‌REF50/REF50E 精密电压参考芯片技术文档总结

REF50xx 是一系列低噪声、低漂移、超高精度基准电压源。这些基准电压源能够吸收和提供电流，并具有出色的线路和负载调节功能。

使用专有设计技术实现了出色的温度漂移 （2.5ppm/°C） 和高精度 （0.025%）。这些特性与极低的闪烁噪声 （0.5μVPP/V） 相结合，使 REF50xx 系列成为高精度数据采集系统的绝佳选择。REF50 系列提供增强级 （REF50xxEI）、高级级 （REF50xxI） 和标准级 （REF50xxAI）。基准电压采用 8 引脚 SOIC 和 VSSOP 封装，额定温度范围为 –40°C 至 125°C。
*附件：ref50e.pdf

REF50xxEI 支持 42V 的宽电源额定电压和 340μA 的超低 IQ。宽电源范围允许直接连接到电池或现场电源。这还可以在电源 IC 发生故障时保护设备。

特性

• 低温漂移（最大）：
  • 增强级（新）：2.5ppm/°C
  • 高品位：3ppm/°C
  • 标准级：8ppm/°C
• 高精度（最大）：
  • 增强级：0.025%
  • 高品位：0.05%
  • 标准级：0.1%
• 低噪音：
  • 增强级：0.5μVPP/V
  • 高/标准级：3μVPP/V
• 优异的长期稳定性：
  • 前 1000 小时后 22ppm （SOIC-8）
  • 前 1000 小时后 50ppm （VSSOP-8）
• 宽输入电压支持：
  • 增强级：42V
  • 高/标准级：18V
• 高输出电流：±10mA
• 温度范围：-40°C 至 125°C

参数

方框图

‌1. 产品概述‌

REF50xx系列是德州仪器（TI）推出的低噪声、超低漂移、高精度电压参考芯片家族，包含标准级（Standard-grade）、高级（High-grade）和增强级（Enhanced-grade）三种等级，适用于工业、医疗和测试设备等高精度场景。

‌2. 关键特性‌

• ‌低温度漂移‌：
  • 增强级：2.5 ppm/°C（最大值）
  • 高级：3 ppm/°C
  • 标准级：8 ppm/°C
• ‌高精度‌：初始精度达0.025%（增强级）。
• ‌低噪声‌：0.5 μVPP/V（增强级），3 μVPP/V（高/标准级）。
• ‌长期稳定性‌：
  • SOIC-8封装：22 ppm（1000小时老化后）。
  • VSSOP-8封装：50 ppm（1000小时老化后）。
• ‌宽输入电压范围‌：
  • 增强级：42V
  • 高/标准级：18V
• ‌输出电流‌：±10mA，工作温度范围-40°C至125°C。

‌3. 应用领域‌

• 精密数据采集系统
• 半导体测试设备
• 工业过程控制
• 医疗仪器
• 压力/温度传感器

‌4. 封装与型号‌

• ‌封装类型‌：8引脚SOIC和VSSOP。
• ‌型号分类‌：
  • 标准级（REF50xxAI）
  • 高级（REF50xxI）
  • 增强级（REF50xxEI，支持42V输入）。
• ‌输出电压选项‌：2.048V、2.5V、3V、4.096V、4.5V、5V、10V。

‌5. 功能模块‌

• ‌ 温度监测引脚（TEMP） ‌：输出与温度相关的电压（509mV + 2.64×T°C）。
• ‌ 噪声抑制（TRIM/NR引脚） ‌：可通过外接电容降低输出噪声。
• ‌ 使能控制（EN引脚） ‌：低电平关闭输出，支持省电模式。

‌6. 设计注意事项‌

• ‌布局建议‌：电源旁路电容需靠近引脚，输出电容ESR需≤1.5Ω。
• ‌热管理‌：结温不得超过150°C，需计算功率损耗（TJ = TA + PD×θJA）。
• ‌负电压生成‌：可搭配OPA735运放实现双极性参考电压。

‌7. 性能曲线与测试数据‌

文档包含详细的温度漂移、噪声频谱、负载瞬态响应等曲线（如Figure 6-1至6-51），验证了其在宽温范围内的稳定性。