REF50xx 是一系列低噪声、低漂移、超高精度基准电压源。这些基准电压源能够吸收和提供电流,并具有出色的线路和负载调节功能。
使用专有设计技术实现了出色的温度漂移 (2.5ppm/°C) 和高精度 (0.025%)。这些特性与极低的闪烁噪声 (0.5μVPP/V) 相结合,使 REF50xx 系列成为高精度数据采集系统的绝佳选择。REF50 系列提供增强级 (REF50xxEI)、高级级 (REF50xxI) 和标准级 (REF50xxAI)。基准电压采用 8 引脚 SOIC 和 VSSOP 封装,额定温度范围为 –40°C 至 125°C。
*附件:ref50.pdf
REF50xxEI 支持 42V 的宽电源额定电压和 340μA 的超低 IQ。宽电源范围允许直接连接到电池或现场电源。这还可以在电源 IC 发生故障时保护设备。
特性
- 低温漂移(最大):
- 增强级(新):2.5ppm/°C
- 高品位:3ppm/°C
- 标准级:8ppm/°C
- 高精度(最大):
- 增强级:0.025%
- 高品位:0.05%
- 标准级:0.1%
- 低噪音:
- 增强级:0.5μVPP/V
- 高/标准级:3μVPP/V
- 优异的长期稳定性:
- 前 1000 小时后 22ppm (SOIC-8)
- 前 1000 小时后 50ppm (VSSOP-8)
- 宽输入电压支持:
- 增强级:42V
- 高/标准级:18V
- 高输出电流:±10mA
- 温度范围:-40°C 至 125°C
参数

方框图

1. 产品概述
REF50xx是德州仪器(TI)推出的低噪声、超低漂移、高精度电压参考芯片家族,包含标准级(AI)、高级(I)和增强级(EI)三个等级,适用于工业控制、医疗仪器、数据采集系统等高精度应用场景。
2. 核心特性
- 低温度漂移:增强级最大2.5ppm/°C,高级3ppm/°C,标准级8ppm/°C。
- 高精度:初始精度最高达±0.025%(增强级)。
- 低噪声:0.1Hz至10Hz频段噪声低至0.5μVPP/V(增强级)。
- 长期稳定性:SOIC封装1000小时后漂移仅22ppm。
- 宽输入电压:增强级支持42V输入,其他等级支持18V。
- 输出电流:支持±10mA双向电流输出。
3. 型号与封装
- 电压选项:2.048V至10V多种输出(如REF5025为2.5V,REF5050为5V)。
- 封装类型:8引脚SOIC和VSSOP,尺寸分别为4.9mm×3.91mm和3mm×3mm。
4. 关键应用
5. 设计要点
- 噪声优化:可通过TRIM/NR引脚连接1μF电容降低噪声。
- 布局建议:电源旁路电容需靠近引脚,输出电容ESR建议1-1.5Ω。
- 热管理:最大结温150°C,需计算功率损耗(PD = (VIN - VOUT) × IOUT)。
6. 性能曲线与测试数据
文档提供了详细的温度漂移分布、长期稳定性曲线(如4000小时老化测试)、负载瞬态响应等图表,验证其在宽温范围(-40°C至125°C)下的可靠性。
7. 版本更新
最新修订(2025年3月)新增REF50xxEI型号,扩展输入电压至42V并优化了低功耗特性(静态电流340μA)。
附件说明
当前文档为REF50xx数据手册(SBOS410N),包含完整的电气特性、引脚定义、典型应用电路及封装机械信息。
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Texas Instruments REF50x精密电压基准特性/应用/原理图

REF50 低噪声、极低漂移、宽 VIN 精密基准电压源技术手册
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