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DRV8317三相PWM电机驱动器技术解析与应用指南

科技观察员 2025-08-29 15:35 次阅读
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Texas Instruments DRV8317三相无刷直流电机驱动器提供三个集成MOSFET半桥,用于驱动5V、9V、12V或18V直流电源轨的三相无刷直流 (BLDC) 电机或1节至4节电池供电应用。该器件提供集成三相电流检测,无需外部检测电阻器。DRV8317具有集成LDO,可提供稳定的3.3V电源轨,能够为MCU、逻辑电路、霍尔传感器等外部负载提供高达80mA的电流

数据手册:*附件:Texas Instruments DRV8317三相电机驱动器数据手册.pdf

Texas Instruments DRV8317提供可配置的6x或3x PWM控制方案,可用于通过外部微控制器实现有传感器或无传感器磁场定向控制 (FOC)、正弦控制或梯形控制。DRV8317能够驱动高达200kHz的PWM频率。Texas Instruments DRV8317可通过SPI (DRV8317S) 或引脚(DRV8317H)进行配置,还包括PWM模式、转换率和电流检测增益等一些可配置特性。

该器件集成了多种保护特性,包括电源欠压闭锁 (UVLO)、过压保护 (OVP) 和电荷泵欠压 (CPUV)。DRV8317还具有过流保护 (OCP)、过热警告 (OTW) 和过热关断 (OTS) 特性,从而保护器件、电机和系统免受故障事件的影响。nFAULT引脚可提示故障条件。

特性

  • 三相BLDC电机驱动器
    • 可配置压摆率,用于降低EMI
    • 编程增益电流检测
    • 支持高达200kHz的PWM频率
    • 集成击穿保护
  • 工作电压:4.5V至20V
    • 绝对最大电压:24V
  • 高输出电流能力
    • 峰值电流驱动能力:5A
  • 低通态电阻MOSFET
    • RDS(ON) (HS + LS) (TA = 25°C) (130mΩ(典型值))
  • 超低Q电流休眠模式
    • 3µA(最大值)(VVM = 12V,TA = 25°C时)
  • 多种控制接口选项
    • 6个PWM控制接口
    • 3个PWM控制接口
  • 集成电流检测
    • 无需外部电流检测电阻器
    • 三相电流检测输出
  • SPI和硬件器件型号
    • 10MHz SPI接口型号,实现灵活性
    • 引脚可配置型号,简单易用
  • 支持1.8V、3.3V和5V逻辑输入
  • 内置3.3V ± 4.5%、80mA LDO稳压器
  • 集成保护特性
    • VM欠压闭锁 (UVLO)
    • VM过压保护 (OVP)
    • 电荷泵欠压 (CPUV)
    • 过流保护 (OCP)
    • 过热警告和关断 (OTW/OTS)
    • 故障状态指示引脚 (nFAULT)

简化示意图

1.png

DRV8317三相PWM电机驱动器技术解析与应用指南

一、产品概述

DRV8317是德州仪器(TI)推出的三相无刷直流(BLDC)电机驱动芯片,采用WQFN-36封装(5mm×4mm),具有以下核心特性:

  • 集成驱动能力‌:包含3个半桥MOSFET,总导通电阻130mΩ(典型值),峰值驱动电流5A
  • 宽电压工作范围‌:4.5V-20V工作电压(24V绝对最大值)
  • 灵活控制接口‌:
    • 支持6x/3x PWM控制模式
    • 最高200kHz PWM频率
    • 可选SPI(DRV8317S)或硬件引脚(DRV8317H)配置
  • 集成保护功能‌:过压/欠压保护、过流保护、温度保护等
  • 电流检测创新‌:内置三相电流检测放大器,无需外接检测电阻

二、关键技术创新

1. 智能栅极驱动架构

  • 可配置压摆率(25-200V/µs)用于EMI优化
  • 集成死区时间控制(150-500ns)
  • 自适应传播延迟补偿(DLYCMP_EN)

2. 集成电流检测系统

  • 三相独立电流检测输出(SOA/SOB/SOC)
  • 可编程增益(0.25/0.5/1/2V/A)
  • 线性输出范围:VREF/2 ±0.25V
  • 典型增益误差±3%(2.5A内)

3. 多重保护机制

  • 电源保护‌:
    • VM欠压锁定(UVLO):4.4V(典型)
    • VM过压保护(OVP):22V(典型)
  • 电流保护‌:
    • 可调OCP阈值(6-12A)
    • 可配置消隐时间(0.3-1.5µs)
  • 温度保护‌:
    • 过热警告(OTW):125°C
    • 热关断(OTS):160°C

三、电气特性详解

1. 极限参数

参数范围单位
VM供电电压-0.3至24V
输出电流(峰值)5A
工作结温-40至150°C

2. 典型性能(VS=12V)

  • MOSFET特性‌:
    • RDS(ON)_HS+LS:130mΩ(25°C)
    • 压摆率:25-200V/µs(可调)
  • 电流检测‌:
    • 带宽:1MHz(典型)
    • 建立时间:1µs(至1%)
  • 功耗特性‌:
    • 工作电流:10mA(典型)
    • 睡眠模式电流:3µA(最大)

四、PCB设计要点

  1. 布局原则‌:
    • 功率路径与信号路径分离
    • 敏感信号远离高频开关节点
    • 采用星型接地拓扑
  2. 热设计建议‌:
    • 散热焊盘连接至多层地平面
    • 添加多个散热过孔(建议≥6个)
    • θJA=36.4°C/W(4层板)
  3. EMI优化措施‌:
    • 栅极串联电阻控制dV/dt
    • 采用屏蔽电缆连接电机
    • 增加共模扼流圈

五、行业应用方案

1. 伺服驱动器

  • 优势‌:
    • 集成电流检测简化FOC实现
    • 200kHz PWM支持高精度控制
  • 典型配置‌:
    • 压摆率=50V/µs
    • OCP阈值=8A
    • 启用延迟补偿

2. 散热风扇

  • 设计要点‌:
    • 使用3x PWM模式简化控制
    • 配置自动重试保护
    • 启用低边电流检测

3. 无人机电调

  • 关键考虑‌:
    • 优化栅极驱动减少开关损耗
    • 使用SPI版本灵活配置参数
    • 加强散热设计

六、故障诊断指南

  1. 常见问题排查‌:
    • 无输出‌:检查nSLEEP状态、VM UVLO
    • 电流检测异常‌:验证CSAREF电压、增益设置
    • 过热保护‌:检查负载电流、散热条件
  2. 寄存器状态解读‌:
    • DEV_STS[0]=1:故障发生
    • SUP_STS[4]=1:电荷泵欠压
    • DRV_STS[6]=1:C相过流
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