国内的DRAM发展前景严峻，紫光国微将2.2亿转让DRAM业务

10月11日晚间，紫光国芯微电子股份有限公司发布公告，将转让公司旗下专注于DRAM存储器芯片设计研发的西安紫光国芯半导体有限公司（以下简称“西安紫光国芯”）给紫光集团下属全资子公司北京紫光存储科技有限公司（以下简称“紫光存储”）。

按照公告的说法，过去几年里，西安紫光国芯为保持和跟进 DRAM 存储器芯片设计领域的先进技术，持续加大产品开发投入，但受下游制造代工产能等方面的限制，短期内无法达到规模经济，经营压力加大，资产负债率不断提高，已影响到其正常持续经营，给上市公司带来了一定的资金和业绩压力，其自身后续的研发投入也面临很大困难。

鉴于上述原因，结合公司间接控股股东紫光集团有限公司（以下简称“紫光集团”）在存储器领域的总体战略布局，为充分发挥西安紫光国芯在存储器芯片设计领域的技术、产品、市场方面的优势和价值，增强存储器方向的协同作用，同时保障其持续发展对资金的需求，公司拟将西安紫光国芯 100％股权以 22，009 万元人民币转让给紫光集团下属全资子公司北京紫光存储科技有限公司（以下简称“紫光存储”）。上述股权转让完成后，公司将不再持有西安紫光国芯股权。

紫光国芯微电子股份有限公司（以下简称“本公司”或“公司”）系 2001 年 8 月 17 日经河北省人民政府以冀股办（2001）88 号文批准，由唐山晶源裕丰电子有限公司整体变更而成的股份有限公司。

公司属于电子元器件制造业，主营业务为集成电路设计、开发、销售与技术服务；高亮度发光二级管（LED）衬底材料开发、生产、销售；生产和销售压电石英晶体器件；经营本公司自产产品和技术的出口业务；经营本公司生产、科研所需的原辅材料、仪器仪表、机器设备、零配件及技术的进口业务（国家限定公司经营和禁止进出口的商品除外）；经营进料加工和“三来一补”业务。

公司旗下共有紫光同芯微电子有限公司、深圳市国微电子有限公司、西安紫光国芯半导体有限公司、深圳市紫光同创电子有限公司、 唐山国芯晶源电子有限公司和无锡紫光微电子有限公司等公司。这次出让的西安紫光国芯半导体有限公司则是公司旗下从事DRAM研发的企业。公司主营业务包括存储器设计开发及自有品牌存储器产品的销售，并提供相关集成电路的设计、测试服务，目前的主要产品为 DRAM存储器芯片和模组。

公司今年一月在互动平台上回答投资者问题，针对投资者关于公司DDR4存储器芯片相比DDR3优势的询问回复说：“DDR4与DDR3相比，单条容量有很大提高，可以实现较高的容量。另外，频率和带宽都有明显提高。工艺的提高也会降低工作电压，有利于更低的功耗。

同时，关于公司在国内业界、排名情况，紫光国芯介绍，公司的DRAM芯片设计技术处于世界先进水平，国内稀缺，但目前产品产量很小，市场份额不大。”

至于公司的营收水平，根据公告显示，在2017年，紫光国芯收入3．428亿人民币，亏损1200多万。而在今年前七个月，公司营取得了3．273亿元的收入，亏损了接近六百万。

紫光国微的独立董事表示：“公司将全资子公司西安紫光国芯半导体有限公司（以下简称“西安紫光国芯”）100％股权转让给紫光集团下属全资子公司北京紫光存储科技有限公司的关联交易事项，属于公司对现有业务的调整，有利于减轻上市公司资金投入压力，改善财务状况，提升盈利能力，符合公司发展战略；同时，可以保障西安紫光国芯的资金需求，促进其研发项目的顺利推进及业务的健康发展。”

北京紫光存储是紫光旗下专门从事存储业务的企业，这次接受了紫光国芯的DRAM业务，能够集中精力的开拓国内的存储业务。而紫光国微剥离DRAM，也能够更加专注于安全芯片领域。这样对双方都比较有利，能够避免未来可能存在的竞争，战略上能统一到一起。

紫光集团今年内在持续加码存储业务。作为本次资产接盘方，紫光存储去年成立，今年8月份携旗下8个系列的存储产品首次亮相位于美国的2018年闪存峰会。当时，紫光存储CEO任奇伟表示，紫光存储经过短短一年的发展，在客户需求、产品规划、研发、验证、生产等各个方面逐步完善，并成功推出闪存产品。

另外，长江存储8月公开发布了全新3D NAND架构XtackingTM。据介绍，该技术将为3D NAND闪存提高I／O高性能、存储密度，缩短产品上市周期。目前长江存储已将该技术应用于到第二代3D NAND产品的开发，预计2019年进入量产阶段。

但我们也应该看到，无论是对紫光存储还是紫光国芯来说，在DRAM上面的推荐依然严峻。

和NAND Flash一样，国内的DRAM之前也近乎一片空白，目前虽然有合肥长鑫、晋华集成和紫光在这方年投入。但可以看到，三星、美光和海力士已经占据了全球96％的DRAM芯片市场份额。在技术方面，也同样走在前面。

资料显示，以上三家厂商的DRAM已经进入了1X时代。但这些工艺已经推进非常困难。按照DIGITIMES顾问林育中的说法，目前的制程是1y，有EUV的助力，也许可以推进到1z，但是1a呢？很多人持疑。即使可以，也是投资甚巨、所得什微的最后努力。而根据Pacific Crest Securities的资料显示，要实现先进技术的DRAM工艺每月10000wafer的产量，需要投入6亿美元的成本。而同等工艺的NAND只需要4．5亿美元。

再考虑到三星、SK海力士和美光有可能依靠DRAM市场的影响力，对国内厂商围追堵截。再加上技术授权方面的问题，国内的DRAM发展前景严峻。