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电子发烧友网>存储技术>三星豪赌260亿美元计划垄断DRAM和NAND市场,5G实现里程碑式的突破

三星豪赌260亿美元计划垄断DRAM和NAND市场,5G实现里程碑式的突破

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里程碑突破!我国量子计算原型机“九章”问世

我国已经成为全球第二个实现“量子优越性”的国家,这是里程碑式突破
2020-12-04 09:26:482324

里程碑式突破!我国量子计算原型机“九章”问世

我国已经成为全球第二个实现量子优越性的国家,这是里程碑式突破。 据悉,潘建伟团队与中科院上海微系统所、国家并行计算机工程技术研究中心合作,成功构建76个光子的量子计算原型机九章。按照官方的说法,潘
2020-12-04 09:39:432338

2020年是人工智能(AI)里程碑式的一年

2020年是人工智能(AI)里程碑式的一年。这一年,新冠肺炎疫情席卷而来,全球开展了一场科技战“疫”。其中,AI大展身手,在医疗、城市治理、工业、非接触服务等领域快速响应,从“云端”落地,验证了其对社会的真正价值,开始了与产业前所未有的紧密结合,进入技术与产业的融合发展阶段。
2020-12-16 09:02:271897

中国航天迎来里程碑式新跨越

,是我国航天事业发展中里程碑式的新跨越,标志着我国具备了地月往返能力,实现了“绕、落、回”步走规划完美收官,为我国未来月球与行星探测奠定了坚实基础。
2020-12-18 12:04:512641

全球DRAM市场波动变化,预计2026年市场规模突破千亿美元

2016-2019年,全球DRAM市场波动变化,2019年市场销售额为620亿美元,同比下降37%。其中,美国占比39%,为全球排名第一DRAM销售市场,中国占比34%。全球DRAM市场三星、SK海力士和美光大巨头垄断,2020年第季度市场份额分别为41.3%、28.2%和25%。
2021-01-06 15:44:404925

中微子里程碑式的重大突破 一探太阳内核

Borexino合作项目在《自然》上发文,报告了中微子物理学中一个里程碑式的重大突破。他们首次探测到了来自碳-氮-氧(CNO)核聚变循环产生的中微子。测量这些中微子,将有助于人们更清晰地了解太阳内核
2021-01-12 17:37:242714

三星电子计划于2026年推出自动驾驶激光雷达

众所周知,三星集团(SAMSUNG)是韩国非常大的跨国企业集团,包括众多的下属企业,业务涉及电子、金融、机械、化学等众多领域。近日,三星电子在其the first用于自动驾驶应用的激光雷达的开发过程中取得the first 里程碑,并计划于2026年实现商业化。
2021-07-30 15:59:24833

芯宣布其神经网络处理器IP取得里程碑式市场成绩

人工智能应用的神经网络处理器(Vivante* NPU)IP取得了里程碑式市场成绩:已被50家客户用于其100余款人工智能芯片中。这些内置芯原Vivante NPU 的芯片主要应用于物联网、可穿戴设备、智慧电视
2021-11-16 10:29:112160

新思科技人工智能设计系统DSO.ai助力三星移动芯片实现自主设计

三星采用新思科技的自主芯片设计解决方案,在其先进工艺技术上取得了里程碑式的卓越结果。实现了自主芯片设计新时代的跨越发展.
2022-01-12 09:54:491190

骁龙®X70 5G调制解调器或将实现全新里程碑

高通技术公司今日在高通5G峰会上宣布,骁龙®X70 5G调制解调器及射频系统支持全新功能并实现全新里程碑。这些成果是基于今年2月在MWC巴塞罗那期间发布的第五代调制解调器到天线5G解决方案而实现的。
2022-05-11 10:15:511792

迈向 5G 之路的十大里程碑

迈向 5G 之路的十大里程碑
2022-12-26 10:16:291573

三星将削减NANDDRAM平泽P3晶圆厂投资

 平泽p3 晶圆厂是三星最大的生产基地之一。据报道,三星计划将p3工厂的生产能力增加到8万个dram和3万个nand芯片,但目前已将生产能力减少到5万个dram和1万个nand芯片。
2023-10-08 11:45:571540

AMD市值首次突破3000亿美元

AMD的市值首次突破了3000亿美元,这一里程碑式的成就得益于该公司股价的大幅上涨。上周四,AMD的股价上涨了9.1%,使得其市值首次突破了3000亿美元。相较于去年10月的低点,AMD的股价已经上涨了一倍多。
2024-03-04 11:25:521763

它人机器人与俄罗斯的AVIALIFT正式携手,达成里程碑式合作

4月15日,它人机器人与俄罗斯的AVIALIFT正式携手,达成里程碑式合作。这次合作不仅将我们的机器人产品、尖端技术和优质服务带到了广袤的俄罗斯,更是它人机器人在国际舞台上的一大飞跃。
2024-04-17 09:26:431126

三星已成功开发16层3D DRAM芯片

在近日举行的IEEE IMW 2024活动上,三星DRAM部门的执行副总裁Siwoo Lee宣布了一个重要里程碑三星已与其他公司合作,成功研发出16层3D DRAM技术。同时,他透露,竞争对手美光也已将其3D DRAM技术扩展至8层。
2024-05-29 14:44:071398

今日看点丨曝三星计划Q3对DRAMNAND涨价15%~20%;传苹果将大砍一半产线员工

1. 传三星计划Q3 对DRAMNAND 涨价15%~20% ,现已通报客户   6月26日,多家媒体报道称,三星计划于第季度把动态随机存储器(DRAM)、NAND的价格上调15%~20
2024-06-27 11:02:40755

三星HBM3e获英伟达认证,加速DRAM产能转型

市场供货。这一里程碑式的进展,不仅彰显了三星在高端内存技术领域的深厚积累,也为其在竞争激烈的HBM市场中抢占更多份额奠定了坚实基础。
2024-07-18 09:36:591401

三星电子量产1TB QLC第九代V-NAND

三星电子今日宣布了一项重大里程碑——其自主研发的1太比特(Tb)容量四层单元(QLC)第九代V-NAND闪存已正式迈入量产阶段。这一成就不仅标志着三星在存储技术领域的持续领先,也预示着数据存储市场即将迎来一场革命性的变革。
2024-09-12 16:27:311108

江波龙自研SLC NAND Flash累计出货突破1亿

近日,江波龙宣布其自研的SLC NAND Flash存储器产品累计出货量已突破1亿颗大关。这一里程碑式的成就,标志着江波龙在存储器领域的技术实力和市场竞争力得到了显著提升。
2024-11-15 16:56:581365

三星1c nm DRAM开发良率里程碑延期

。然而,尽管三星在去年底已经成功制得1c nm DRAM的良品晶粒,但整体良率并未达到预期要求,导致原定的量产计划受阻。 此次良率里程碑的延期,反映出
2025-01-22 14:27:241109

三星电子1c nm内存开发良率里程碑推迟

据韩媒报道,三星电子已将其1c nm DRAM内存开发的良率里程碑时间推迟了半年。原本,三星计划在2024年底将1c nm制程DRAM的良率提升至70%,以达到结束开发工作、顺利进入量产阶段的要求。然而,实际情况并未如愿。
2025-01-22 15:54:191002

四创电子水利监测设备取得里程碑式进展

近日,四创电子自主研发的相控阵型水利测雨雷达,完成全部技术验证并工程化落地。该型雷达不仅攻克了相控阵体制下水利测雨全要素技术指标的工程实现难题,更在核心算法、软计架构等关键技术实现完全自主可控,标志着公司水利监测设备取得里程碑式进展。
2025-05-06 16:06:17905

罗德与施瓦茨携手三星共同推动5G NR-NTN技术商用化进程

。这一里程碑式成果标志着R&S成为全球首家也是目前唯一能覆盖5G NR-NTN所有大测试领域,提供完整验证方案的测试测量供应商,有力推动了基于5G的非地面网络商业化进程。
2025-12-02 09:52:042134

立讯精密在高速互连领域取得里程碑式突破

近日,立讯精密自主研发的HDMI 2.2连接器及配套测试治具,正式通过HDMI Forum首批官方认证。公司成为全球首家同时获得产品端与测试端双认证的供应商,标志着在高速互连领域取得里程碑式突破
2025-12-24 15:55:28232

亿纬锂能绿色制造体系建设取得里程碑式突破

,将于2025-2030年,以园中园形式进行建设。这标志着亿纬锂能"CREATE碳中和行动"初见成效,绿色制造体系建设取得里程碑式突破
2026-01-05 17:55:24636

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