新品 | CoolSiC™ MOSFET M1H共源配置62mm模块
新品
CoolSiC MOSFET M1H
共源配置62mm模块
英飞凌推出1200V和2000V CoolSiC MOSFET 62mm半桥模块， 结合M1H芯片技术，推出共源配置版本
产品型号：
■FF1MR12KM1H
■FF3MR12KM1H
■FF5MR20KM1H
产品特性
可靠的集成体二极管，提升热性能
极高的耐湿性
卓越的栅极氧化物可靠性
高宇宙射线耐受强度
应用价值
恶劣工况下性能优化
更低电压过冲
最小化导通损耗
高速开关且损耗极低
对称的模块设计
成熟的模块制造技术确保高可靠性
规模化62mm产线
竞争优势
共源配置
最低导通电阻RDS(on)
最高栅极阈值电压VGS(th)
应用领域
储能系统
电动汽车充电
光伏
固态断路器
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
芯片
+关注
关注
463文章
54440浏览量
469414 -
MOSFET
+关注
关注
151文章
10813浏览量
234967 -
SiC
+关注
关注
32文章
3865浏览量
70125
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
62mm半桥SiC模块设计固态变压器 (SST) DAB的工程落地
倾佳杨茜-固变方案：62mm半桥SiC模块设计固态变压器 (SST) DAB的工程落地 基本半导体 1200V/540A 碳化硅半桥模块 (BMF540R12KHA3) 与 青铜剑双通道隔离驱动器
基于62mm封装SiC模块及驱动的固变SST PEBB的硬件配置
倾佳杨茜-死磕固变：基于62mm封装SiC模块及驱动的固变SST PEBB的硬件配置 采用 基本半导体 1200V/540A 碳化硅半桥模块（BMF540R12KHA3）配合青铜剑专为
62mm SiC半桥模块与双通道SiC驱动板设计固态变压器（SST）功率单元
62mm SiC半桥模块与双通道SiC驱动板设计固态变压器（SST）功率单元
新品 | CoolSiC™ 碳化硅MOSFET M1H EasyDUAL™ 1200V
新品CoolSiC碳化硅MOSFETM1HEasyDUAL1200VEasyDUAL2BCoolSiCMOSFET半桥模块通过AQG324认证，采用PressFIT引脚和预涂导热界面材
探索IMYR140R008M2H CoolSiC™ 1400 V SiC MOSFET G2：高性能与多功能的完美结合
探索IMYR140R008M2H CoolSiC™ 1400 V SiC MOSFET G2：高性能与多功能的完美结合 在电子工程领域，功率半导体器件的性能直接影响着整个系统的效率和可靠性。今天
BSRD-2503驱动板解锁62mm SiC碳化硅MOSFET功率模块的极致性能
解决方案伙伴，隆重推出BASIC Semiconductor BSRD-2503-ES01双通道驱动板——专为62mm SiC MOSFET模块设计的性能引擎，助力客户攻克高压、高频应用的技术壁垒。
基本半导体1200V工业级碳化硅MOSFET半桥模块Pcore 2系列介绍
基本半导体推出62mm封装的1200V工业级碳化硅MOSFET半桥模块，产品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技术，在保持传统62mm封装尺寸
62mm封装SiC MOSFET模块在多领域应用场景中的技术优势与市场价值分析
倾佳电子62mm封装SiC MOSFET模块在多领域应用场景中的技术优势与市场价值分析 倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中国工业电源
62mm SiC MOSFET功率模块：电力电子应用中全面取代IGBT模块的深度分析报告
62mm封装作为高功率工业应用中的一个长期标准，其历史渊源深植于IGBT技术。这一通用且坚固的封装平台，长期以来一直是工业变流器、UPS、电机驱动和辅助牵引等领域的核心组件。然而，随着对更高
CoolSiC™ 2000V SiC 沟槽栅MOSFET定义新能源应用中功率密度增强的新基准
加大的爬电距离和电气间隙，使用.XT焊接芯片技术。芯片同时用于62mm封装的半桥模块和EasyPACK3B封装的升压模块。这些产品的性能提高了系统功率密度，可靠性和效
基于62mm碳化硅（SiC）模块的大功率双向DC-DC隔离电源
倾佳电子代理的基本半导体62mm碳化硅（SiC）模块，可以设计一个大功率双向DC-DC隔离电源。这两种模块都属于半桥模块，非常适合用于双向DC-DC变换器，特别是针对高频开关应用和高功
倾佳电子力荐：BASiC 62mm封装BMF540R12KA3 SiC MOSFET模块 —— 重新定义高功率密度与效率的边
倾佳电子力荐：BASiC 62mm封装半桥BMF540R12KA3 SiC MOSFET模块 —— 重新定义高功率密度与效率的边界 关键词：1200V/540A、2.5mΩ超低导通电阻
新品 | 英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块
新品英飞凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模块英飞凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSFET半桥模块，增强型
新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC™ 2kV SiC MOSFET模块
新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模块英飞凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ半桥和三电平
评论