选型手册：VS6808DH 共漏极双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS6808DH是一款面向 20V 低压场景的共漏极双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET，支持 2.0V 逻辑电平控制，采用 SOT23-6L 封装，适配小型化低压双路电源的负载开关、电源通路控制等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：共漏极双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：20V，适配双路低压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，单通道）：\(V_{GS}=4.5V\)时 20mΩ、\(V_{GS}=2.5V\)时 26mΩ，适配低逻辑电平驱动；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)，单通道，\(V_{GS}=4.5V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)时 4A、\(T=100^\circ\text{C}\)时 2A，满足双路小型负载的电流需求；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)，单通道）：24A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可应对瞬时小电流冲击。

二、核心特性

• 共漏极双通道 + 2V 逻辑控制：单芯片集成 2 路共漏极 N 沟道 MOSFET，支持 2.0V 低逻辑电平驱动，简化双路低压电路设计；
• ESD 防护：具备 HBM 1.2kV 的 ESD 防护能力，提升电路抗干扰性；
• 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，单通道，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	20	V
二极管连续正向电流	\(I_S\)	4	A
连续漏极电流（\(V_{GS}=4.5V\)）	\(I_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 4；\(T=100^\circ\text{C}\): 2	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	24	A
最大功耗	\(P_D\)	1.25	W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+150	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：SOT23-6L 表面贴装封装，包装规格为 3000pcs / 卷，适配超小型双路电路板设计；
• 典型应用：
  • 20V 级低压小型设备的双路负载开关；
  • 消费电子（如智能穿戴、小型家电）的双路电源通路控制；
  • 物联网小型终端的双路低压电源管理模块。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版手册为准。）