‌DRV8212 11V H桥电机驱动器技术文档总结-电子发烧友网

该DRV8212是一款集成电机驱动器，具有四个N沟道功率FET、电荷泵稳压器和保护电路。三重电荷泵架构允许该器件在低至 1.65 V 的电压下工作，以适应 1.8V 电源轨和低电池电量条件。电荷泵集成了所有电容器，以减小 PCB 上电机驱动器的整体解决方案尺寸，并允许 100% 占空比运行。
*附件：drv8212.pdf

该DRV8212支持多种控制接口模式，包括：PWM（IN1/IN2）、相位/使能（PH/EN）、独立半桥和并行半桥。每个接口都支持低功耗睡眠模式，通过关闭大部分内部电路来实现超低静态电流消耗。

该器件可提供高达 4A 的峰值输出电流。它的工作电源电压为 1.65 V 至 5.5 V。

该驱动器提供强大的内部保护功能，包括电源欠压锁定（UVLO）、输出过流（OCP）和器件过热（TSD）。

该DRV8212是引脚可扩展 R 系列器件的一部分 ~~DS（开）~~ 以及电源电压选项，以最小的设计更改支持各种负载和电源轨。有关此系列中设备的信息，请参阅设备比较。在 ti.com 上查看我们完整的有刷电机驱动器产品组合。

特性

N 沟道 H 桥电机驱动器
- MOSFET 导通电阻：HS + LS 280 mΩ
- 驱动一个双向有刷直流电机
- 两个单向有刷直流电机
- 一个单线圈或双线圈闭锁继电器
- 推挽式和双稳态电磁阀
- 其他电阻、电感或 LED 负载
1.65V 至 11V 工作电源电压范围
高输出电流能力：
- 全桥：4-A 峰值
- 半桥：每个输出 4A 峰值
- 并联半桥：8-A峰值
多个接口，实现灵活性并减少 GPIO
标准PWM接口（IN1/IN2）
支持 1.8V、3.3V 和 5V 逻辑输入
超低功耗睡眠模式
- <84.5 nA @ 伏 ~~虚拟机~~ = 5 伏，伏 ~~VCC的~~ = 3.3 伏，T J = 25°C
- 定时自动睡眠模式可减少 GPIO
保护功能
- 欠压锁定（UVLO）
- 过流保护（OCP）
- 热关断（TSD）
设备系列。有关详细信息，请参阅设备比较。
- DRV8210：1.65-11 V，1 Ω，多个接口
- DRV8210P：睡眠引脚、PWM接口
- DRV8212：1.65-11 V，280 mΩ，多个接口
- DRV8212P：睡眠引脚、PWM接口
- DRV8220：4.5-18 V，1 Ω，多个接口

参数

方框图

‌1. 核心特性‌

‌多接口控制‌：支持PWM（IN1/IN2）、PH/EN（相位/使能）、独立半桥和并联半桥模式，兼容1.8V/3.3V/5V逻辑输入。
‌宽电压范围‌：工作电压1.65-11V（DRL封装）或0-11V（DSG封装），峰值输出电流4A（全桥）或8A（并联半桥），内置电荷泵支持100%占空比。
‌超低功耗睡眠模式‌：睡眠电流低至84.5nA（VVM=5V时），支持自动睡眠（PWM/PH/EN模式）和VCC引脚手动睡眠（DSG封装）。
‌集成保护‌：欠压锁定（UVLO）、过流保护（OCP）、热关断（TSD）。

‌2. 关键功能模块‌

‌H桥驱动‌：内置4个N沟道MOSFET（RDS(on)典型值280mΩ），支持双向直流电机、单/双线圈继电器、电磁阀等负载。
‌控制逻辑‌：
- ‌PWM模式‌（DRL/DSG封装）：IN1/IN2控制方向与制动。
- ‌PH/EN模式‌（DSG封装）：单PWM信号+方向控制，减少MCU资源占用。
- ‌半桥模式‌（DSG封装）：独立控制高低侧驱动，支持并联输出降低导通电阻至1/4。
‌电荷泵‌：集成电容，简化PCB设计。

‌3. 应用场景‌

‌消费电子‌：电动牙刷、美容仪器、玩具机器人。
‌工业设备‌：水电表、智能锁、IP摄像头IR滤光片驱动。
‌医疗设备‌：血压计、输液泵。

‌4. 保护机制‌

‌UVLO‌：VCC<1.3V（DSG）或VM<1.3V（DRL）时禁用输出，恢复后自动重启。
‌OCP‌：过流触发后禁用对应半桥，1.7ms后重试。
‌TSD‌：结温>193°C关断，滞后22°C恢复。

‌5. 封装与热管理‌

‌封装选项‌：
- ‌DRL‌（6引脚SOT-563）：1.2mm×1.6mm，仅支持PWM模式。
- ‌DSG‌（8引脚WSON）：2mm×2mm，支持全功能模式。
‌热性能‌：提供RθJA（77.9°C/W for DSG）、ΨJB等参数，建议优化PCB铜面积散热。

‌6. 设计要点‌