TPS22968x-Q1 是一款具有可配置上升时间的小型双通道负载开关。这 该器件包含两个 N 沟道 MOSFET,可在 0.8 V 至 5.5 的输入电压范围内工作 V 的 V 和可支持每通道 4A 的最大连续电流。每个开关都是独立的 由开/关输入(ON1 和 ON2)控制,该输入能够直接与 低压控制信号。TPS22968-Q1 包括一个 270 Ω 片上电阻器,用于快速输出 开关关闭时放电。
*附件:tps22968-q1.pdf
TPS22968x-Q1 采用小型、节省空间的封装 (DMG) 和可润湿侧面 以及一个集成的导热垫。可润湿侧面允许目视检查焊料。设备 的额定温度范围为 –40°C 至 +125°C 的自由空气温度。
特性
- 集成双通道负载开关
- 适用于汽车应用:
- 器件温度等级 1:-40°C 至
+125°C 环境工作温度范围
- 器件温度等级 1:-40°C 至
- 输入电压范围:0.8 至 5.5 V
- VBIAS 电压范围:2.5 至 5.5 V
- 导通电阻
- R
上V 时 = 29 mΩ在= 5 V (V偏见= 5 V) - R
上V 时 = 27 mΩ在= 3.3 伏 (V偏见= 5 V) - R
上V 时 = 26 mΩ在= 1.8 伏 (V偏见= 5 V)
- R
- 每个
通道的最大连续开关电流为 4A - 低静态电流
- V 时为 58μA
偏见= 5 V(两个通道)
- V 时为 58μA
- 低控制输入阈值支持使用 1.2、
1.8、2.5、3.3V 逻辑 - 带 CT 引脚的可配置上升时间^(1)^
- 快速输出放电 (QOD) ^(2)^ (仅限 TPS22968-Q1)
- 具有可湿性侧面的 10 引脚 WSON 封装
- ESD 性能测试符合 JEDEC 标准
- ±2 kV HBM 和 ±1 kV CDM
- 闩锁性能符合 JESD 78 II
类标准的 100mA 要求 - GPIO 启用 – 高电平有效
参数

方框图

1. 产品概述
TPS22968x-Q1是一款集成双通道负载开关,适用于汽车应用。它包含两个N通道MOSFET,每个通道可独立控制,支持最大连续电流为4A。
2. 主要特性
- 集成双通道:两个独立的N-channel MOSFETs。
- 低电阻:在V_IN = 5V时,R_ON = 29mΩ;在V_BIAS = 5V时,R_ON从26mΩ到29mΩ不等。
- 宽输入电压范围:0.8V至5.5V。
- 低静态电流:在V_BIAS = 5V时,仅为58µA(双通道)。
- 快速输出放电(TPS22968-Q1特有):通过270Ω电阻将输出放电至GND。
- 可配置上升时间:通过CT引脚调整开关的上升时间。
- 小封装:10引脚WSON封装,节省空间。
3. 应用领域
4. 功能描述
- ON/OFF控制:通过ON1和ON2引脚控制每个通道的开关状态。
- 快速输出放电:当开关禁用时,通过内部270Ω电阻将输出放电至GND,防止输出浮动。
- 可配置上升时间:通过连接至CT引脚的电容设置每个通道的上升时间,有助于减少开机时的浪涌电流。
5. 电气特性
- 工作电压:V_IN范围为0.8V至5.5V,V_BIAS范围为2.5V至5.5V。
- 静态电流:在V_BIAS = 5V时,双通道为58µA至70µA,单通道为58µA至68µA。
- 导通电阻:在V_IN = 5V时,R_ON为25mΩ至43mΩ;在V_IN = 3.3V时,R_ON为27mΩ至40mΩ。
6. 开关特性
- 上升时间:根据CT引脚连接的电容值,上升时间可调,范围从几微秒到几百微秒。
- 关断时间:典型值为几微秒。
7. 封装与尺寸
- 封装类型:10引脚WSON(湿侧翼)
- 尺寸:2.00mm × 3.00mm
8. 布局指南
- 输入和输出电容:推荐在VIN和VOUT引脚旁使用低ESR陶瓷旁路电容。
- 热设计:通过热通孔和足够大的铜面积优化散热。
- CT引脚电容:应靠近器件引脚放置,推荐使用X5R或X7R介质,额定电压25V或更高。
9. 应用注意事项
- 确保V_IN ≤ V_BIAS以获得最佳R_ON性能。
- 在高电流应用中,可能需要比输出电容大10倍的输入电容以避免电压下降。
- 在并联配置中,可将两个通道的CT引脚连接在一起使用一个电容,以实现更低的R_ON和更快的上升时间。
10. 文档与支持
提供了PSPICE模型、应用曲线、布局示例和相关文档,以帮助用户正确设计和实现TPS22968x-Q1。
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