NP9P03G 30V p通道增强模式MOSFET
描述
NP9P03G采用了先进的沟槽技术
设计为低栅极提供优良的RDS(ON)
电荷。它可以用于各种各样的
应用程序。
一般特征
VDS = -30v, id = -30a
RDS(上)(Typ) = 12.5Ω@VGS = -10 v
RDS(上)(Typ) = 18米Ω@VGS = -4.5 v
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面安装包
应用程序
负荷开关
包
- 252 - 2 - l
订购信息
绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)
电特性(除非另有说明，TA=25℃)
注:1:脉冲测试;脉冲宽度≦300ns，占空比≦2%。
2:设计保证，不经生产检验。
热特性
审核编辑 黄昊宇
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