‌DRV8262-Q1 三相电机驱动器总结-电子发烧友网

DRV8262-Q1 是一款宽电压、高功率 H 桥电机驱动器，适用于 24V 和 48V 汽车应用。该器件集成了两个 H 桥，用于驱动一个或两个直流电机或一个双极步进电机。DRV8262-Q1 在双 H 桥模式下支持高达 8A 的峰值电流，在单 H 桥模式下支持高达 16A 的峰值电流。该器件还集成了电流检测和调节、电流检测输出和保护电路。

高侧 MOSFET 上的集成电流检测允许驱动器在启动和高负载事件期间调节电机电流。电流限制可以通过可调节的外部基准电压源进行设置。该器件还为每个 H 桥提供与电机电流成正比的输出电流。集成传感消除了对分流电阻器的需求，从而减少了电路板面积和系统成本。
*附件：drv8262-q1.pdf

提供低功耗睡眠模式，以实现超低静态电流。为电源欠压锁定（UVLO）、电荷泵欠压（CPUV）、输出过流（OCP）和器件过热（OTSD）提供内部保护功能。

特性

符合 AEC-Q100 标准，适用于汽车
- 温度等级 1：–40°C 至 +125°C，TA
功能安全功能
- 可用于帮助功能安全系统设计的文档
- 单或双 H 桥电机驱动器
- 驱动一个或两个有刷直流电机
- 一个步进电机
- 一个或两个热电冷却器（TEC）
4.5V 至 60V 工作电源电压范围
低 RDS（ON）：
- 100mΩ HS + LS（双 H 桥）
- 50mΩ HS + LS（单 H 桥）
高输出电流能力：
- 双 H 桥（24V，25 °C）：8A 峰值
- 单 H 桥（24V，25 °C）：峰值 16A
可编程作接口 -
- 相位/使能（PH/EN）
- PWM（输入/输入）
集成电流检测和调节
- 用于高侧MOSFET的电流检测
- 每个 H 桥的检测输出（IPROPI）
- ± 最大电流下 4% 的检测精度
独立逻辑电源电压（VCC）
可配置的关断时间PWM斩波
- 7、16、24 或 32μs
可编程故障恢复方法
支持 1.8V、3.3V、5.0V 逻辑输入
低电流睡眠模式（3μA）
保护功能
- VM 欠压锁定（UVLO）
- 电荷泵欠压（CPUV）
- 过流保护（OCP）
- 热关断（OTSD）
- 故障条件输出（nFAULT）

参数

方框图

‌1. 核心特性‌

‌宽电压范围‌
- 支持4.5V至60V输入电压，适用于24V/48V汽车应用（AEC-Q100认证）。
- 单/双H桥配置，支持驱动：
  - 1-2个有刷直流电机
  - 1个步进电机
  - 1-2个热电制冷器（TEC）
- 低导通电阻：
  - 双H桥模式：100mΩ（高边+低边）
  - 单H桥模式：50mΩ（高边+低边）
‌高电流能力‌
- 双H桥模式：8A峰值电流（24V, 25°C）
- 单H桥模式：16A峰值电流（24V, 25°C）
‌集成电流检测‌
- 高边MOSFET电流检测，精度±4%（满量程电流）。
- 提供比例电流输出（IPROPI），无需外部分流电阻。
‌保护功能‌
- 过流保护（OCP）、欠压锁定（UVLO）、热关断（OTSD）。
- 故障指示通过nFAULT引脚输出。
‌低功耗模式‌
- 睡眠模式电流仅3µA。