LM5102系列 具有 8V UVLO 和可编程延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器数据手册

LM5102 高压栅极驱动器设计用于在同步降压或半桥配置中驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET。浮动高压侧驱动器能够在高达 100 V 的电源电压下工作。输出是独立控制的。每个输出的上升沿可以通过编程电阻器独立延迟。提供了一个集成的高压二极管，用于为高压侧栅极驱动自举电容器充电。稳健的电平转换器以高速运行，同时功耗低，并提供从控制逻辑到高端栅极驱动器的干净电平转换。低侧和高侧电源轨均提供欠压锁定功能。该器件采用标准 VSSOP 10 引脚和 WSON 10 引脚封装。
*附件：lm5102.pdf

特性

• 驱动高侧和低侧 N 沟道 MOSFET
• 可独立编程的高侧和低侧上升沿延迟
• 自举电源电压范围高达 118 V 直流
• 快速关断传播延迟（典型值为 25 ns）
• 以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
• 电源轨欠压锁定
• 低功耗
• 定时器可以在序列中途终止

参数

方框图

一、产品概述

LM2是一款高压半桥栅极驱动器，设计用于驱动同步降压配置或半桥配置中的高侧和低侧N沟道MOSFET。该驱动器具有独立可编程的高侧和低侧上升沿延迟，以及高达0V的浮动高侧驱动能力。

二、主要特性

• ‌独立可编程延迟‌：高侧和低侧输出的上升沿延迟可独立编程。
• ‌高压能力‌：支持高达0V的供电电压。
• ‌快速关断传播延迟‌：典型值为5ns。
• ‌集成高压二极管‌：用于为高侧栅极驱动自举电容充电。
• ‌ 欠压锁定（UVLO） ‌：保护低侧和高侧电源轨。
• ‌低功耗‌：设计用于提高轻载效率。

三、引脚功能

• ‌VDD‌：正栅极驱动供电。
• ‌HB‌：高侧栅极驱动器自举轨。
• ‌HO‌：高侧栅极驱动器输出。
• ‌HS‌：高侧MOSFET源极连接。
• ‌LO‌：低侧栅极驱动器输出。
• ‌VSS‌：地返回。
• ‌LI‌：低侧驱动控制输入。
• ‌HI‌：高侧驱动控制输入。
• ‌RT‌：高侧输出上升沿延迟编程电阻。
• ‌RT‌：低侧输出上升沿延迟编程电阻。
• ‌NC‌：未连接引脚。

四、电气特性

• ‌工作电压范围‌：VDD为V至V。
• ‌UVLO阈值‌：VDD的欠压锁定阈值为.V至7.4V。
• ‌输入阈值‌：低电平输入电压阈值为.V至1.8V，高电平输入电压阈值为2.2V。
• ‌输出特性‌：高侧和低侧栅极驱动器具有高电平输出电流和低电平输出电流能力，峰值电流可达1.6A和.A。

五、功能描述

• ‌独立可编程延迟‌：通过RT和RT2引脚上的外部电阻，可以独立设置高侧和低侧输出的上升沿延迟。
• ‌启动和UVLO‌：UVLO电路确保在供电电压足够之前不会启用驱动器输出。
• ‌定时器终止功能‌：如果RT引脚被拉低到定时器消除阈值（典型值为.V）以下，则绕过上升沿延迟。

六、应用信息

• ‌典型应用‌：包括同步降压转换器、半桥和全桥功率转换器、电流馈电推挽功率转换器等。
• ‌设计指南‌：提供了自举电容选择、延迟时间设置、布局和热管理等方面的设计建议。

七、布局与热管理

• ‌布局指南‌：推荐使用低ESR/ESL电容靠近IC，并保持短而宽的接地路径以减少寄生电感和电阻。RT引脚上的电阻应靠近IC放置，以避免噪声耦合。
• ‌热管理‌：通过估算最坏情况下的结温来确保可靠的长期操作，利用暴露的热焊盘进行有效散热。

八、封装与订购信息

• ‌封装类型‌：提供VSSOP（引脚）和WSON（引脚）封装选项。
• ‌订购代码‌：包括不同封装选项的订购代码，如LMMM/NOPB（VSSOP封装）和LM2SD/NOPB（WSON封装）。

九、文档与支持

• ‌相关文档‌：包括数据手册、应用指南等。
• ‌社区资源‌：提供TI的EE在线社区链接，方便用户交流问题和经验。
• ‌安全警示‌：提醒用户注意静电放电（ESD）防护和其他安全事项。