LM5102 具有可编程延迟的高电压半桥接闸极驱动器

数据： LM5102 High-Voltage Half-Bridge Gate Driver With Programmable Delay 数据表

描述

LM5102高压栅极驱动器设计用于同步降压或半桥配置驱动高端和低端N沟道MOSFET 。浮动高侧驱动器能够在高达100 V的电源电压下工作。输出可以独立控制。每个输出的上升沿可以通过编程电阻独立延迟。提供集成的高压二极管以对高侧栅极驱动自举电容器充电。稳健的电平转换器以高速运行，同时消耗低功率并提供从控制逻辑到高端栅极驱动器的清洁电平转换。低压侧和高压侧电源轨均提供欠压锁定。该器件采用标准VSSOP 10引脚和WSON 10引脚封装。

对于所有可用封装，请参见数据手册末尾的可订购附录。

特性

驱动高侧和低侧N沟道MOSFET
可独立编程的高侧和低侧上升沿延迟
自举电源电压范围高达118 V dc
快速关断传播延迟（典型值为25 ns）
驱动1000-pF负载，15- ns上升和下降时间
供电轨欠压锁定
低功耗
定时器可以在序列中途终止

参数与其它产品相比半桥驱动器


Number of Channels (#)
Power Switch
Bus Voltage (V)
Peak Output Current (A)
Input VCC (Min) (V)
Input VCC (Max) (V)
Rise Time (ns)
Fall Time (ns)
Prop Delay (ns)
Iq (uA)
Input Threshold
Channel Input Logic
Negative Voltage Handling at HS Pin (V)
Features
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group

LM5102	LM5104	LM5105
2	2	2
MOSFET	MOSFET	MOSFET
100	100	100
2	2	1.8
9	9	8
14	14	14
10	10	10
10	10	10
35	35	26
10	10	10
TTL	TTL	TTL
TTL	TTL	TTL
-1	-1	-1
N/A	N/A	N/A
Catalog	Catalog	Catalog
-40 to 125	-40 to 125	-40 to 125
VSSOP WSON	SOIC WSON	WSON