LM25101 高压栅极驱动器设计用于驱动高压侧和 采用同步降压或半桥配置的低侧 N 沟道 MOSFET。A 版本 提供完整的 3A 栅极驱动,而 B 和 C 版本分别提供 2A 和 1A。这 输出由 TTL 输入阈值独立控制。集成的高压二极管是 用于为高侧栅极驱动自举电容器充电。坚固的电平转换器在 高速,低功耗,并提供来自控制逻辑的干净电平转换 到高端栅极驱动器。低侧和 高侧电源轨。
*附件:lm25101.pdf
这些器件采用标准 8 引脚 SOIC、8 引脚 SO-PowerPAD、8 引脚 WSON 封装。 10 引脚 WSON 和 8 引脚 MSOP PowerPAD 封装。
特性
- 独立的高低驱动器逻辑输入
- 自举电源电压高达 100V DC
- 驱动高侧和低侧 N 沟道 MOSFET
- 快速传播时间(典型值为 25 ns)
- 以 8ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
- 出色的传播延迟匹配(典型值为 3 ns)
- 电源轨欠压锁定
- 低功耗
- 引脚与 HIP2100 和 HIP2101 兼容
参数
方框图
一、产品概述
- 型号:LM1
- 类型:0V半桥栅极驱动器
- 特点:
- 独立的高侧和低侧驱动逻辑输入
- 自举电源电压高达0V DC
- 驱动高侧和低侧N沟道MOSFET
- 快速传播时间(典型值ns)
- 负载pF时,上升和下降时间均为8ns
- 优异的传播延迟匹配(典型值3ns)
- 供电轨欠压锁定(UVLO)
- 低功耗
- 与HIP和HIP引脚兼容
二、应用领域
三、引脚配置与功能
- VDD:正栅极驱动电源
- VSS:地返回
- HI:高侧驱动控制输入
- HO:高侧栅极驱动输出
- HS:高侧MOSFET源极连接
- LI:低侧驱动控制输入
- LO:低侧栅极驱动输出
- HB:高侧栅极驱动自举轨
- NC:无连接
- Thermal Pad:热垫(用于散热)
四、电气特性
- 供电电压范围:V至V
- 输入阈值:TTL类型阈值
- 输出电流:
- A版本:A峰值
- B版本:A峰值
- C版本:A峰值
- 低电平输出电压(VOL) :
- A版本:.2V至.5V
- B版本:.6V至.V
- C版本:.8V至.5V
- 高电平输出电压(VOH) :接近VDD
- 传播延迟:典型值ns至ns
- 上升/下降时间:pF负载时,典型值8ns
五、保护功能
- UVLO:监控VDD和HB-HS电压,确保在电压足够时输出才被激活。
六、典型应用
- 提供了典型应用图,包括外部元件选择和布局建议。
七、布局指南
- 推荐使用低ESR和ESL电容器,并尽可能靠近IC放置。
- 为防止高侧MOSFET漏极出现大电压瞬变,应在MOSFET漏极和地之间连接低ESR电解电容器。
- 最小化高侧MOSFET源极和低侧MOSFET漏极(同步整流器)的寄生电感。
八、文档与支持
- 提供了接收文档更新通知、社区资源、商标、静电放电警示和术语表的链接。
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