



声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
峰值电流
+关注
关注
0文章
302浏览量
12423 -
栅极驱动器
+关注
关注
8文章
1295浏览量
40207
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
DRV8300-Q1 三相BLDC栅极驱动器技术文档总结
DRV8300 -Q1 是 100V 三半桥栅极驱动器,能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8300 -Q1 使用集成自举二极管和用于高侧 MOSFET 的外部电容器产生正确的
DRV3256-Q1 三相BLDC栅极驱动器技术文档总结
DRV3256-Q1 系列器件是高度集成的三相栅极驱动器,适用于 48V 汽车电机驱动应用。这些器件经过专门设计,通过提供 2A 峰值源极和 2.5A
DRV8300U 三相BLDC栅极驱动器技术文档总结
DRV8300U是100V三半桥栅极驱动器,能够驱动高侧和低侧N沟道功率MOSFET。该DRV8300UD使用集成的自举二极管和用于高侧MOSFET的外部电容器产生正确的栅极
DRV3255-Q1 三相栅极驱动器技术文档总结
DRV3255-Q1 器件是一款高度集成的三相栅极驱动器,适用于 48V 汽车电机驱动应用。该器件专门设计用于支持大功率电机驱动应用,提供 3.5A
UCC21737-Q1 汽车级SiC/IGBT隔离栅极驱动器技术解析
Texas Instruments UCC21737-Q1单通道栅极驱动器是一款电流隔离式栅极驱动器,设计用于工作电压高达2121V DC的
德州仪器UCC21550-Q1双通道栅极驱动器技术解析
Texas Instruments UCC21550/UCC21550-Q1双通道栅极驱动器是隔离型驱动器,具有可编程死区时间和-40°C至150°C的宽温度范围。这些栅极
Texas Instruments UCC27518低侧栅极驱动器数据手册
Texas Instruments UCC27518低侧栅极驱动器是一款单通道、高速器件,可驱动MOSFET和IGBT电源开关。该驱动器采用可最大限度地减小击穿

选择峰值电流匹配的栅极驱动器
评论