选型手册：MOT2914J 双 N 沟道增强型 MOSFET

仁懋电子（MOT）推出的MOT2914J是一款双 N 沟道增强型 MOSFET，凭借 20V 耐压、超低导通电阻及优异的高频开关特性，适用于 DC/DC 转换器、高频开关电路及同步整流等场景。

一、产品基本信息

• 器件类型：双 N 沟道增强型 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：20V，适配低压大电流供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=4.5V\)时典型值8mΩ，\(V_{GS}=2.5V\)时典型值11mΩ，低压场景下导通损耗极低；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)）：12A（单管），双管协同可满足更大电流需求。

二、核心特性

• 超低导通电阻：在 4.5V、2.5V 栅压下分别实现 8mΩ、11mΩ 超低导通电阻，大幅降低低压大电流场景下的导通损耗；
• 高频开关适配：动态电容（输入、输出、反向传输电容）优化，开关时间（导通延迟、上升 / 下降时间）达纳秒级，适合高频 PWM 控制；
• 环保无铅封装：采用无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准，适配绿色电子制造需求。

三、关键电气参数（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

• 栅源极电压（\(V_{GS}\)）：最大值 ±12V，栅极驱动需控制在该范围以避免氧化层损坏；
• 电流与功耗：连续漏极电流（单管）12A，\(T_c=100^\circ\text{C}\)时降额为 7A；脉冲漏极电流（单管）48A；最大功耗 1.5W；
• 静态与动态特性：阈值电压（\(V_{GS(th)}\)）1~2.5V；输入电容（\(C_{iss}\)）典型 1255pF，输出电容（\(C_{oss}\)）典型 220pF；开关时间（导通延迟、上升 / 下降时间）均为纳秒级；
• 结温范围：-55~+150℃，存储温度范围与结温区间一致。

四、封装与应用场景

• 封装形式：采用PDFN3X3表面贴装封装，每卷 5000 片，适配高密度电路板的空间约束；
• 典型应用：
  • DC/DC 转换器：在同步整流、降压 / 升压拓扑中作为双 N 沟道开关管，低损耗特性提升电源转换效率；
  • 高频开关电路：适配各类高频开关应用（如电源模块、负载切换），高频特性保障开关稳定性；
  • 同步整流：为 AC-DC、DC-DC 回路的同步整流环节提供高效开关，降低整流损耗。

五、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）