0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

中芯国际N+1、N+2代工艺公布:性能提升20%,功耗降低57%

牵手一起梦 来源:快科技 作者:宪瑞 2020-03-22 09:56 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

3月2日报道称国内最大的晶圆代工厂中芯国际表示,疫情期间公司生产经营正常,产能利用率100%,在京员工零感染。

中芯国际资深副总裁张昕表示,前期产业链上游企业供货和服务产生延迟,在各级政府的大力帮助和协调下,已经得到了基本解决,当前,中芯国际北京厂按照员工不同情况,分类管理,鼓励员工在疫情期间尽量轮休轮班、远程办公,必要人员返岗以保障生产,目前生产正常。

中芯国际在北京建有一座300mm晶圆厂和一座控股的300mm先进制程晶圆厂,在上海建有一座300mm晶圆厂和一座200mm晶圆厂,以及一座控股的300mm先进制程晶圆厂在建设中;在天津和深圳各建有一座200mm晶圆厂;在江阴有一座控股的300mm凸块加工合资厂。

根据墣产业研究院发布的2020年Q1季度全球晶圆代工市场报告,中芯国际预计Q1季度营收8.48亿美元,位列全球第五,同比增长26.8%,市场份额4.5%。

不过与第一名的台积电Q1季度营收102亿美元的预期相比,国内的晶圆代工企业还有很大的差距,市场份额差了10倍多。

此外,中芯国际在14nm之后的先进工艺上还在加速追赶,2月份的财报会议上,中芯国际联席CEO梁孟松博士也首次公开了N+1、N+2代工艺的情况。

他说N+1工艺和14nm相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,逻辑面积缩小了63%,SoC面积减少了55%。

N+1之后还会有N+2,这两种工艺在功耗上表现差不多,区别在于 性能及成本,N+2显然是面向高性能的,成本也会增加。

责任编辑:gt

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 台积电
    +关注

    关注

    44

    文章

    5788

    浏览量

    174897
  • 晶圆
    +关注

    关注

    53

    文章

    5352

    浏览量

    131773
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    三星公布首批2纳米芯片性能数据

    三星公布了即将推出的首2nm芯片性能数据;据悉,2nm工艺采用的是全栅极环绕(GAA)晶体管技
    的头像 发表于 11-19 15:34 1054次阅读

    HGK075N10L加湿器MOS管应用方案 TO-252 100V15A

    加持:优化开关性能与可靠性 HGK075N10L 采用的 SGT(屏蔽栅沟槽)工艺是对传统沟槽 MOSFET 的改良技术,其结构设计直接强化了器件的核心性能,具体优势如下:
    发表于 11-17 14:04

    Toshiba推出采用最新一代工艺技术[1]的100V N沟道功率MOSFET,以提升工业设备开关电源效率

    Toshiba推出了“TPH2R70AR5”——一款采用Toshiba最新一代工艺U-MOS11-H[1]制造的100V N沟道功率MOSFET。该MOSFET的目标应用包括数据中心和
    的头像 发表于 09-28 15:17 438次阅读

    国际 7 纳米工艺突破:代工龙头的技术跃迁与拓能半导体的封装革命

      一、国际:从工艺追赶者到生态构建者 2025 年 8 月 2 日,
    的头像 发表于 08-04 15:22 1.1w次阅读

    苹果A20芯片的深度解读

    以下是基于最新行业爆料对苹果A20芯片的深度解读,综合技术革新、性能提升及行业影响三大维度分析: 一、核心技术创新 ​ ​ 制程工艺突破 ​ ​ 全球首款
    的头像 发表于 06-06 09:32 2693次阅读

    20A TO252 -2L 20N10D N沟道增强型MOSFET规格书

    电子发烧友网站提供《20A TO252 -2L 20N10D N沟道增强型MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
    发表于 05-14 16:42 0次下载

    ZSKY-20N03D-20ATO252-2L N沟道增强型MOSFET规格书

    电子发烧友网站提供《ZSKY-20N03D-20ATO252-2L N沟道增强型MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
    发表于 05-13 18:24 0次下载

    DA20-220S24G2N4 DA20-220S24G2N4

    电子发烧友网为你提供AIPULNION(AIPULNION)DA20-220S24G2N4相关产品参数、数据手册,更有DA20-220S24G2N4的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料,DA20-220S24G2N4真
    发表于 03-24 18:56
    DA<b class='flag-5'>20-220S24G2N</b>4 DA<b class='flag-5'>20-220S24G2N</b>4

    BK20-600D24H1N4 BK20-600D24H1N4

    电子发烧友网为你提供AIPULNION(AIPULNION)BK20-600D24H1N4相关产品参数、数据手册,更有BK20-600D24H1N4的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料,BK20-600D24H1N4真
    发表于 03-24 18:40
    BK<b class='flag-5'>20-600D24H1N</b>4 BK<b class='flag-5'>20-600D24H1N</b>4

    BK20-600S24H1N4 BK20-600S24H1N4

    电子发烧友网为你提供AIPULNION(AIPULNION)BK20-600S24H1N4相关产品参数、数据手册,更有BK20-600S24H1N4的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料,BK20-600S24H1N4真
    发表于 03-24 18:40
    BK<b class='flag-5'>20-600S24H1N</b>4 BK<b class='flag-5'>20-600S24H1N</b>4

    采用双核Arm Cortex-A57 CPU的超高性能微处理器RZ/G2N数据手册

    RZ/G2N凭借双核 Arm® Cortex®-A57(1.5GHz)处理器,具备更高规格的处理性能,同时拥有 3D 图形处理能力以及 4K 视频编码/ 解码功能。作为该产品的软件平台,瑞萨电子提供
    的头像 发表于 03-10 17:05 999次阅读
    采用双核Arm Cortex-A<b class='flag-5'>57</b> CPU的超高<b class='flag-5'>性能</b>微处理器RZ/G<b class='flag-5'>2N</b>数据手册

    苹果M5芯片量产,采用台积电N3P制程工艺

    工艺——N3P。与前代工艺相比,N3P在性能上实现了约5%的提升,同时在
    的头像 发表于 02-06 14:17 1273次阅读

    台积电2纳米制程技术细节公布性能功耗提升

    在近日于旧金山举行的IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,全球领先的晶圆代工企业台积电揭晓了其备受期待的2纳米(N2)制程技术的详细规格。 据台积电介绍,相较于前代制程技术,
    的头像 发表于 12-19 10:28 1224次阅读

    台积电2nm制成细节公布性能提升15%,功耗降低35%

    12月17日消息,在于旧金山举行的 IEEE 国际电子器件会议 (IEDM) 上,全球晶圆代工巨头台积电公布了其备受瞩目的2纳米(N2)制程
    的头像 发表于 12-18 16:15 1242次阅读

    台积电2纳米制程技术细节公布

    近日,在旧金山举办的IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,全球领先的晶圆代工企业台积电揭示了其备受期待的2纳米(N2)制程技术的详尽信息。 据悉,相较于前代制程技术,台积电
    的头像 发表于 12-18 10:35 1239次阅读