DRV8340-Q1 器件是一款用于三相应用的集成栅极驱动器。该器件提供三个半桥栅极驱动器,每个驱动器能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。专用的源极和漏极引脚支持独立的 MOSFET 控制,用于螺线管应用。DRV8340-Q1 使用足以用于高侧 MOSFET 的集成电荷泵和用于低侧 MOSFET 的线性稳压器产生正确的栅极驱动电压。智能栅极驱动架构支持高达 1A 源极和 2A 的峰值栅极驱动电流。DRV8340-Q1 可采用单个电源供电,并支持栅极驱动器的 5.5 至 60 V 宽输入电源范围。
*附件:drv8340-q1.pdf
6x、3x、1x 和独立输入 PWM 模式允许与控制器电路进行简单接口。栅极驱动器和器件的配置设置可通过 SPI 或硬件 (H/W) 接口进行高度配置。
提供低功耗睡眠模式以实现低静态电流。为欠压锁定、电荷泵故障、MOSFET过流、MOSFET短路、相节点电源和接地短路、栅极驱动器故障和过热提供内部保护功能。
特性
- 符合 AEC-Q100 标准,适用于汽车应用
- 温度等级 1:–40°C ≤ T
一个≤ 125°C
- 温度等级 1:–40°C ≤ T
- 三个独立的半桥栅极驱动器
- 专用源极 (SHx) 和漏极 (DLx) 引脚,支持独立的 MOSFET 控制
- 驱动 3 个高侧和 3 个低侧 N 沟道 MOSFET (NMOS)
- 智能门驱动架构
- 可调节的压摆率控制
- 1.5mA 至 1A 峰值源电流
- 3mA 至 2A 峰值灌电流
- 栅极驱动器电荷泵,实现 100% 占空比
- 提供SPI(S)和硬件(H)接口
- 6x、3x、1x 和独立 PWM 模式
- 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入
- 电荷泵输出可用于驱动反向电源保护MOSFET
- 线性稳压器,3.3 V,30 mA
- 集成保护功能
参数

方框图

1. 产品概述
DRV8340-Q1 是德州仪器(TI)推出的12V/24V汽车级三半桥栅极驱动芯片,专为BLDC/BDC电机控制设计,符合AEC-Q100 Grade 1标准(-40°C至125°C)。其核心特性包括:
- 独立半桥控制:支持3路高边和低边N沟道MOSFET驱动,每路配备专用源极(SHx)和漏极(DLx)引脚。
- 智能栅极驱动架构:可调压摆率控制(1.5mA至1A源电流,3mA至2A灌电流),集成电荷泵支持100%占空比。
- 多种接口模式:提供SPI(S版)和硬件(H版)配置选项,支持6x/3x/1x PWM及独立MOSFET驱动模式。
- 集成保护功能:包括欠压锁定(UVLO)、电荷泵故障(CPUV)、MOSFET过流(OCP)、栅极故障(GDF)及热关断(OTSD)等。
2. 关键特性
- 电源管理:5.5V至60V宽输入范围,集成3.3V/30mA线性稳压器(DVDD)。
- 驱动能力:峰值驱动电流达1A(源)/2A(灌),支持动态IDRIVE调整以优化MOSFET开关损耗。
- 诊断功能:开路负载检测(OLP/OLA)、离线短路诊断(SHT_BAT/SHT_GND),故障状态通过nFAULT引脚或SPI寄存器反馈。
- 封装:48引脚HTQFP(7mm×7mm),带裸露散热焊盘。
3. 应用场景
4. 功能模块详解
- 栅极驱动:电荷泵为高边MOSFET提供偏置电压,低边由线性稳压器供电,支持可调死区时间(tDEAD)和强下拉(ISTRONG)防寄生导通。
- 保护机制:VDS监测实现逐周期过流保护,可配置为锁存、自动重试或仅报告模式。
- SPI配置(仅S版):16位寄存器可编程驱动参数、保护阈值及故障处理策略。
5. 设计注意事项
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