紫光集团:组建DRAM事业群,全力加速发展国产内存

6月30日晚间，紫光集团发布公告称，决定组建紫光集团DRAM事业群，全力加速发展国产内存。根据通知，紫光集团将委任刁石京为紫光集团DRAM事业群董事长，委任高启全为紫光集团DRAM事业群CEO。

资料显示，刁石京曾任工信部电子信息司司长，工信部电子信息司是中国集成电路产业的具体主管司局，刁石京是一位专家型官员，早年毕业于清华大学，长期在工信部电子信息司工作，是中国集成电路领域的资深人士。2018年初，刁石京加入紫光集团，协助紫光集团董事长赵伟国分管集成电路业务，目前还担任紫光国微（SZ：002049）的董事长和紫光展锐的执行董事长，也是紫光集团旗下长江存储的执行董事。

高启全有“***存储教父”之称，曾在Intel工作，还曾在韩国及日本当顾问，曾任现代电子（海力士前身）DRAM顾问。他早年追随张忠谋回***，加入台积电任一厂厂长，后创办旺宏电子，还曾任***DRAM公司南亚科总经理和华亚科董事长，是华人在全球DRAM界最资深的人士。2015年，高启全受紫光集团董事长赵伟国之邀，北上加入紫光集团，出任紫光集团全球执行副总裁；2016年长江存储成立后，担任长江存储的执行董事、代行董事长。

据知情人透露，紫光集团早在2015年即开始布局DRAM，延揽高启全加入紫光集团就是布局的开始，在高启全加入紫光集团的同时，紫光国微（原名同方国芯）收购了任奇伟团队所创办的公司（现在的西安紫光国芯），任奇伟团队的前身是奇梦达公司的西安研发中心，任奇伟团队一直从事DRAM的研发工作，目前团队人数约500人，从紫光国微的年报披露情况看，该团队的DRAM产品销售收入每年约在5~6亿人民币之间，其产品自行设计，在境外代工。2015年，紫光集团还试图通过收购美光进入DRAM和3D NAND领域，但收购美光受到美国政府的阻击，未能如愿以偿。

不过，目前全球的存储芯片三巨头，三星、海力士、美光，都是既做DRAM又做3D NAND。据知情人透露，紫光集团在收购美光遇阻后，原计划通过自行研发先进入DRAM领域，然后再进入3D NAND，但在国家集成电路产业基金的协调下，紫光和湖北省、武汉市合作，与国家集成电路产业基金一起，在武汉新芯的基础上，组建了长江存储，制定了先三维闪存，后DRAM的战略，同时布局DRAM的研发，积蓄DRAM的工艺人才。

据知情人透露，紫光集团借助长江存储和武汉新芯的平台，聚集了大量的3D NAND和DRAM的工艺研发人员，工艺研发人员人数近2000人。目前长江存储和武汉新芯的员工人数近6000人。

据了解，目前长江存储的32层3D NAND已经量产，并且即将于今年年底量产的64层Xtacking 3D NAND，其存储密度仅比竞品96层的3D NAND低10~20%。而下一代，长江存储将直接跳过96层堆叠，直接进入128层堆叠的研发。

从紫光集团旗下长江存储的3D NAND闪存的研发和生产来看，紫光集团走的是公开式的自主研发路径，没有人质疑其知识产权问题，这主要是因为NAND闪存技术正从2D走向3D这也使得其得以有弯道超车的可能。

相比之下目前DRAM技术已经是相当成熟，想要绕过国外DRAM巨头的技术并不容易。

所幸的是，2009年破产的德国DRAM厂商奇梦达，其西安研发中心当时已经被西安华芯（原浪潮集团旗下公司，今天的紫光国芯）收购。这也为紫光的DRAM的研发奠定了基础（此前，长鑫存储公开其DRAM技术来源也是奇梦达，因此外界认为是紫光与长鑫存储共享了该技术），同时也能够避免一些专利问题。

但是，需要指出的是，奇梦达此前所采用的是DRAM技术是深沟槽式（Trench），而目前主流的技术路线是堆栈式（Stack）。在沟槽式DRAM的制造中，必须先在基板蚀刻出沟槽，然后在沟槽中沉积出介电层，以形成电容器，然后在电容器上方再制造出栅极，构成完整的DRAM Cell。这种工艺最大的技术挑战有二，一是随着线宽越来越细，沟槽的宽深比跟着增加，如何蚀刻出这种沟槽，是相当大的技术挑战。其次，在进行沉积工艺时，由于沟槽的开口越来越细，要在沟槽里面沉积足够的介电材料，形成容值够高的电容器，也越来越难。相较之下，堆栈式DRAM则没有上述问题。

如果紫光DRAM继续沿着奇梦达的技术路径向前推进的话，显然将会非常的艰难，但是如果走堆栈式技术路径的话，可能又将遭遇国外DRAM厂商的专利围堵，那么在奇梦达技术的基础上，紫光是否能够通过自主研发，走出新的路径呢？我们拭目以待。