三星加速开发160层或更高的超高堆叠NAND 三星电子展示5G毫米波最快下载速度

编者按：最新，长江存储发布128层NAND引起业内的高度关注，作为全球存储业的领先企业三星电子毫不示弱，4月17日，外媒消息显示，三星即将完成业界首批160层以上的NAND闪存芯片的开发。这家韩国半导体巨头正在利用其“超级缺口”战略来开发该公司的第七代NAND闪存芯片，从而使其在竞争中处于优势地位。此外，在5G毫米波的技术开发上，三星电子也首次实现了业界最快的5G速度，该演示使用载波聚合技术将毫米波频谱的多个信道与800MHz频谱进行了合并。

4月17日，据ET新闻最新消息，三星电子正在将其“超间隙”策略应用于其NAND闪存技术。三星即将完成业界首批160层以上的NAND闪存芯片的开发。这家韩国半导体巨头正在利用其“超级缺口”战略来开发该公司的第七代NAND闪存芯片，从而使其在竞争中处于优势地位。

160层数将是业内最多的。随着层数的增加，用于存储数据的NAND闪存将有更多用途，从而导致更大的容量。

最近，中国半导体公司长江存储最近宣布了其计划在今年年底前批量生产128层NAND闪存的计划，但三星电子已经在为下一代做准备。

据业内人士了解，三星电子正在开发具有160层或更高层的第七代V-NAND闪存。据悉，三星电子已经在加快开发过程中取得了重大进展。

三星电子正在寻求将“双堆栈”技术应用于第七代V-NAND闪存。这项技术在两个不同的时间产生了孔，因此电流可以流过电路。

三星电子一直在使用“单堆叠”技术，一次制造出所有孔。由于层数的增加，三星电子似乎正在考虑采用“双堆栈”技术。

三星公司正在使用双堆栈技术在其V-NAND（也称为3D NAND）闪存芯片中创建160层或更高的层。可以理解，NAND闪存芯片中的层数越高，意味着存储容量越高。此前，存储芯片中使用的最高层数为128，而三星现在已接近生产160层或更高层的芯片。

160层或更高级别的NAND闪存将是业内首创。当前商业化的NAND闪存的最高层数为128。

尚未有公司宣布已成功开发出160层或更高级别的NAND闪存。三星电子和SK海力士去年宣布，他们开发了128层NAND闪存。长江存储最近也成功开发了128层存储器，并宣布了其计划在今年年底开始批量生产该存储器的计划。

三星电子展示5G毫米波最快下载速度

据外媒报道，三星电子4月14日表示，该公司在实验室演示中实现了业界最快的5G速度，该演示使用载波聚合技术将毫米波频谱的多个信道与800MHz频谱进行了合并。

该试验使用了三星的5G毫米波接入单元，该接入单元包含传统的基带、射频和天线。三星在2019年10月举行的MWC洛杉矶大会上推出了其5G NR毫米波接入单元。该接入单元采用了MIMO技术，在单个单元中拥有1000多个天线组件。

图片来自三星网站

在最近的测试中，三星使用了两个搭载其最新5Gmodem芯片组的测试终端。这些终端将信号发送至毫米波接入单元，每个终端达到了约4.3 Gbps的传输速率，并且在两款终端都达到了8.5 Gbps的业界最高速率。

今年早些时候，三星与Verizon合作进行了一项试验，使用的是位于德克萨斯州一张商用网络中的基站。在该试验中，Verizon使用三星的5G NR接入单元将28GHz频段上的800MHz带宽频谱进行了聚合。但是，双方并未透露该基站处理了多大的流量。考虑到消费者使用的5G手机数量并不多，它可能并没有处理太多的商用流量。

三星正在韩国和美国研究毫米波技术。该公司表示，它也已经开始支持5G在日本的商用部署。

本文资料来自ET News和三星网站，本文整理发布。