TPS22966-Q1 器件是一款小型、超低 R 上 ,双通道负载开关,上升时间可调。该器件包含两个 N 沟道 MOSFET,可在 0 V 至 5.5 V 的输入电压范围内工作,并支持每通道高达 4 A 的最大连续电流。每个开关都由一个开/关输入(ON1 和 ON2)独立控制,该输入可以直接与低压控制信号接口。TPS22966-Q1 包括一个 230-Ω 的片上电阻器,用于在开关关闭时进行快速输出放电。
*附件:tps22966-q1.pdf
TPS22966-Q1 采用小型、节省空间的 2mm × 3mm 14-SON 封装 (DPU),并带有集成导热垫,可实现高功率耗散。该器件的额定工作温度范围为 –40°C 至 105°C。
特性
- 适用于汽车应用
- 符合 AEC-Q100 标准,结果如下:
- 器件温度等级 2:-40°C 至 105°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 H1C
- 器件 CDM ESD 分类等级 C6
- 集成双通道负载开关
- 输入电压范围:0 V 至 5.5 V
- 超低导通电阻 (R
上)- R
上V 时 = 16 mΩ在= 5 V (V偏见= 5 V) - R
上V 时 = 16 mΩ在= 3.3 伏 (V偏见= 5 V) - R
上V 时 = 16 mΩ在= 1.8 伏 (V偏见= 5 V)
- R
- 每个通道的最大连续开关电流为 4A
- 低静态电流
- 80 μA(两个通道)
- 80 μA(单通道)
- 低控制输入阈值支持使用
1.2V、1.8V、2.5V 和 3.3V 逻辑 - 可配置的上升时间
- 快速输出放电 (QOD)
- SON 14 引脚封装,带导热垫
参数
方框图
1. 产品概述
TPS22966-Q1是一款专为汽车电子应用设计的双通道超低导通电阻(R_ON)负载开关。它集成了两个N沟道MOSFET,支持高达4A的最大连续开关电流,适用于需要严格控制电压跌落和功耗的应用场景。
2. 主要特性
- 汽车级认证:符合AEC-Q100标准,适用于汽车电子应用。
- 超低导通电阻:R_ON = 16mΩ(在V_IN = 5V,V_BIAS = 5V时)
- 高电流能力:每通道最大连续开关电流为4A。
- 低静态电流:80µA(典型值,双通道同时开启)
- 低控制输入阈值:支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V逻辑电平。
- 可调上升时间:通过CT引脚外接电容实现上升时间的调整。
- 快速输出放电:集成230Ω下拉电阻,实现快速输出放电。
- 小型封装:2mm x 3mm的14引脚SON封装,带热焊盘。
3. 应用领域
- 信息娱乐系统
- 高级驾驶辅助系统(ADAS)
4. 功能描述
- 双通道控制:两个独立的开关通道,通过ON1和ON2引脚分别控制。
- 低泄漏电流:在关断状态下,具有极低的泄漏电流,减少功耗。
- 输出保护:集成快速输出放电功能,防止输出悬浮。
- 集成度高:包含控制逻辑、驱动器和电荷泵,无需外部组件。
5. 电气特性
- 工作电压范围:V_IN = 0V至5.5V,V_BIAS = 2.5V至5.5V。
- R_ON变化:随V_IN和V_BIAS的变化而变化,具体值请参考数据表。
- 静态电流:I_IN(VBIAS-ON)在-40°C至105°C的温度范围内,典型值为80µA至120µA。
- 关断电流:I_IN(VBIAS-OFF)和I_IN(VIN-OFF)在-40°C至105°C的温度范围内,均低于8µA。
6. 热特性
- 热阻:R_θJA = 52.3°C/W
- 最大结温:T_J(max) = 150°C
7. 封装与尺寸
- 封装类型:14引脚SON封装(DPU),带热焊盘。
- 尺寸:3.00mm x 2.00mm x 0.75mm(最大高度)
8. 布局指南
- 输入和输出电容:建议在VIN和GND、VOUT和GND之间分别放置低ESR陶瓷旁路电容。
- 热焊盘:必须将热焊盘焊接到电路板上,以实现最佳的热性能。
- 走线:VIN和VOUT走线应尽可能短且宽,以适应高电流。
9. 应用曲线与典型应用
- 提供了多种应用曲线,包括R_ON与温度、V_IN的关系,以及不同条件下的开关特性。
- 典型应用示例展示了如何使用TPS22966-Q1为具有大容性负载的下游模块供电,并通过调整CT引脚电容来控制上升时间,从而减少电源压降。
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