NP3417BEMR 20V p通道增强模式MOSFET
描述
NP3417BEMR采用了先进的沟槽技术
提供优良的RDS(ON)，低栅极充电和操作
栅极电压低至1.8V。这个装置很合适
用于负载开关或PWM应用。
一般特征
VDS = -20v, id = -3a
RDS(上)(Typ) = 51.8Ω@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 72.7Ω@VGS = -2.5 v
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面安装包
ESD额定电压:2500V HBM
应用程序
PWM程序
负荷开关
包
SOT-23-3L
订购信息
绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)
电特性(除非另有说明，TA=25℃)
热特性
审核编辑 黄昊宇
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