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‌DRV8376 三相集成FET电机驱动器技术文档总结

科技绿洲 2025-10-11 11:03 次阅读
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该DRV8376提供栅极驱动和功率级,用于驱动4.5V至65V无刷直流电机。该DRV8376集成了三个1/2-H电桥,具有70V绝对最大能力和400mΩ(高侧加低侧)的极低RDS(ON),可实现高功率驱动能力。使用集成的电流检测功能检测电流,无需外部检测电阻。集成LDO电源管理功能可为器件生成必要的电压轨,并可用于为外部电路供电。
*附件:drv8376.pdf

DRV8376实现了 6 倍或 3 倍 PWM 控制方案,可用于使用外部微控制器实现有传感器或无传感器磁场定向控制 (FOC)、正弦控制或梯形控制。该DRV8376能够驱动高达 100kHz 的 PWM 频率。控制方案可通过硬件引脚或寄存器设置进行高度配置,范围从电机电流限制行为到故障响应。

DRV8376中集成了大量保护功能,旨在保护设备、电机和系统免受故障事件的影响。

特性

  • 三相BLDC电机驱动器
    • 支持 48V 系统
    • 支持高达 100kHz PWM 频率
    • 主动退磁以减少功率损耗
    • 逐周期电流限制以限制相电流
  • 4.5V 至 65V 工作电压(最大 70V 绝对值)
  • 高输出电流能力:4.5A 峰值
  • MOSFET 导通电阻
    • 400mΩ RDS(ON) (HS + LS) (TA = 25°C时)
  • 采用1.1V/ns压摆率和反向恢复损耗最小化技术降低开关损耗
    • 可调节的压摆率选项
  • 低可听噪声,易于电机控制,超低死区时间< 200ns,传播延迟< 100ns
  • 低功耗睡眠模式
    • VVM = 24V、TA = 25°C时典型值为1.5μA
  • 多种控制接口选项
    • 6 个 PWM 控制接口
    • 3 个 PWM 控制接口
  • 无需外部电流检测电阻,内置电流检测
  • 灵活的设备配置选项
    • DRV8376S:5MHz 16位SPI,用于器件配置和故障状态
    • DRV8376H:基于硬件引脚的配置
  • 支持 1.8V、3.3V 和 5V 逻辑输入
  • 内置 3.3V (5%)、30mA LDO 稳压器
  • 内置 5V (5%)、30mA LDO 稳压器
  • 集成保护功能
    • 电源欠压锁定 (UVLO)
    • 电荷泵欠压 (CPUV)
    • 过流保护 (OCP)
    • 热警告和关断 (OTW/OTSD
    • 故障状态指示引脚 (nFAULT)
    • 通过 SPI 进行可选故障诊断

参数
image.png

方框图
image.png

1. 核心特性

  • 电机驱动能力
    • 支持三相无刷直流(BLDC)电机,兼容48V系统,PWM频率高达100kHz。
    • 集成3个半桥驱动,总MOSFET导通电阻(高边+低边)低至400mΩ(25°C时)。
    • 峰值输出电流4.5A,支持主动消磁技术以降低功耗。
  • 电源管理
    • 工作电压范围:4.5V至65V(绝对最大值70V)。
    • 内置3.3V和5V LDO稳压器,各提供30mA输出电流。
  • 控制接口
    • DRV8376S(SPI版本) ‌:支持5MHz 16位SPI配置及故障诊断。
    • DRV8376H(硬件版本) ‌:通过引脚电阻配置关键参数(如增益、PWM模式)。
  • 保护功能
    • 过流保护(OCP)、欠压锁定(UVLO)、热警告/关断(OTW/OTSD)、故障指示引脚(nFAULT)。

2. 关键功能详解

2.1 电流检测

  • 集成电流检测放大器
    • 无需外部分流电阻,通过内置传感FET实现三相电流检测。
    • 编程增益(0.4V/A至5V/A),输出线性范围0.25V至VREF-0.25V。

2.2 主动消磁技术

  • 自动同步整流(ASR)
    • 在换相或PWM关断期间自动导通MOSFET,减少体二极管导通损耗。
  • 自动异步整流(AAR)
    • 检测负电流时关闭低边MOSFET,避免反向转矩。

2.3 保护机制

  • 逐周期电流限制
    • 通过ILIMIT引脚设置阈值(0A至4A),支持刹车或高阻模式。
  • 过压保护(OVP)
    • SPI版本可配置阈值(35V或65V),硬件版本默认禁用。

3. 应用场景


4. 封装与引脚

  • 封装‌:28引脚VQFN(6mm×5mm),带裸露散热焊盘。
  • 关键引脚
    • OUTA/OUTB/OUTC‌:三相输出。
    • SOA/SOB/SOC‌:电流检测输出。
    • nFAULT‌:开漏输出,指示故障状态。

5. 设计建议

  • 布局优化
    • 分离功率地(PGND)与模拟地(AGND),减少噪声耦合
    • 散热焊盘需充分连接至PCB地平面以降低热阻。
  • 典型电路
    • 推荐VM引脚并联0.1μF陶瓷电容+10μF电解电容,GVDD/AVDD引脚各配置1μF和0.1μF去耦电容。
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