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深圳市首质诚科技有限公司

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动态

  • 发布了文章 2026-01-08 15:38

    选型手册:AGM6015C N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    AGMSEMI推出的AGM6015C是一款面向60V低压超大功率场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220封装,适配负载开关、电池保护等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET(沟槽工艺)核心参数:漏源极击穿电压(VDSS​):60V,适配低压供电场景;导通电阻(RDS(ON)​):1.5mΩ(VGS​=10V),低压场景下传导
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  • 发布了文章 2026-01-08 15:34

    选型手册:AGM40P150C P 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    AGMSEMI推出的AGM40P150C是一款面向40V低压超大功率场景的P沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220封装,适配负载开关、电池保护等领域。一、产品基本信息器件类型:P沟道增强型功率MOSFET(沟槽工艺)核心参数:漏源极击穿电压(VDSS​):-40V(P沟道,电压为负),适配低压供电场景;导通电阻(RDS(ON)​):3.0mΩ(VGS​
    773浏览量
  • 发布了文章 2026-01-08 15:23

    选型手册:AGMH6018C N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    AGMSEMI推出的AGMH6018C是一款面向60V低压大功率场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220封装,适配负载开关、电池保护等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET(沟槽工艺)核心参数:漏源极击穿电压(VDSS​):60V,适配低压供电场景;导通电阻(RDS(ON)​):1.5mΩ(VGS​=10V),低压场景下传导
    219浏览量
  • 发布了文章 2026-01-08 15:20

    选型手册:AGM65N20AT N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    AGMSEMI推出的AGM65N20AT是一款面向200V高压中功率场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-247封装,适配高压电源管理、同步整流等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET(沟槽工艺)核心参数:漏源极击穿电压(VDSS​):200V,适配高压供电场景;导通电阻(RDS(ON)​):17mΩ(VGS​=10V),高压场
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  • 发布了文章 2026-01-08 15:16

    选型手册:AGM012N10LL N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    AGMSEMI推出的AGM012N10LL是一款面向100V中压超大功率场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TOLX-8L封装,适配高压超大电流电源管理、同步整流等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET(沟槽工艺)核心参数:漏源极击穿电压(VDSS​):100V,适配中压供电场景;导通电阻(RDS(ON)​):1.0mΩ(VGS​=
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  • 发布了文章 2026-01-06 11:28

    选型手册:VSP011N10MS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    威兆半导体推出的VSP011N10MS-G是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN5x6封装,适配中压大功率电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(VDSS​):100V,适配中压供电场景;导通电阻(RDS(on)​):VGS​=10V时8.5mΩ、VGS
  • 发布了文章 2026-01-06 11:24

    选型手册:HCKD5N65BM2 高速 IGBT 分立器件

    威兆半导体推出的HCKD5N65BM2是一款650V高压高速IGBT(搭配反并联二极管),采用TO-252封装,适配电机驱动、风扇驱动等场景。一、产品基本信息器件类型:TrenchFS-Trench²高速IGBT(含反并联二极管)核心参数:集电极-发射极击穿电压(VCES​):650V,适配高压供电场景;直流集电极电流(Ic​):Tc​=25∘C时10A、T
  • 发布了文章 2026-01-06 11:20

    选型手册:VS1606GS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    威兆半导体推出的VS1606GS是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用SOP8封装,适配中压小型电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(VDSS​):100V,适配中压供电场景;导通电阻(RDS(on)​):VGS​=10V时10.0mΩ、VGS​=4.5V时14.5m
  • 发布了文章 2026-01-06 11:17

    选型手册:VS3620GPMC N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    威兆半导体推出的VS3620GPMC是一款面向30V低压超大功率场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN5x6封装,适配低压超大电流电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(VDSS​):30V,适配低压供电场景;导通电阻(RDS(on)​):VGS​=10V时5.0mΩ、VGS
  • 发布了文章 2026-01-04 16:31

    选型手册:VS1605ATM N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    威兆半导体推出的VS1605ATM是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220AB封装,适配中压大功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):100V,适配中压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\

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