TPS22975 产品系列由两个器件组成:TPS22975 和 TPS22975N。每个器件都是一个单通道负载开关,可提供可配置的上升时间,以最大限度地减少浪涌电流。该器件包含一个 N 沟道 MOSFET,可在 0.6 V 至 5.7 V 的输入电压范围内工作,并支持 6 A 的最大连续电流。该开关由开和关输入 (ON) 控制,该输入能够直接与低压控制信号连接。TPS22975具有一个可选的 230 Ω片上负载电阻器,可在开关关闭时进行快速输出放电。
*附件:tps22975.pdf
TPS22975采用节省空间的小型 2mm × 2mm 8 引脚 SON 封装 (DSG),并带有集成导热垫,可实现高功率耗散。该器件的额定工作温度范围为 –40°C 至 +105°C 的自由空气温度。
特性
- 集成单通道负载开关
- 输入电压范围:0.6 V 至 V
偏见 - V
偏见电压范围:2.5 V 至 5.7 V - 导通电阻 (R
上)- R
上VIN = 0.6 V 至 5.7 V、V 时 = 16 mΩ(典型值)偏见= 5.7 伏
- R
- 最大连续开关电流 6A
- 低静态电流
- V 时为 37 μA(典型值)
在= V偏见= 5 伏
- V 时为 37 μA(典型值)
- 低控制输入阈值支持使用
1.2V、1.8V 、2.5V 和 3.3V 逻辑 - 可配置的上升时间
- 热关断
- 快速输出放电 (QOD)(可选)
- 带导热垫的 SON 8 引脚封装
- ESD 性能测试符合 JESD 22 标准
- 2000V HBM 和 1000V CDM
参数
方框图
1. 产品概述
- 类型:5.7V, 6A, 16mΩ单通道负载开关
- 特点:
- 集成单通道负载开关
- 输入电压范围:0.6V至VBIAS(2.5V至5.7V)
- 可配置上升时间
- 低静态电流(37μA @ VIN = VBIAS = 5V)
- 可选快速输出放电(QOD)功能
- 小型SON 8引脚封装,带热垫
- ESD性能:±2000V HBM, ±1000V CDM
2. 应用场景
3. 主要特性
- 低导通电阻:RON = 16mΩ(典型值)
- 最大连续开关电流:6A
- 控制输入阈值低:支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V逻辑
- 热关断保护:结温超过160°C时自动关断
- 快速输出放电:可选230Ω内部放电电阻,防止输出悬浮
4. 电气特性
- 静态电流:37μA(典型值)@ VIN = VBIAS = 5V
- 关断电流:2.3μA(典型值)@ VBIAS = 5V
- 导通电阻:RON随VIN和VBIAS变化,范围在16mΩ至26mΩ之间
- 上升/下降时间:可通过CT引脚上的电容调整,典型值从几微秒到几百微秒不等
5. 功能描述
- 可调上升时间:通过CT引脚上的电容设置,减少大容性负载引起的浪涌电流
- 快速输出放电:当开关关闭时,可选的内部放电电阻迅速放电输出电容,防止输出悬浮
- 热关断:结温超过160°C时自动关闭开关,保护器件免受过热损坏
6. 封装与尺寸
- 封装类型:8引脚SON(DSG)封装,2mm × 2mm,带热垫
- 热阻:θJA = 74.8°C/W
7. 布局与热考虑
- 布局指南:所有迹线应尽可能短,输入和输出电容应靠近器件放置,以减少寄生电感的影响
- 热考虑:最大结温应限制在125°C以下,使用公式计算最大允许功耗,并注意板级布局对热阻的影响
8. 文档与支持
9. 注意事项
- 使用过程中需遵守静电放电(ESD)防护措施
- 设计时应确保符合所有安全、监管和其他要求
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