中囯三大存储器厂，长江存储、晋华及合肥长鑫都已进入试产阶段，并计划2019年实现量产。这是中囯半导体业的一场存储器突围战，是零的突破。为了迎接专利战，必须学习上海中微半导体，从公司成立起就聘用美国律师，准备好一切材料准备好打专利战，并且不要抱有幻想，这一仗是不可避免的。
2018-06-19 09:27:03
3903 硫系化合物随机存储器，简称C-RAM。C-RAM单元结构是下电极/相变材料/上电极，其中相变材料是硫系化合物存储介质.
2012-04-27 11:05:091098 
PROM，称之为可编程存储器。这就象我们的练习本，买来的时候是空白的，能写东西上去，可一旦写上去，就擦不掉了，所以它只能用写一次，要是写错了，就报销了。
EPROM，称之为紫外线擦除
2010-11-04 18:15:42
PROM，称之为可编程存储器。这就象我们的练习本，买来的时候是空白的，能写东西上去，可一旦写上去，就擦不掉了，所以它只能用写一次，要是写错了，就报销了。
EPROM，称之为紫外线擦除
2010-11-01 13:14:23
概述：ST24C16是意法半导体公司（STMicroelectronics）出品的一款支持I2C总线协议的16kbit EEPROM存储器，其具备100万次可擦写、保存40年数据不丢失等特性，...
2021-04-08 07:55:26
1.假定用若干个16Kx1位的存储器芯片组成一个64Kx8位的存储器，芯片内各单元连续编址，则地址BFF0H所在的芯片的最小地址是（C）A.40000H B.60000H C.8000H
2021-07-26 06:45:26
自己看教程学习汇编语言，发现自己写的这段都是错误，有点对自己能不能学好产生怀疑。万事开头难，晒出来自勉！第一次发帖，第一次自己思考编程。望见谅MOV DPTR 2000H ‘片外数据存储器不能直接
2015-09-27 05:51:40
目前高级应用要求新的存储器技术能力出现。随着电子系统需要更多的代码和数据，所导致的结果就是对存储器的需求永不停歇。相变存储器(PCM)以创新的关键技术特色满足了目前电子系统的需要。针对电子系统的重点
2018-05-17 09:45:35
汇编语言程序目录一、CPU对存储器的读写二、内存地址空间三、将各类存储器看作一个逻辑器件——统一编址四、内存地址空间的分配方案——以8086PC机为例一、CPU对存储器的读写CPU想要进行数据的读写
2021-12-10 08:04:16
铁电晶体的状态就可以了，而无需进行恢复。但是写操作仍要保留一个“预充”时间，所以总的时间与读操作相同。FRAM的写操作与其它非易失性存储器的写操作相比，速度要快得多，而且功耗小。2.3 FRAM的读写
2014-04-25 13:46:28
问题一：位图都存储在哪了？都在程序存储器里吗问题二：能不能将位图存储到外部内存中？问题三：F429的程序存储器和数据存储器有多大？
2020-05-20 04:37:13
自动流程跑一次需要写一次FLASH操作，那么FLASH很快就会挂掉。原因很简单，因为FLASH的一般寿命都在10万次左右，好点的也就100万次，按照客户要求去计算的话，一年最大可能要写FLASH将近
2020-05-04 05:55:58
概述：FM25640是RAMTRON公司生产的一款64Kb的 FRAM 串行存储器。它具有100亿次的读写次数，掉电数据可保持10年。该器件支持SPI的模式0&3，最大可达到5 MHz的总线速度，结构容量为8192×8位。它采用8脚DIP封装。
2021-05-18 07:15:49
嵌入式系统的海量存储器多采用Flash存储器实现扩展，由于Flash存储器具有有限写入次数的寿命限制，因此对于Flash存储器局部的频繁操作会缩短Flash存储器的使用寿命。如何设计出一个合理
2019-08-16 07:06:12
。手动的高速缓存一致性操作（例如全局或模块回写和/或无效）占用较少的周期即可完成，这就意味着在为共享存储器判优的过程中，实现CorePac 之间或 CorePac 与 DMA 主系统的同步将需要更短
2011-08-13 15:45:42
M451中，FMC控制flash读写，数据可否做到写100万次？要用什么机制？有没有例程？
2023-06-25 08:02:41
的擦除操作，而且写人时间也比闪存少几个数量级。即使是与现有存储器中性能较高的DRAM(读取1写入时间为30ns~50ns)相比，自旋注入MRAM的高性能仍然很突出。此外可擦写次数超过1015次,和DRAM
2023-04-07 16:41:05
有效、连续传送多字节的数据，可以一次最多进行 64 字节（1 页大小）的数据替换。状态寄存器的读／写操作除了不必赋予地址外，其他与存储器的读／写操作相同。当状态寄存器连续进行读操作时，将一个个读出
2018-04-18 10:34:47
大家好，之前玩过51，知道程序存在ROM，数据存在RAM，现在接触STM32，在读STM32F103ZET6的数据手册时看到，BOOTLOADER存在系统存储器，手册上写STM32F103ZET6有
2014-11-26 21:05:35
我遇到很奇葩的需求——STM32外挂铁电存储器，要求：最好SPI接口；最好能满足64Kb容量；擦写次数百万次以上；支持的电压最高不超过5.5V。很奇葩的要求啊，这个可以有么？亲们，推荐下呗！
2014-05-26 10:53:41
STT-MRAM万能存储器芯片
2021-01-06 06:31:10
题目是一个停车场计时系统，用74系列之类的芯片。我们用6116存储器来存地址信号，通过刷卡产生脉冲，经过延时出现两个相邻的脉冲分别代表读和写信号，用来读取存储器中对应车的状态（在不在车库内），再将
2016-07-23 00:01:59
什么是EEPROM存储器？
2021-11-01 07:24:44
ROMEPROMEEPROMFLASH数据保存方法施加电压施加电压+更新不需要读取次数∞∞100亿～1兆次∞∞∞∞可改写次数∞∞0次100次10万～100万次1万～10万次在电路板上的写入可以可以可以××可以可以读取时间
2019-04-21 22:57:08
，还是可以直接重写？
2，其规格书上写的读写寿命10万次，按理解应该是擦写10万次，读的次数应该是没有次数限制的对吗？
3，如果我每次只写一页中的一个字节，那这个字节的擦写次数仍能达到10万次吗？
4
2023-06-25 10:24:18
PROM，称之为可编程存储器。这就象我们的练习本，买来的时候是空白的，能写东西上去，可一旦写上去，就擦不掉了，所以它只能用写一次，要是写错了，就报销了。（现在已经被淘汰）EPROM，称之为紫外线擦除
2021-11-24 09:13:46
上的电荷来存储信息，一旦掉电信息会全部的丢失，由于栅极会漏电，所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷，并且每读出一次数据之后也需要补充电荷，这个就叫动态刷新，所以称其为动态随机存储器
2023-05-19 15:59:37
用写一次，要是写错了，就报销了。（现在已经被淘汰）EPROM，称之为紫外线擦除的可编程只读存储器。它里面的内容写上去之后，如果觉得不满意，能用一种特殊的办法去掉后重写，这就是用紫外线照射，紫外线就象“消
2017-03-25 10:22:51
单片机如何写一段宏来控制外部存储器的访问？
2021-10-29 06:24:53
只能用写一次，要是写错了，就报销了。（现在已经被淘汰）EPROM，称之为紫外线擦除的可编程只读存储器。它里面的内容写上去之后，如果觉得不满意，能用一种特殊的办法去掉后重写，这就是用紫外线照射，紫外线
2018-06-12 10:35:10
据新华社7月2日报道，相变存储器，具有功耗低、写入速度快、断电后保存数据不丢失等优点，被业界称为下一代存储技术的最佳解决方案之一。记者近日从中科院上海微系统所获悉，由该所研发的国际领先的嵌入式相变存储器现已成功应用在打印机领域，并实现千万量级市场化销售，未来中国在该领域有望实现“弯道超车”。
2019-07-16 06:44:43
528字节，依次分为2个256字节的数据区，最后是16字节的备用空间。K9F5608具有以下特点： 以页为单位进行读/写操作，而擦除操作以块为单位，读、写和擦除操作均通过命令完成；不能字节擦除，在每次改写操作之前需要先擦除一整块；出厂时有一定比例的坏块存在；每一块的擦除次数有限，为10万次左右[1]。
2019-06-20 07:25:24
外部数据存储器的扩展一、实验目的二、实验内容三、实验步骤四、C代码如下五、实验结果六、实验体会一、实验目的掌握单片机系统外部存储器电路的扩展方法掌握单片机外部存储器中变量定义和读/写编程熟悉在仿真
2021-12-07 11:24:17
本文介绍了一种0．13微米CMOS T艺下FPGA中嵌入式存储器模块的设计与实现。
2021-04-09 06:02:09
基于传统六晶体管(6T)存储单元的静态RAM存储器块一直是许多嵌入式设计中使用ASIC/SoC实现的开发人员所采用的利器，因为这种存储器结构非常适合主流的CMOS工艺流程，不需要增添任何额外的工艺步骤。那么究竟怎么样，才能实现嵌入式ASIC和SoC的存储器设计呢？
2019-08-02 06:49:22
如何实现扩展存储器的设计？
2021-10-28 08:08:51
DDR3存储器控制器面临的挑战有哪些？如何用一个特定的FPGA系列LatticeECP3实现DDR3存储器控制器。
2021-04-30 07:26:55
请问大虾：
现象：连续写AD5421的数据寄存器，可以使AD5421输出电流保持住。但是只写一次数据寄存器，AD5421的输出电流无法保持，但是读数据寄存器时，寄存器的值是写进去的值。
问题：如何只写一次数据，就让AD5421的输出电流保持住
2023-12-19 08:24:45
本文提出了一个网络存储器的基本解决方案，实现了网络存储器的基本功能。
2021-04-26 06:50:19
为什么要有系统调用？虚拟存储的作用是什么？为什么虚拟存储可以实现？寄存器和存储器的区别在哪？
2021-09-29 08:22:56
操作出错概率的增加，即写入存储器的数据会丢失，而存储器的内容却仍然可被正常读出，当然上述现象只有在存储器读写次数达到１００亿次之后才会出现，因此，为了延长存储器的读写寿命，可以根据数据读写的频繁程度
2019-04-28 09:57:17
EEPROM通常擦写次数都在百万次以下，如果每秒写一次，几天就废了，有没有擦写次数无限制的类似产品？
2023-11-08 06:15:04
均值和报警次数。5. 使用For 循环、Case 结构及顺序结构构建VI。要求分别使用公式节点和LabVIEW 算术函 数实现开普勒方程 y=x-esin x , 0≤e≤1，使用利用顺序结构和定时选板下的时间计数 器.vi 比较两种实现方法计算200 万次开普勒方程所用时间。
2014-04-02 11:14:33
数据存储器 FLASH程序存储器 FLASH数据存储器 片内RAM数据存储器16M字节外部数据存储器各有什么区别？特点？小弟看到这段 很晕。ADuC812的用户数据存储器包含三部分，片内640字节的FLASH数据存储器、256字节的RAM以及片外可扩展到16M字节的数据存储器。求助高手。解释一下不同。
2011-11-29 09:50:46
英特尔SSD 800P，900P，905P系列的存储介质都是相变存储器，我看到英特尔SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相变存储器。所以我不知道
2018-11-19 14:18:38
稳定，不会出现FLASH 存储器的“Data-tearing”现象。• 耐久性强(读/写次数)-FRAM的读/写周期数为一百万亿次(10E15) ，而通常的FLASH/ EEPROM 只有一百万次
2019-06-12 05:00:08
我手头有块pic12c508a，我想知道他能烧写多少次，在网上查了下资料，有的说支持一次烧写，有的说能烧写100万次！请大神指点迷津！
2019-01-21 06:35:12
10 万次，EMMC 的块擦写最高也会有 1 万次；同理，EEPROM、SD 卡、CF 卡、U 盘、Flash 硬盘等存储介质在都存在写寿命的问题。在文件系统向写数据的底层存储器块写数据时，常规会
2020-09-16 10:58:10
。但这三种方案均存在着缺陷。其中SRAM加后备电池的方法增加了硬件设计的复杂性，同时由于加了电池又降低了系统的可靠性；而EEPROM的可擦写次数较少(约100万次)，且写操作时间较长(约10 ms
2014-04-25 11:05:59
的单元都是并联的。NOR闪速存储器以读取速度 100ns的高速在随机存取中受到人们的青睐。但由于其单元尺寸大于NAND闪速存储器，存在着难以进行高度集成的问题。写人时采用CHE（Channel
2018-04-09 09:29:07
记忆。浮置栅被设计成可以存储电荷的构造，栅极及主板利用氧化膜进行了绝缘处理，一次积累的电荷可以长时间（10 年以上）保持。当然，如果氧化膜存在缺陷，或者由于某种原因使绝缘膜遭到破坏，那么闪速存储器将失去
2018-04-10 10:52:59
集成铁电存储器的MCU，由于在MCU上集成了铁电存储器，该产品数据写入速度比基于闪存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它还可在所有的电源模式中提供数据保存功能、支持超过100万亿次
2021-11-10 08:28:08
写入每个数据字节。这意味着，系统存储器密度增长时，工程师不必担心页面缓冲区大小的变化。就写入耐久性而言， MRAM可以支持100亿次写操作，远远超过 EEPROM 的 100万次以及闪存的10万次。因此
2018-05-21 15:53:37
相变存储器驱动电路的设计与实现摘要: 介绍了一种新型的相变存储器驱动电路的基本原理, 设计了一种依靠电流驱动的驱动电路, 整体电路由带隙基准电压源电路
2010-05-08 09:42:33
43 摘 要： 本文简单介绍了铁电存储器、磁性随机存储器和相变存储器这三种比较有发展潜力存储器的原理、研究进展及存在的问题等。引言 更高密度、更大带宽、更
2006-03-24 13:32:182411 
相变存储器技术基础 相变存储器（PCM）是一种非易失存储设备，它利用材料的可逆转的相变来存储信息。同一物质可以在诸如固体、液体、气体、冷凝物和等离子体等
2009-11-21 10:55:55751 相变存储器（PCM）技术基础知识
相变存储器（PCM）是一种非易失存储设备，它利用材料的可逆转的相变来存储信息。同一物质可以在诸如固体、液
2009-11-23 09:19:032895 非易失性半导体存储器的相变机制
非易失性存储器(NVM)在半导体市场占有重要的一席之地，特别是主要用于手机和其它便携电子设备的闪存芯片。今后几年便携电
2009-12-19 10:37:46634 
相变存储器：能实现全新存储器使用模型的新型存储器
从下面的几个重要特性看，相变存储器（PCM）技术均符合当前电子系统对存储器子系统的需求：
容量
2009-12-31 10:09:301115 非易失性半导体存储器的相变机制
非易失性存储器(NVM)在半导体市场占有重要的一席之地，特别是主要用于手机和
2010-01-11 10:02:22630 Numonyx推出全新相变存储器系列
该系列产品采用被称为相变存储(PCM)的新一代存储技术，具有更高的写入性能、耐写次数和设计简易性，适用于固线
2010-04-29 11:30:371141 相变存储器(PCM)是新一代非挥发性存储器技术。透过比较PCM与现有的SLC和
2010-11-11 18:09:421953 相变存储器(PCM)是一种非易失存储设备，它利用材料的可逆转的相变来存储信息。同一物质可以在诸如固体、液体、气体、冷凝物和等离子体等状态下存在，这些状态都称为相。相变存
2011-03-31 17:43:21103 非易失性半导体存储器的相变机制
2017-01-19 21:22:5414 程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。本文将探讨FLASH存储器的读写原理及次数。 FLASH存储器的读写原理 FLASH存储器的基本单元电路，与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与EEPRO
2017-10-13 16:34:3020879 耶鲁大学和IBM华生研究中心的研究人员一直在新型相变存储器研发领域开展合作，目标是使具有潜在革命性的相变存储技术更具实用性和可行性。 近年来，相变存储器技术作为一种能改变游戏规则的新兴技术，逐渐成为替代计算机随机存取存储器的潜在选择。
2018-06-13 09:26:001567 万勇透露，武汉国家存储器基地计产能10万片/月的一号生产及动力厂房，首个芯片会在2018年点亮，明年实现量产。而获得国务院批复的武汉国家存储器基地，规划建设3座全球单座洁净面积最大
2018-04-12 16:20:003563 近日，淮安市举行集成电路产业现场推进暨江苏时代芯存半导体有限公司相变存储器工厂竣工运营启动仪式。
2018-03-28 14:58:196707 Numonyx相变存储器（PCM）的倡导者Jamshid阐述了什么是相变存储器，以及它正如何改变着存储器产业的面貌。
2018-06-26 08:55:003158 在位于武汉东湖高新区的长江存储科技有限责任公司（国家存储器基地），紫光集团联席总裁刁石京透露，中国首批拥有自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于今年第四季度在此实现量产。
2018-08-07 14:35:145523 IP供应商力旺电子极力布局车用电子市场，提出可编写次数超过50万次的嵌入式EEPROM（电子抹除式可复写唯读存储器）矽智财（Silicon IP），来因应车用市场的需求，且不需要额外加光罩即可应用于现有平台上，不单是车用电子，也可用于指纹识别、电源管理IC、NFC、RFIC等。
2018-12-19 16:56:49672 近年来，非易失性存储技术在许多方面都取得了一些重大进展，为计算机系统的存储能效提升带来了新的契机，采用新型非易失性存储技术来替代传统的存储技术可以适应计算机技术发展对高存储能效的需求。以相变存储器
2019-03-19 15:43:016997 
据介绍，相变存储器是一种兼具寿命长且断电后仍可保存数据两种优点的存储器，而目前通用的存储器技术主要是动态随机存储器和闪存两种，占了95%的市场份额。
2019-08-27 17:19:221140 相变存储器具有很多优点，比如可嵌入功能强、优异的可反复擦写特性、稳定性好以及和CMOS工艺兼容等。
2019-09-18 11:14:402042 
相变存储器具有很多优点，比如可嵌入功能强、优异的可反复擦写特性、稳定性好以及和CMOS工艺兼容等。
2020-01-07 15:17:515090 根据消息报道，长江存储科技有限责任公司副董事长杨道虹表示，国家存储器基地项目经过3年的建设已经取得了阶段性成效，自主开发的64层三维闪存产品实现量产。
2020-01-15 14:11:143033 1 月 16 日讯，据悉，长江存储科技有限责任公司 副董事长杨道虹表示，2019 年，国家存储器基地项目基于自主知识产权研发生产的 64 层三维闪存产品已实现量产。
2020-01-16 14:06:02905 贸泽将备货多款兆易创新存储器解决方案。GD25 SPI NOR Flash存储器产品线可提供四种电压规格、20年数据保持时间和10万次擦写次数，具有高可靠性。
2020-02-27 17:14:42872 。以相变存储器为代表的多种新型存储器技术因具备高集成度、低功耗等特点而受到国内外研究者的广泛关注，本文介绍相变存储器的工作原理、技术特点及其国内外最新研究进展。 一、相变存储器的工作原理 相变存储器（Phase Change
2022-12-20 18:33:251012 集成电路用硅片项目通线量产启动仪式在德州经济技术开发区举行，实现量产后，德州将成为我国北方最大的半导体材料生产基地。 中国工程院院士屠海令说：硅材料，是我们发展集成性半导体的最重要的一个基础材料，通过跟德州的合作，将来对我们
2020-10-30 15:36:121568 本应用笔记描述了如何使用瑞萨电子制造的 MCU 控制由 Micron Technology, Inc. 制造的 P5Q 串行相变存储器，并解释了为此目的提供的示例代码的用法。请注意，示例代码是用于
2021-06-18 17:23:151205 
对于存储器，大家都有所了解，比如我们每天使用的手机内就具备存储器。为增进大家对存储器的认识，本文将对只读存储器的种类予以介绍，并对相变存储器、存储器生命周期、技术进行对比。如果你对存储器相关内容具有兴趣，不妨继续往下阅读哦。
2020-12-06 10:31:007265 华中科技大学成功研制全球最低功耗相变存储器：比主流产品1000倍 来源：芯智讯 1月20日，从华中科技大学集成电路学院获悉，该学院团队研制出全世界功耗最低的相变存储器，比主流产品功耗低了1000
2022-01-21 13:15:00545 台积电在北美技术论坛上公开了未来先进制程的信息，其3nm芯片将于2022年内量产，而首次采用GAAFET全环绕栅极晶体管技术的2nm制程工艺芯片，预计将于2025年实现量产。
2022-07-01 18:31:091391 台积电正式公布2nm制造技术，该工艺广泛使用EUV光刻技术，首次采用GAAFET全环绕栅极晶体管技术和背面供电技术，计划于2025年实现量产。
2022-07-04 18:09:281281 相变随机存取存储器具有低电压操作、编程速度快、功耗小和成本低等特点。
2023-02-01 10:16:15699 铁电存储器(FRAM)具有非易失性，读写速度快，没有写等待时间等优势，能够像RAM一样操作，低功耗，擦写使用寿命长，芯片的擦写次数为100万次，比一般的E2PROM存储器高10倍。特别适合在为工业
2023-06-29 09:39:03382
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