‌DRV8210 11V H桥电机驱动器技术文档总结

DRV8210是一款集成电机驱动器，具有四个N沟道功率FET、电荷泵稳压器和保护电路。三重器电荷泵架构允许该器件在低至1.65 V的电压下工作，以适应1.8V电源轨和低电池电量条件。电荷泵集成了所有电容器，以减小PCB上电机驱动器的整体解决方案尺寸，并允许100%占空比工作。

该DRV8210支持多种控制接口模式，包括：PWM （IN1/IN2）、相位/使能 （PH/EN）、独立半桥和并行半桥。每个接口都支持低功耗睡眠模式，通过关闭大部分内部电路来实现超低静态电流消耗。
*附件：drv8210.pdf

该器件可提供高达 1.76A 的峰值输出电流。它的工作电源电压为 1.65 V 至 5.5 V。

该驱动器提供强大的内部保护功能，包括电源欠压锁定 （UVLO）、输出过流 （OCP） 和器件过热 （TSD）。

该DRV8210是引脚可扩展 R 系列器件的一部分 DS（开） 以及电源电压选项，以最小的设计更改支持各种负载和电源轨。有关该系列器件的信息，请参阅器件比较。在 ti.com 上查看我们完整的有刷电机驱动器产品组合。

特性

• N 沟道 H 桥电机驱动器
  • MOSFET 导通电阻：HS + LS 1 Ω
  • 驱动一个双向有刷直流电机
  • 两个单向有刷直流电机
  • 一个单线圈或双线圈闭锁继电器
  • 推挽式和双稳态电磁阀
  • 其他电阻、电感或 LED 负载
• 1.65V 至 11V 工作电源电压范围
• 高输出电流能力：
  • 全桥：1.76-A 峰值
  • 半桥：每个输出 1.76A 峰值
  • 并联半桥：3.52-A 峰值
• 多个接口，实现灵活性并减少 GPIO
• 标准PWM接口（IN1/IN2）
• 支持 1.8V、3.3V 和 5V 逻辑输入
• 超低功耗睡眠模式
  • <84.5 nA @ 伏 虚拟机 = 5 伏，伏 VCC的 = 3.3 伏，T J = 25°C
  • 定时自动睡眠模式可减少 GPIO
• 保护功能
  • 欠压锁定 （UVLO）
  • 过流保护 （OCP）
  • 热关断 （TSD）
• 设备系列。有关详细信息，请参阅设备比较。
  • DRV8210：1.65-11 V，1 Ω，多个接口
  • DRV8210P：睡眠引脚、PWM接口
  • DRV8212：1.65-11 V，280 mΩ，多个接口
  • DRV8212P：睡眠引脚、PWM接口
  • DRV8220：4.5-18 V，1 Ω，多个接口

参数

方框图

‌1. 核心特性‌

• ‌驱动架构‌：集成N沟道H桥，支持双向有刷直流电机、单/双线圈锁存继电器、推挽/双稳态电磁阀等负载。
• ‌电压范围‌：
  • 工作电压：1.65V至11V（VM引脚），逻辑输入兼容1.8V/3.3V/5V。
  • 峰值输出电流：1.76A（全桥模式），并联半桥模式下可达3.52A。
• ‌控制接口‌：
  • ‌PWM模式‌（IN1/IN2）：标准双引脚控制，支持正向/反向/制动/高阻态。
  • ‌PH/EN模式‌：单PWM资源实现双向控制，方向由PH引脚电平决定。
  • ‌半桥模式‌：独立控制高低侧MOSFET，支持并联输出降低导通电阻。
• ‌低功耗‌：
  • 自动睡眠模式（Autosleep）：输入无活动时触发，静态电流低至84.5nA（典型值）。
  • 支持VCC引脚休眠（仅DSG封装），逻辑电压降至0V时进入超低功耗状态。

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‌2. 保护机制‌

• ‌ 欠压锁定（UVLO） ‌：VM或VCC电压低于阈值时禁用输出。
• ‌ 过流保护（OCP） ‌：电流超过1.76A时触发，4.2μs消隐时间后自动重试。
• ‌ 热关断（TSD） ‌：结温超过193°C时停机，滞后22°C恢复。

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‌3. 封装与型号‌

• ‌封装选项‌：
  • ‌DRL‌（6引脚SOT-563）：1.2mm×1.6mm，仅支持PWM接口。
  • ‌DSG‌（8引脚WSON）：2mm×2mm，支持所有控制模式，集成散热焊盘。
• ‌型号对比‌：| 型号 | RDS(on) (mΩ) | 接口选项 | 休眠模式触发方式 |
  | ---------- | --------------- | ----------------- | ------------------ |
  | DRV8210 | 1050 (DSG) | PWM/PH/EN/半桥 | Autosleep |
  | DRV8210P | 1050 | 仅PWM | nSLEEP引脚 |
  | DRV8220 | 1000 | 4.5-18V宽压兼容 | Autosleep |

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‌4. 典型应用‌

• ‌电机驱动‌：电动玩具、IP摄像头IR滤光片、电子锁、血压计泵。
• ‌继电器/电磁阀‌：水电表、智能家居阀门控制。
• ‌布局建议‌：
  • VM/VCC引脚需就近放置0.1μF低ESR陶瓷电容。
  • 散热设计：DSG封装需通过散热焊盘连接PCB地平面，建议使用多via散热。

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‌5. 关键设计参数‌

• ‌导通电阻‌：525mΩ（高/低侧MOSFET，DSG封装@25°C）。
• ‌开关时间‌：上升/下降时间150ns（典型值），死区时间500ns。
• ‌热阻‌：
  • DRL封装：RθJA=153.2°C/W（SOT-563）。
  • DSG封装：RθJA=99.6°C/W（WSON）。