3月16日日本东北地区发生地震,根据东芝电子元件及存储装置株式会社17日发布的公告称,已确认所有员工安全。
东芝电子元件及存储装置株式会社对3月16日日本东北地区近海发生的大地震做出反应,在其位于日本川崎的总部设立了应急工作组。我们首先关心的是我们员工及其家人的安全,除此之外,还有受影响地区当地社区的福祉。我们还在评估我们的生产设施受到的损坏,并尽快提供最新信息。
截至今天17:00,地震造成的影响和状况如下。
东芝集团公司在日本东北地区的设施状况
1. Japan Semiconductor Inc. Headquarters and Iwate Operations(日本岩手县北上市,半导体生产)
已确认所有员工安全,我们在地震发生后立即停止了运营,并一直在评估生产线的状况。目前未发现熔凝石英等设备有明显损坏,我们预计今晚将恢复部分生产。我们将在生产线状态评估完成后决定何时恢复全面生产。
东芝官网
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
东芝
+关注
关注
6文章
1322浏览量
120410
发布评论请先 登录
相关推荐
东芝推出带有嵌入式微控制器(MCU)的SmartMCD™系列栅极驱动IC
2024年3月28日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,开始批量出货带有嵌入式微控制器(MCU)的SmartMCD™系列
东芝推出一种适用于电机控制的Arm® Cortex®-M4微控制器
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,采用Cortex®-M4内核并搭载FPU的TXZ+™族高级系列32位微控制器的M4K组新
东芝推出新一代高速二极管型功率MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社(以下简称“东芝”)近日宣布,其最新研发的DTMOSVI系列高速二极管型功率MOSFET已正式推出。该系列产品
东芝在日本新建功率半导体后端生产设施,预计2025年春季投产
近日,东芝电子元件及存储装置株式会社(以下简称“东芝”)宣布,位于日本西部兵库县姬路市的半导体工
罗彻斯特电子拓宽东芝解决方案
罗彻斯特电子继续与东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporat
东芝推出30V N沟道共漏极MOSFET适用于电池组保护
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET,适用于带有USB
东芝推出TXZ+™族高级系列ARM®Cortex®-M3微控制器
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,在其搭载32位微控制器产品组“TXZ+族高级系列”①的“M3H组”②中新推出“M3H组(
发表于 06-27 10:07
•261次阅读
超级结结构的600V N沟道功率MOSFET助力提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1,进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列
发表于 06-16 09:03
•240次阅读
东芝推出检测电子设备温升的简单解决方案Thermoflagger™
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出过温检测IC Thermoflagger系列的首两款产品:“TCTH021BE”,当
评论