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• 发布了文章 2025-12-04 09:59

  选型手册：VS4610AD N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS4610AD是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，适配低压DC/DC转换器、同步整流、中功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=

  MOS 威兆半导体 晶体管

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• 发布了文章 2025-12-04 09:57

  选型手册：VS3522AE P 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS3522AE是一款面向-30V低压场景的P沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，适配低压电源切换、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：P沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：-30V，适配低压负电源场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-10V\)时典型

  MOS 仁懋电子 晶体管

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• 发布了文章 2025-12-04 09:43

  选型手册：VS2646ACL N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS2646ACL是一款面向20V低压小电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOT23小型封装，适配低压小型化电路的电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：20V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=4

  MOS 仁懋电子 晶体管

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• 发布了文章 2025-12-04 09:22

  选型手册：VS3610AE N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS3610AE是一款面向30V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，适配低压DC/DC转换器、同步整流、中功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=

  MOS 威兆半导体 晶体管

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• 发布了文章 2025-12-03 09:53

  VS3615GE N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS3615GE是一款面向30V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，基于VeriMOS®II技术实现低导通电阻与高效能，适配低压DC/DC转换器、同步整流、中功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS

  MOS MOSFET 威兆半导体

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• 发布了文章 2025-12-03 09:48

  选型手册：VS40200AT N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS40200AT是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封装，凭借超低导通电阻与200A大电流承载能力，适配低压超大电流DC/DC转换器、电源管理、高功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配低压供

  MOS MOSFET 威兆半导体

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• 发布了文章 2025-12-03 09:23

  选型手册：VS1602GMH N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS1602GMH是一款面向100V中压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263封装，凭借1.9mΩ极致低导通电阻与170A大电流承载能力，适用于中压大电流DC/DC转换器、电源管理、高功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，适

  MOS 仁懋电子 晶体管

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• 发布了文章 2025-12-02 09:32

  选型手册：VS4610AE N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS4610AE是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借低导通电阻、快速开关特性与高可靠性，适配低压DC/DC转换器、同步整流、中功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：

  MOS 威兆半导体 晶体管

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• 发布了文章 2025-12-02 09:29

  选型手册：VSP015N15HS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VSP015N15HS-G是一款面向150V中高压场景的N沟道增强型功率MOSFET，基于VeriMOS®II技术实现低导通电阻与高效能，适配中高压DC/DC转换器、电源管理、中功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：150V，适配中高压供电场景；导通电阻（

  MOS 威兆半导体 晶体管

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• 发布了文章 2025-12-02 09:25

  选型手册：VS5814DS 双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS5814DS是一款面向55V中压场景的双通道N沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，基于VeriMOS®技术实现低导通电阻与高效能，适配中压双路电源管理、DC/DC转换器、同步整流等领域。一、产品基本信息器件类型：双通道N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：55V，适配中压双路供电场景

  MOS 威兆半导体 晶体管

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