‌DRV8210P 11V H桥电机驱动器技术文档总结

该DRV8210P是一个集成电机驱动器，具有四个N沟道功率FET、电荷泵稳压器和保护电路。三重电荷泵架构允许该器件在低至 1.65 V 的电压下工作，以适应 1.8V 电源轨和低电池电量条件。电荷泵集成了所有电容器，以减小 PCB 上电机驱动器的整体解决方案尺寸，并允许 100% 占空比运行。

该DRV8210P支持行业标准PWM（IN1/IN2）控制接口。nSLEEP引脚控制低功耗睡眠模式，通过禁用内部电路实现超低静态电流消耗。
*附件：drv8210p.pdf

该器件可提供高达 1.76A 的峰值输出电流。它的工作电源电压为 1.65 V 至 5.5 V。

该驱动器提供强大的内部保护功能，包括电源欠压锁定 （UVLO）、输出过流 （OCP） 和器件过热 （TSD）。

该DRV8210P是引脚可扩展R器件系列的一部分 DS（开） 以及电源电压选项，以最小的设计更改支持各种负载和电源轨。有关该系列中设备的信息，请参见第 5 节。在 ti.com 上查看我们完整的有刷电机驱动器产品组合。

特性

• N 沟道 H 桥电机驱动器
  • MOSFET 导通电阻：HS + LS 1 Ω
  • 驱动一个双向有刷直流电机
  • 一个单线圈或双线圈闭锁继电器
• 1.65V 至 11V 工作电源电压范围
• 高输出电流能力：1.76A 峰值
• 标准PWM接口（IN1/IN2）
• 支持 1.8V、3.3V 和 5V 逻辑输入
• 超低功耗睡眠模式
  • <84.5 nA @ 伏 虚拟机 = 5 伏，伏 VCC的 = 3.3 伏，T J = 25°C
  • 引脚对引脚，带DRV8837和DRV8837C
• 保护功能
  • 欠压锁定 （UVLO）
  • 过流保护 （OCP）
  • 热关断 （TSD）
• 设备系列。有关详细信息，请参阅第 5 节。
  • DRV8210：1.65-11 V，1 Ω，多个接口
  • DRV8210P：睡眠引脚、PWM接口
  • DRV8212：1.65-11 V，280 mΩ，多个接口
  • DRV8212P：睡眠引脚、PWM接口
  • DRV8220：4.5-18 V，1 Ω，多个接口

参数

‌1. 核心特性‌

• ‌驱动架构‌：集成4个N沟道MOSFET的H桥，支持驱动有刷直流电机、单/双线圈闭锁继电器。
• ‌电压范围‌：
  • 工作电压：1.65V至11V（VM引脚），兼容1.8V/3.3V/5V逻辑输入。
  • 峰值输出电流：1.76A（PWM控制模式）。
• ‌控制接口‌：
  • ‌PWM模式‌：标准IN1/IN2接口，支持正向/反向/制动/滑行控制。
  • ‌超低功耗睡眠模式‌：通过nSLEEP引脚控制，静态电流<84.5nA（@5V VM）。
• ‌集成保护‌：
  • 电荷泵架构支持100%占空比运行，内置电容减少PCB面积。

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‌2. 关键参数‌

‌参数‌	‌值‌	‌条件‌
MOSFET导通电阻（HS+LS）	1Ω	典型值
逻辑供电电压（VCC）	1.65V-5.5V	支持低电压MCU直连
过流保护阈值（IOCP）	1.76A	峰值电流限制
热关断温度（TSD）	153°C（触发）	滞后22°C恢复
封装尺寸	WSON-8（2mm×2mm）	兼容DRV8837/C封装

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‌3. 典型应用‌

• ‌消费电子‌：电动牙刷、美容仪、电子玩具。
• ‌工业设备‌：电表、气表、网络摄像头IR滤光片驱动。
• ‌医疗设备‌：血压计、输液泵。
• ‌继电器驱动‌：支持单/双线圈闭锁继电器控制。

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‌4. 保护机制‌

• ‌ 欠压锁定（UVLO） ‌：VCC<1.65V时禁用输出。
• ‌ 过流保护（OCP） ‌：电流超1.76A时触发（4.2μs消隐时间）。
• ‌ 热关断（TSD） ‌：结温超153°C时停机。
• ‌故障恢复‌：自动重试机制（tRETRY=1.7ms）。

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‌5. 设计要点‌

• ‌布局建议‌：
  • VM引脚需并联0.1μF陶瓷电容+大容量电解电容。
  • 热焊盘必须连接PCB地平面（RθJA=99.6°C/W）。
• ‌电流检测‌：可通过GND引脚外接分流电阻（最大150mV压降）。
• ‌家族兼容性‌：与DRV8212P（280mΩ）、DRV8220（18V）引脚兼容。

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‌6. 控制逻辑表‌

‌nSLEEP‌	‌IN1‌	‌IN2‌	‌OUT1‌	‌OUT2‌	‌状态‌
0	X	X	Hi-Z	Hi-Z	睡眠模式
1	0	0	Hi-Z	Hi-Z	滑行（高阻态）
1	0	1	L	H	反向驱动
1	1	0	H	L	正向驱动
1	1	1	L	L	制动（慢衰减）