	\(V_{DSS}\)	60	V
栅源极电压	\(V_{GS}\)	±20	V
连续漏极电流（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）	\(I_D\)	50	A
连续漏极电流（\(T_c=100^\circ\text{C}\)）	\(I_D\)	39	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	200	A
单脉冲雪崩能量	\(E_{AS}\)	350	mJ
最大功耗	\(P_D\)	60	W
结 - 壳热阻	\(R_{thJC}\)	2.1	℃/W
结温 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+150	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：PDFN3X3-8L 表面贴装封装，每卷 5000 片，适配高密度电路板的小型化设计需求；
• 典型应用：
  • 便携设备与电池供电系统：为手机、平板等便携设备的电源回路提供高效开关控制，保障续航与性能；
  • 笔记本电脑电源管理：在笔记本的电源分配、电压调节环节作为核心开关器件，实现低损耗功率管理。

五、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）