Onsemi BSR57 N-Channel JFET：低功耗、高性能的选择

在电子设计领域，对于低功耗、高性能的追求从未停止。Onsemi的BSR57 N - Channel JFET（结型场效应晶体管）就是一款值得关注的器件，它专为低功耗斩波或开关应用而设计，接下来让我们深入了解一下。

文件下载：BSR57-D.PDF

器件概述

BSR57采用SOT - 23 - 3/5（无铅）封装，引脚定义为1脚是漏极（Drain），2脚是源极（Source），3脚是栅极（Gate），属于CASE 318−08 SOT−23 STYLE 10类型。它基于51工艺制造，适用于低功耗的应用场景。

绝对最大额定值

在使用任何电子器件时，了解其绝对最大额定值至关重要，这能确保器件在安全的工作范围内运行，避免损坏。以下是BSR57在 $T_{C}=25^{circ} C$（除非另有说明）时的绝对最大额定值：	参数	符号	值	单位
漏极 - 栅极电压	$V_{DGO}$	40	V
栅极 - 源极电压	$V_{GSO}$	-40	V
正向栅极电流	$I_{GF}$	50	mA
总功率耗散（环境温度 $T_{amb}$ 最高40 °C）	$P_{tot}$	250	mW
存储温度范围	$T_{STG}$	-55 到 +150	°C
结温	$T_{J}$	150	°C

需要注意的是，如果超过这些最大额定值，可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

订购信息

对于工程师来说，了解器件的订购信息也很重要。BSR57的订购信息如下：	器件	封装	运输方式
BSR57	SOT−23−3/5（无铅）	3000 / 卷带包装

如果需要了解卷带规格，包括部件方向和卷带尺寸等信息，可以参考Onsemi的卷带包装规格手册BRD8011/D。

电气特性

电气特性是评估器件性能的关键。以下是BSR57在 $T_{C}=25^{circ} C$（除非另有说明）时的电气特性：	符号	参数	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
$BV_{GSS}$	栅极 - 源极电压	$V{DS}=0 V, I{C}=1.0 mu A$	40			V
$I_{GSS}$	栅极反向电流	$V{GS} = 20 V, V{DS} = 0 V$			1.0	nA
$I_{DSS}$	零栅极电压漏极电流	$V{DS}=15V,V{GS}=0V$	20		100	mA
$V_{GS(off)}$	栅极 - 源极截止电压	$V{DS}=15 V, I{D}=0.5 nA$	2.0		6.0	V
$V_{DS(on)}$	漏极 - 源极导通电压	$V{GS} = 0 V, I{D}=10 mA$			0.5	V
$r_{ds(on)}$	漏极 - 源极导通电阻	$V{GS}=0 V, I{D}=1 mA$			40	$Omega$
$C_{rss}$	反向传输电容	$V{DS}=0 V, V{GS}=10 V$			5.0	pF
$t_{d}$	延迟时间	$V{DD}=10V,V{GS(on)}=0V$ $I{D}=10 mA, V{GS}( off )=6.0 V$			6.0	ns
$t_{r}$	上升时间			4.0	ns
$t_{off}$	关断时间			50	ns

不过要注意，产品的参数性能是在所列测试条件下的电气特性指示，如果在不同条件下运行，产品性能可能无法通过这些电气特性体现。

其他注意事项

Onsemi提醒用户，公司保留随时对产品或信息进行更改的权利，且不另行通知。文档中的信息是“按原样”提供的，Onsemi不保证信息的准确性、产品特性、可用性、功能性或产品对任何特定用途的适用性，也不承担因产品或电路的应用或使用而产生的任何责任。

此外，Onsemi产品不设计、不打算也未获授权用于生命支持系统、FDA 3类医疗设备或在外国司法管辖区具有相同或类似分类的医疗设备，以及任何打算植入人体的设备。如果买家将Onsemi产品用于此类非预期或未经授权的应用，买家应承担相关责任。

在设计过程中，工程师们是否考虑过如何根据这些特性来优化电路设计呢？欢迎在评论区分享你的想法。

技术资料与支持

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