LM5107系列 具有 8V UVLO 的 1.4A、100V 半桥栅极驱动器数据手册

LM5107 是一款低成本、高电压栅极驱动器，旨在驱动高压侧 以及采用同步降压或半桥配置的低侧 N 沟道 MOSFET。这 浮动高压侧驱动器能够在高达 100V 的电源轨电压下工作。输出为 通过 TTL 兼容输入阈值独立控制。集成的片上高压 提供二极管来为高侧栅极驱动自举电容器充电。坚固的电平转换器 技术高速运行，同时功耗低，并提供干净的电平转换 从控制输入逻辑到高端栅极驱动器。两者均提供欠压锁定 低侧和高侧电源轨。该器件采用 SOIC 和 thermal 两种封装 增强的 WSON 程序包。
*附件：lm5107.pdf

特性

• 驱动高侧和低侧 N 沟道 MOSFET
• 高峰值输出电流（1.4A 灌电流 / 1.3A 拉电流）
• 独立的 TTL 兼容输入
• 集成自举二极管
• 自举电源电压至 118 V DC
• 快速传播时间（典型值为 27ns）
• 以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
• 出色的传播延迟匹配（典型值为 2ns）
• 电源轨欠压锁定
• 低功耗
• 引脚与 ISL6700 兼容
• 包：
  • SOIC的
  • WSON（4 毫米× 4 毫米）

参数

方框图

一、产品概述

LM7是一款低成本的高压栅极驱动器，设计用于驱动同步降压或半桥配置中的高端和低端N沟道MOSFET。

二、主要特性

• ‌双端驱动‌：能够同时驱动高端和低端N沟道MOSFET。
• ‌高峰值输出电流‌：高达.A的灌电流和.A的源电流。
• ‌独立TTL兼容输入‌：高端和低端控制输入均兼容TTL电平。
• ‌集成自举二极管‌：提供集成的高压二极管，用于为高端栅极驱动自举电容器充电。
• ‌宽电源电压范围‌：支持高达V DC的自举电源电压。
• ‌快速传播时间‌：典型值为7ns。
• ‌低功耗‌：具备欠压锁定功能，以降低功耗。
• ‌引脚兼容‌：与ISL引脚兼容。

三、应用领域

• 电流馈电推挽转换器
• 半桥和全桥功率转换器
• 固态电机驱动器
• 双开关正向功率转换器

四、引脚配置与功能

• ‌VDD‌：正栅极驱动电源，需使用低ESR/ESL电容器在IC附近与VSS去耦。
• ‌HI‌：高端控制输入，兼容TTL输入阈值。
• ‌LI‌：低端控制输入，兼容TTL输入阈值。
• ‌VSS‌：地参考，所有信号均以此地为参考。
• ‌LO‌：低端栅极驱动器输出，连接至低端N-MOS设备的栅极。
• ‌HS‌：高端源连接，连接至自举电容器的负端和高端N-MOS设备的源极。
• ‌HO‌：高端栅极驱动器输出，连接至高端N-MOS设备的栅极。
• ‌HB‌：高端栅极驱动器正电源轨，连接自举电容器的正端。

五、电气特性

• ‌工作条件‌：推荐电源电压VDD为8V至4V，结温范围为-0°C至5°C。
• ‌输出特性‌：在0pF负载下，具有ns的上升和下降时间。
• ‌传播延迟‌：上下端开启和关闭传播延迟的典型值为7ns至6ns。
• ‌欠压锁定‌：具有欠压锁定功能和滞回特性，以保护电路免受低电压条件的影响。

六、功能描述

• ‌启动与欠压锁定‌：高端和低端驱动器均包含欠压锁定保护电路，独立监测电源电压和自举电容器电压。
• ‌电平移位‌：电平移位电路是高端输入到高端驱动器阶段的接口，提供与低端驱动器良好的延迟匹配。
• ‌自举二极管‌：集成自举二极管用于生成高端偏置电压，具有高恢复速度、低二极管电阻和电压额定裕量。
• ‌输出级‌：输出级具有高速率、低电阻和高峰值电流能力，允许高效切换功率MOSFET。

七、应用与实施

• ‌设计信息‌：提供了详细的设计要求和步骤，包括选择自举和VDD电容器、外部自举二极管和电阻、栅极驱动器电阻等。
• ‌功率耗散‌：讨论了栅极驱动器的功率耗散，包括直流部分和开关部分。
• ‌布局指南‌：强调了布局中需考虑的关键因素，以确保高端和低端栅极驱动器的最佳性能。

八、封装与订购信息

• ‌封装类型‌：提供SOIC和WSON（mm x mm）封装选项。
• ‌订购代码‌：提供了不同封装和状态的订购代码选项。