TPS22958 具有可调上升时间和可选输出放电的 5.5V、6A、13mΩ 负载开关数据手册-电子发烧友网

TPS22958x 是一款具有可调上升时间的小型单通道负载开关。这该器件包含一个 N 沟道 MOSFET，可在 0.6 V 至 5.5 V 的输入电压范围内工作并且可以支持 4 A（DGK 封装）或 6 A（DGN 封装）的最大连续电流。开关由开/关输入控制，该输入能够直接与低电压控制接口信号。
*附件：tps22958.pdf

设备的上升时间可以从外部控制，以避免浪涌当前。将 capacitor 连接到 CT 引脚将改变上升时间：增加电容器会增加上升时间。TPS22958x 采用两种节省空间的封装（DGK 和 DGN），带或不带导热垫以实现高功率耗散。该设备的特点是可在 -40°C 至 105°C 的自由空气温度范围内运行。

特性

集成 N 沟道负载开关
输入电压范围：0.6 V 至 5.5 V
VBIAS 电压范围：2.5 V 至 5.5 V
R上电阻
- R上V 时 = 14 mΩ 在 = 5 V （V 偏见 = 5 V）
- R上V 时 = 13 mΩ 在 = 3.3 伏（V 偏见 = 5 V）
- R上V 时 = 13 mΩ 在 = 1.8 伏（V 偏见 = 5 V）
4 A 最大连续开关电流（DGK 封装）
6 A 最大连续开关电流（DGN 封装）
低静态电流
- V 时为 55 μA 偏见 = 5 伏
低控制输入阈值允许使用
1.2 V/1.8 V/2.5 V/3.3 V 逻辑
可调上升时间^(1)^
快速输出放电（QOD）^(2)^
DGK 8 引脚封装：
- 间距为 3.0 mm x 4.9 mm x 1.1 mm 和 0.65 mm
带导热垫的 DGN 8 引脚封装：
- 间距为 3.0 mm x 4.9 mm x 1.1 mm 和 0.65 mm
ESD 性能测试符合 JEDEC 标准。
- 2 kV HBM 和 1 kV CDM
闩锁性能超过 100 mA，符合 JESD 78 II 类标准
GPIO 启用 – 高电平有效请参阅 CT 值与上升时间的关系部分 TPS22958N 器件中没有此功能。

参数

1. 产品概述

TPS22954 是一款集成单通道负载开关，具有 5.7V 输入电压范围和 5A 最大连续开关电流。该器件采用低导通电阻（RON）的 N-channel MOSFET，适用于多种应用，包括固态硬盘、嵌入式和工业 PC、超薄本和笔记本电脑、台式机、服务器和电信系统。

2. 主要特性

‌集成单通道负载开关‌
‌输入电压范围‌：0.7V 至 5.7V
‌最大连续开关电流‌：5A
‌低导通电阻‌：RON = 14mΩ（VIN = 5V, VBIAS = 5V）
‌可调欠压锁定（UVLO）阈值‌
‌可调电源良好（PG）指示阈值‌
‌可调输出上升斜率控制‌
‌ 增强型快速输出放电（QOD） ‌：在电源移除后，15Ω 负载在 10ms 内放电 100μF 电容
‌热关断保护‌
‌低静态电流‌：≤50μA
‌小型 SON 10 引脚封装，带散热垫‌
‌ESD 性能‌：符合 JESD 22 标准，HBM 2kV，CDM 750V

3. 功能描述

‌ 开/关控制（EN 引脚） ‌：通过 EN 引脚控制开关状态，支持低电压控制信号直接接口。
‌ 电压监测（SNS 引脚） ‌：SNS 引脚可用于监测输出电压或其他电压轨，与 PG 引脚配合实现电源排序。
‌ 电源良好（PG 引脚） ‌：仅在 EN 和 SNS 引脚电压均超过阈值时，PG 引脚输出高电平。
‌故障检测与自动重启‌：SNS 引脚电压低于阈值时，负载开关关闭并在 tRESTART 时间后自动重启（如果 EN 引脚仍高于阈值）。
‌ 快速输出放电（QOD） ‌：在开关禁用后，集成 15Ω 负载快速放电输出电容。
‌ 反向电流阻断（TPS22953 功能） ‌：在开关禁用时，自动阻断反向电流。
‌热关断‌：结温超过 TSD 时，自动关闭输出。

4. 应用领域

固态硬盘（SSD）
嵌入式和工业 PC
超薄本和笔记本电脑
台式机
服务器
电信系统

5. 封装与尺寸

提供 DSQ（10 引脚，2.00mm x 2.00mm）和 DQC（10 引脚，2.00mm x 3.00mm）SON 封装选项

6. 电气特性

‌供电电流‌：在 VBIAS = 5V，VIN = 0.7V 至 5.7V，TA = 25°C 时，静态电流 IQ,BIAS 典型值为 45μA，关闭电流 ISD,BIAS 典型值为 8μA。
‌导通电阻‌：在 VIN = 5V，VBIAS = 5V，TA = 25°C 时，RON 典型值为 14mΩ。
‌热关断阈值‌：TSD = 150°C，滞回 TSD_HYS = 20°C。