LM5100B 具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 2A、100V 半桥栅极驱动器数据手册

LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高压栅极驱动器设计用于驱动 采用同步降压或半桥配置的高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET。 浮动高压侧驱动器能够在高达 100 V 的电源电压下工作。The A 版本提供完整的 3A 栅极驱动，而 B 和 C 版本提供 2 A 和 1A、 分别。输出由 CMOS 输入阈值 （LM5100A/B/C） 或 TTL 输入阈值 （LM5101A/B/C）。
*附件：lm5100b.pdf

提供集成高压二极管，用于为高侧栅极驱动自举充电 电容器。坚固的电平转换器以高速运行，同时功耗低，并提供 从 Control Logic 到 Highside 栅极驱动器的 Clean Level 转换。欠压锁定 在低侧和高侧电源轨上均提供。这些设备在 标准 SOIC-8 引脚、SO PowerPAD-8 引脚和 WSON-10 引脚封装。LM5100C 和 LM5101C 是 还提供 MSOP-PowerPAD-8 封装。LM5101A 还提供 WSON-8 引脚 包。

特性

• 驱动高侧和低侧 N 沟道
  MOSFET
• 独立的高电平和低电平驱动器逻辑输入
• 自举电源电压高达 118 V DC
• 快速传播时间（典型值为 25ns）
• 以 8ns 的上升和下降
  时间驱动 1000pF 负载
• 出色的传播延迟匹配（典型值为 3ns
  ）
• 电源轨欠压锁定
• 低功耗
• 引脚兼容 HIP2100/HIP2101

参数

方框图

一、产品概述

LM0B 是一款高电压、高侧和低侧栅极驱动器，设计用于驱动同步降压或半桥配置中的高侧和低侧N沟道MOSFET。该驱动器提供A的峰值输出电流，并具有独立的CMOS输入阈值。

二、主要特性

• ‌高电压能力‌：支持高达V的供电电压。
• ‌独立控制‌：高低侧输出独立控制，具有CMOS输入阈值。
• ‌快速传播时间‌：典型值为5ns，提供高速开关性能。
• ‌低功率消耗‌：在正常工作条件下功耗较低。
• ‌欠压锁定保护‌：高低侧电源均具有欠压锁定功能，确保稳定工作。
• ‌集成自举二极管‌：内置二极管用于高侧栅极驱动电容的充电。

三、引脚配置与功能

• ‌VDD‌：正电源输入。
• ‌HB‌：高侧自举电源输入。
• ‌HS‌：高侧MOSFET源极连接和自举电容负极。
• ‌HO‌：高侧栅极驱动器输出。
• ‌LO‌：低侧栅极驱动器输出。
• ‌VSS‌：负电源终端（地）。
• ‌HI‌：高侧输入，控制HO输出。
• ‌LI‌：低侧输入，控制LO输出。

四、电气特性

• ‌工作电压范围‌：VDD为V至V，HB最高可达V。
• ‌输入阈值‌：CMOS兼容输入，具体阈值详见数据表。
• ‌输出电流‌：峰值输出电流为2A。
• ‌传播延迟‌：LO和HO的关断和开启传播延迟典型值为ns至ns。
• ‌欠压锁定阈值‌：VDD和HB的欠压锁定阈值和迟滞详见数据表。

五、功能描述

• ‌欠压锁定‌：确保在供电电压不足时禁止输出，保护电路免受损坏。
• ‌电平移位‌：实现高侧输入与高侧驱动器级之间的电平转换。
• ‌自举二极管‌：为高侧栅极驱动提供必要的偏置电压。
• ‌输出阶段‌：具有低电阻和高转换速率，支持高效MOSFET开关。

六、应用信息

• ‌典型应用‌：适用于同步降压转换器、半桥和全桥功率转换器等。
• ‌设计要点‌：包括自举电容和VDD电容的选择、栅极驱动电阻的选取以及布局考虑等。
• ‌功耗估计‌：提供了估算驱动器功耗的方法和公式。

七、封装与订购信息

• ‌封装类型‌：提供多种封装选项，如SOIC、PowerPAD SOIC、WSON等。
• ‌订购代码‌：详细列出了不同封装和状态的订购代码。