芯片增加CP测试之后需要重新评估么

Q1

请教一下各位大侠，一般芯片增加CP测试之后，可靠性需要重新评估么？评估哪些内容？

一般是这样子，大公司CP都要评估的，如果是新process，那CP部门要做DOE，防止die crack等，但是如果是已经released的，连DOE也不用做。可靠性就更不必谈了，除非是发生了问题，并且确认是CP引起的，可能需要讨论做一些可靠性与FA。

Q2

谁有jesd22-a104e这个版本的标准，可以分享下吗？

Q3

有人知道IMC层怎么观察吗？行业内有规范吗？季丰对IMC有没有相关的DPA标准？

WB站会用显微镜和软件染色来看面积，可靠性后我们会做下Cross-section看IMC生长

Q4

各位大佬，有没有扫分层的SAT资料分享一下呀？

超声波扫描显微镜Sonoscan D9650，

老炼前后的对比照片，老炼后焊球的压痕还算正常吗？

如果目的是筛选的就会出货一般都是100%，目的是寿命的不出货一般是samples。

Q6

什么是老炼？

国军标叫老炼，就是寿命实验的意思，就是加应力加速失效的过程。比如THB，ELFR，HTSL，TC，HTOL，……

Q7

请问大家，WLCSP的 solder ball 下有passivation crack的问题，调整什么参数会有明显改善，例如可以通过更高次数的TC， solder ball 本身没有问题，这个是WLCSP封装，有RDL的。

加underfill一般会有帮助，但也不是所以情况都可以加。UF分CUF和MUF，CUF在很多位置没有solder ball的情况下，即有大面积空位的情况下UF材料毛细效应弱，流不过去，会有空洞，这样加UF适得其反；MUF要看这颗IC周围是不是适合做molding，周围的器件要不要一起mold起来，有些时候限制太多MUF就不可能了，即使可以做MUF，你也要开模具，增加一道工序，甚至要做热仿真。passivation crack 的话最好有crack位置的照片和量测数据，还有repassivation的材料和厚度，它下面RDL trace处的台阶高度，RDL trace宽度和间距等，这些信息可以帮助判断原因和提改进方法。其实这些都有design rule，逐一排查一下吧

Q8

咨询一下，对于消费类电子，一般会做哪些可靠性项目？

IC类：

pkg-qual:precon， HTSL， TC， uHAST， bHAST，

product-qual:ESD（IBM.CDM）， LU， HTOL

可以多做，不少做

Q9

pkg qual与product qual的区别是？

Pkg qual是面向封装，Product Qual是面向产品（芯片本身的设计和工艺）

Q10

那product qual就不需要做precon， HTSL， TC， uHAST， bHAST实验了么？

如果只改了芯片设计，别的都没动，可以不做。

Q11

再咨询一下，这些rule适用于所有消费类IC产品嘛？比如IC+MOS，这样的ACDC产品，是否也适用于该可靠性rule？

一般性适用，实际分具体情况。比如，如果是NVM往往要看data retention之类。

Q12

1000hrs，1000cycles，这些时间或者周期可以缩短嘛？

可以啊，等效时间不同。大致意思是，可靠性实验是以加压的方式模拟自然（典型）时间条件，加速时间和典型时间会有个换算关系，比如你看到的1000hrs等效为10年，而你的产品不必保那么久，自然可以少做点。

Q13

各位大神，请教下，中测trim过的，到成品测试恢复到熔丝前了，这一般有哪些情况？trim过有烧断痕迹的，开盖后探针测试没有阻值，没有熔断。

建议先看看成品熔丝恢复的情况再做推断，通常现象是成品熔丝有细微裂缝，但是连通电路，这就可能是wt熔断的冗余度不够，在封装时受到挤压连上了，再去看wafer的熔断情况，仅供参考。

Q14

请教诸位个问题啊，汽车电子AECQ100中的常温、高温、低温FT测试，业界一般都怎么做呀？如果用热流罩的话，测试效率太低了，有没有啥别的好的办法呢？

三温handler，可以编程设计。

Q15

请教各位大佬， 固态硬盘BGA颗粒和PCB焊接有很多气泡，影响和主要改善方向有哪些？（怀疑是baseline问题）

我们出现过类似的问题，问题原因是：Flux没按固定存放。

Q16

咨询一个问题，工业上的IC，一般MSL是要求几的？

伺服驱动器上用的IC是MSL2或MSL1，分立器件用的都是MSL1。

Q17

请问一下，在做HBM时，芯片的测试条件是所有管脚都需要上1.1倍的设计工作电压呢，还是按照设计时使用的ESD管子的最大电压来做？

HBM芯片不用上电的，latch up电源管脚才说上电的，IO管脚是电流。

原文标题：季丰电子IC运营工程技术知乎 – 21W50

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审核编辑：彭菁