完善资料让更多小伙伴认识你，还能领取20积分哦，立即完善>
标签 > 氮化镓
氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。
氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。
氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。
合成方法
1、即使在1000℃氮与镓也不直接反应。在氨气流中于1050～1100℃下加热金属镓30min可制得疏松的灰色粉末状氮化镓GaN。加入碳酸铵可提供气体以搅动液态金属，并促使与氮化剂的接触。
2、在干燥的氨气流中焙烧磨细的GaP或GaAs也可制得GaN。
案例分析：米物140W 3C1A智显秒充氮化镓充电器CA514 Pro
前言最近充电头网拿到了米物一款140W智显秒充氮化镓充电器CA514Pro，其配置有3C1A四个接口，不仅支持最高140WPD3.1高性能快充输出，还支...
30W氮化镓全电压认证方案1.方案介绍及产品特色U8722DE是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得...
今天，在功率电子领域，氮化镓（GaN）正在取代硅（Si）器件，成为越来越多大功率密度、高能效应用场景中的主角。
在半导体材料的研究领域中，透射电子显微镜（TEM）已成为一种不可或缺的分析工具。它能够让我们直接观察到氮化镓（GaN）外延片中原子级别的排列细节——这种...
TPS7H60x5系列辐射硬化保证型GaN FET栅极驱动器技术文档摘要
TPS7H60x5 系列抗辐射性 （RHA） 氮化镓 （GaN） 场效应晶体管 （FET） 栅极驱动器专为高频、高效率和大电流应用而设计。该系列包括TP...
TPS7H60x5-SP/SEP系列辐射强化GaN FET栅极驱动器技术文档总结
TPS7H60x5 系列抗辐射性 （RHA） 氮化镓 （GaN） 场效应晶体管 （FET） 栅极驱动器专为高频、高效率和大电流应用而设计。该系列包括TP...
TPS7H6025-SP 抗辐射QMLP 22V半桥GaN栅极驱动器技术手册
TPS7H60x5 系列辐射硬度保证 （RHA） 氮化镓 （GaN） 场效应晶体管 （FET） 栅极驱动器专为高频、高效率和大电流应用而设计。该系列包括...
纳微双向氮化镓开关和IsoFast高速驱动器实现单级变换新范式
如今，超过70%的高压功率变换器采用 “两级” 硅基拓扑结构。例如，典型的AC-DC电动汽车车载充电机（OBC）会先配置PFC级，再串联DC-DC级，中...
33W氮化镓电源芯片U8733L布局合理减少干扰散热优化电源芯片的引脚在布局布线时，应当避免与其他信号线路平行敷设，以降低电磁干扰。根据芯片引脚功能和信...
氮化镓电源芯片U8727AHE集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路...
CG2H80015D氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)规格书立即下载
类别：IC datasheet pdf 2024-09-04 标签：晶体管氮化镓HEMT
加利福尼亚州托伦斯 — 2025年11月27日讯 — 下一代GaNFast氮化镓（GaN）与GeneSiC碳化硅（SiC）技术行业领导者——纳微半导体（...
美国国际贸易委员会裁定英飞凌在针对英诺赛科的一项专利侵权案中胜诉
美国国际贸易委员会的最终裁定可能导致英诺赛科涉嫌侵权的产品被禁止进口至美国 该裁决是又一项积极结果，彰显了英飞凌在业界领先的专利组合的价值 氮化镓 (G...
英飞凌氮化镓技术赋能Enphase Energy新一代IQ9光伏微型逆变器
【2025年11月21日, 德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码： IFNNY）近日宣布将为Enphase Ener...
Power Integrations荣获2025全球电子成就奖之年度电源管理奖
2025国际集成电路展览会暨研讨会（IIC Shenzhen）正于11月25日至26日在深圳大中华喜来登酒店举办。在此次展会上，Power Integr...
“芯”品发布｜镓未来推出“9mΩ”车规级 GaN FET，打破功率氮化镓能效天花板！
在追求高效能、高可靠性功率半导体技术的道路上迈出关键一步，打破车规级功率半导体性能边界 近日，镓未来正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9m...
格芯（GlobalFoundries，纳斯达克代码：GFS）与纳微半导体（Navitas Semiconductor，纳斯达克代码：NVTS）今日正式宣...
在智能设备飞速发展的今天，无论是家里的智能音箱，还是工厂的自动化设备，都对其“心脏”—电源模块，提出了前所未有的高要求：高效率、小体积、高可靠性、绿色环...
在电气化、可再生能源和人工智能数据中心的推动下，电力电子领域正经历一场变革。安森美(onsemi)凭借创新的垂直氮化镓 (vGaN) 技术引领这一浪潮，...
行业突破！开关损耗直降50%，英诺赛科氮化镓器件凭何打动美的？
电子发烧友原创 章鹰 10月23日，国际知名调研机构Yole Group发布的《功率氮化镓2025》报告显示，功率氮化镓器件市场正以惊人速度扩张。202...
换一批
编辑推荐厂商产品技术软件/工具OS/语言教程专题
| 电机控制 | DSP | 氮化镓 | 功率放大器 | ChatGPT | 自动驾驶 | TI | 瑞萨电子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二极管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 无刷电机 | FOC | IGBT | 逆变器 | 文心一言 | 5G | 英飞凌 | 罗姆 |
| 直流电机 | PID | MOSFET | 传感器 | 人工智能 | 物联网 | NXP | 赛灵思 |
| 步进电机 | SPWM | 充电桩 | IPM | 机器视觉 | 无人机 | 三菱电机 | ST |
| 伺服电机 | SVPWM | 光伏发电 | UPS | AR | 智能电网 | 国民技术 | Microchip |
| 开关电源 | 步进电机 | 无线充电 | LabVIEW | EMC | PLC | OLED | 单片机 |
| 5G | m2m | DSP | MCU | ASIC | CPU | ROM | DRAM |
| NB-IoT | LoRa | Zigbee | NFC | 蓝牙 | RFID | Wi-Fi | SIGFOX |
| Type-C | USB | 以太网 | 仿真器 | RISC | RAM | 寄存器 | GPU |
| 语音识别 | 万用表 | CPLD | 耦合 | 电路仿真 | 电容滤波 | 保护电路 | 看门狗 |
| CAN | CSI | DSI | DVI | Ethernet | HDMI | I2C | RS-485 |
| SDI | nas | DMA | HomeKit | 阈值电压 | UART | 机器学习 | TensorFlow |
| Arduino | BeagleBone | 树莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 华秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |
关注我们的微信
下载发烧友APP
电子发烧友观察
版权所有 © 湖南华秋数字科技有限公司
长沙市望城经济技术开发区航空路6号手机智能终端产业园2号厂房3层（0731-88081133）
电子发烧友 （电路图） 湘公网安备43011202000918
工商网监
湘ICP备2023018690号-1
