SiO2薄膜的刻蚀机理

本文介绍了SiO2薄膜的刻蚀机理。

干法刻蚀SiO2的化学方程式怎么写？刻蚀的过程是怎么样的？干法刻氧化硅的化学方程式？

如上图，以F系气体刻蚀为例，反应的方程式为： SiO2(s)+ CxFy +Ar(+)>SiF4 (g)+ CO(g) CxFy是来自刻蚀气体（如CF₄、CHF₃）解离产生的氟自由基，用于氧化硅的化学刻蚀。 Ar(+)是被加速的高能离子，起到物理轰击的作用。 SiF4 ：四氟化硅，气相形式的挥发性产物。 CO：一氧化碳，副产物。 红色箭头代表离子轰击，高能离子轰击表面，破坏SiO₂分子的键，为自由基提供更多反应位点，同时起到“方向性”作用，使刻蚀更具各向异性。 绿色箭头代表氟自由基，即CxFy。Ar离子轰击与化学刻蚀的结合，才能显著提高刻蚀速率。单一的物理或化学机制均不足以实现高效刻蚀。 离子与中性粒子比值对反应速率的影响

如上图： 中性粒子（自由基）浓度：Ar（+）浓度：当比值较低时，刻蚀速率主要受自由基的浓度限制。在高比值时，Ar离子轰击成为限制因素，刻蚀速率趋于饱和。