模拟技术

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基于FPGA的TLC5620数模转换（DA）设计

本设计采用串行数/模转换芯片TLC5620，TLC5620是一个拥有四路输出的数/模转换器，时钟频率最大可达到1MHz。...

2024-04-08 标签：FPGA 运算放大器数模转换器 FPGA 基准电源数模转换数模转换器运算放大器 253

探究50V μF级MLCC电容在24V/28V工况下短路的原因

大容值的MLCC电容，耐电压击穿电压波动能力其实是比较弱的，再加之电容生产过程的陶瓷介质片的厚度一致性难控制问题，电压波动、上电浪涌电压等场合下，MLCC电容被击穿也就在所难免了。...

2024-04-08 标签：电容 MLCC MLCC 电容钽电解电容 109

一文详解IGBT 模块的热设计和热管理

其中模块的铝键合引线与芯片的键合点较小，芯片工作中产生的热量主要通过热传导的方式由芯片向基板单向传递，在此过程中会遇到一定的阻力，称为导热热阻。...

2024-04-07 标签：芯片 IGBT 热管理半导体器件 IGBT 半导体器件热管理热设计芯片 564

1500V光伏逆变器中的ANPC技术应用

在标准NPC的基础上，把钳位二极管换成主开关管，就形成了ANPC,用于解决NPC损耗分布不均带来的热不均根据不同的发波方式，开关管的电流会有所不同，以下分别讨论...

2024-04-07 标签：逆变器开关管光伏逆变器钳位二极管 ANPC 光伏逆变器开关管逆变器钳位二极管 119

基于TL431芯片搭建的恒流源电路

而根据上式计算结果输出电流应该是I = 2.495V / 2Ω = 1.2475A。但实际计算结果却小于该值，这是为什么呢？分析一下可知，流过电阻Rref的电流除了三极管的集电极电流Ic还有基极电流Ib。...

2024-04-07 标签：三极管运放电路 TL431 恒流源 TL431 三极管恒流源恒流源电路运放电路 613

全面的SiC功率器件行业概览

SiC功率器件市场正处于快速增长阶段，特别是在汽车电动化趋势的推动下，其市场规模预计将持续扩大。根据Yole Group的报告，汽车行业对SiC功率器件的需求主要来自于电动汽车动力系统的升...

2024-04-07 标签：新能源汽车晶圆功率器件 SiC 碳化硅 87

二极管15个关键核心要素

在二极管外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零。当正向电压大到足以克服PN结电场时，二极管正向导通，电流随电压...

2024-04-07 标签：二极管电子元器件电流负载电阻二极管整流电流电子元器件电流负载电阻 119

如何增强SiC功率器件的性能与可靠性？

电动汽车 (EV) 市场的快速增长推动了对下一代功率半导体的需求，尤其是对碳化硅 (SiC) 半导体的需求尤为强劲。...

2024-04-07 标签：电动汽车半导体功率器件 SiC 热管理 313

如何快速设计过压保护电路

TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬态电压抑制器，也被称为雪崩击穿二极管，是一种二极管形式的高效能保护器件。...

2024-04-06 标签：二极管 TVS 过压保护 RS485 瞬态电压抑制器 159

放大器中关于ESD的实现方案

前端放大器的内部ESD二极管有时会用来箝位过压状况，但为了确保这种箝位能够提供充分可靠的保护，需要考虑许多因素。...

2024-04-03 标签：放大器串联电阻电阻 ESD二极管 101

什么是负反馈？运算放大器负反馈电路分析

正反馈提高了电路的放大能力（可以自己根据运放特性想象一下），在正反馈中，输入和输出信号的相位相似，因此两个信号相加，适用于振荡电路中。...

2024-04-06 标签：反馈电路运算放大器振荡电路反馈电路振荡电路负反馈电路运算放大器 239

如何给电路选择最合适的MOS产品？选择MOS管时需考虑的关键要素

MOS作为一种非常常见的分立器件，它具有开关、放大、调压等作用。MOSFET是电压控制的管子，通常，MOS管损耗比三极管小,导通后压降理论上为0。...

2024-04-02 标签：MOS管导通电阻车载逆变器电压控制漏电流 614

驱动电路输出模式的推挽与开漏输出

推挽输出（Push-Pull Output），故名思意能输出两种电平，一种是推（拉电流，输出高电平），一种是挽（灌电流，输出低电平）。推挽输出可以使用一对开关来实现，在芯片中一般使用晶体管 ...

2024-04-06 标签：模拟电路上拉电阻场效应管 MOS管晶体管 290

碳化硅功率器件：能效革新的催化剂！

随着全球对能效和环保的要求日益提高，传统硅基半导体器件逐渐暴露出其性能瓶颈，特别是在高温、高压和高频应用场景中。...

2024-04-02 标签：半导体逆变器功率器件 SiC 碳化硅 314

IGBT模块封装过程中的技术详解

IGBT 模块封装采用了胶体隔离技术，防止运行过程中发生爆炸;第二是电极结构采用了弹簧结构，可以缓解安装过程中对基板上形成开裂，造成基板的裂纹;第三是对底板进行加工设计，使底板与...

2024-04-02 标签：MOSFET IGBT 晶体管热管理续流二极管 179

运算放大器的4个经典电路运算分析

如何理解“虚断”呢？由于运放的差模输入电阻很大，一般通用型运算放大器的输入电阻都在 1MΩ以上。因此流入运放输入端的电流往往不足 1uA，远小于输入端外电路的电流。...

2024-04-02 标签：pcb 电流运算放大器输出电压 pcb PCB 电流输入电阻输出电压运算放大器 293

深度解析碳化硅功率器件原理和优势

SiC市场格局仍由海外巨头主导，市占率排名依次是：意法半导体、英飞凌、wolfspeed、罗姆、安森美、三菱电机等。...

2024-04-01 标签：功率器件 SiC 碳化硅 281

如何能找到高性价比的MOS管让产品力提升呢？

三轮车控制器的竞争品牌在近两年越来越多，不仅有衡翔、宗彭、美驱科技等知名的，也有锡安驰、正华仲、DIY、星浩、涌胜、天王鑫、圣创、安百洁、安路班、利瑞、大腾、鸿润达等竞争对手...

2024-04-01 标签：控制器场效应管 MOS管电流电压脉冲电流 298

安森美SiC方案助力800V车型加速发布解决补能焦虑

实际上，近期有越来越多的国内外车企开始加速800V电压架构车型的量产，多款20-25万元价格段的标配SiC车型上市。...

2024-04-01 标签：电动汽车安森美逆变器 SiC 杂散电感 364

联合电子400V SiC（碳化硅）电桥在太仓工厂迎来首次批产

2024年3月，联合电子400V SiC（碳化硅）电桥在太仓工厂迎来首次批产。本次量产标志着联合电子在400V电压平台上实现了Si和SiC技术的全面覆盖，也标志着联合电子同时拥有了400V Si，400V SiC和800V...

2024-04-01 标签：逆变器 Boost SiC 寄生电感碳化硅 394

无源滤波器设计工作原理及步骤

使用滤波器，我们可以获取组合信号并再次滤除分量信号。使用滤波器的原因有很多，包括：滤除噪音，共享媒介...

2024-04-05 标签：电容滤波器电感信号处理无源滤波器 73

二极管反向恢复电流测试方法解析

调节电压旋钮选择器件反向耐压，将电压设置到300V。在测试时，红色夹子和黑色夹子同输入交流电市电无隔离，请勿冒险将示波器探头和夹子连接。...

2024-03-29 标签：二极管电流示波器交流电 156

东芝发布全新SmartMCD™系列栅极驱动IC

电动汽车（xEV）市场的扩大带来了电气化、零部件集成化、电子控制单元（ECU）小型化和低噪音电机等市场需求。...

2024-03-29 标签：微控制器东芝嵌入式电机驱动驱动IC 107

二维材料异质外延GaN及其应用探索

传统的GaN异质外延主要在蓝宝石衬底、Si衬底或者SiC衬底，在剥离的过程中，如蓝宝石就特别困难，会产生较大的材料损耗和额外成本，且剥离技术也有待进一步提高。...

2024-03-28 标签：功率器件石墨烯 GaN 热管理 167

电路中令人头大的各种电容元器件

电容是由两块平行的导电极板所构成，充电时以电场形式进行能量储存。并可以在放电电路中把储存的能量释放。...

2024-03-28 标签：旁路电容元器件电容电源电路耦合电容 150

安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项和使用技巧

安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列专注于提高开关性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化。...

2024-03-28 标签：电容器 MOSFET 安森美碳化硅阈值电压 647

如何生成脉冲宽度调制PWM信号？

PWM信号具有许多优点，例如精准性高，可以快速实现控制的响应和控制精度，并快速响应任何运动误差。...

2024-03-27 标签：PWM 比较器模拟信号脉冲宽度调制 PWM发生器 523

MOSFET的栅源振荡究竟是怎么来的？栅源振荡的危害什么？如何抑制

MOSFET的栅源振荡究竟是怎么来的呢？栅源振荡的危害什么？如何抑制或缓解栅源振荡的现象呢？ MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）的栅源振荡是指在工作过程中，出现的栅极与源极之间...

2024-03-27 标签：MOSFET 振荡电路晶体管 531

什么是MOS管亚阈值电压？MOSFET中的阈值电压是如何产生的？

什么是MOS管亚阈值电压？MOSFET中的阈值电压是如何产生的？亚阈值区在 MOSFET器件中的作用及优点 MOS管亚阈值电压指的是在MOSFET器件中的亚阈值区域工作时，门极电压低于阈值电压的情况。在...

2024-03-27 标签：MOSFET MOS管阈值电压 984

MOS管中漏电流产生的主要六大原因

MOS管中漏电流产生的主要六大原因 MOS管（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种重要的半导体器件，广泛应用于各种电子设备中。然而，MOS管中漏电流的产生是一个常见的问题，需要仔细...

2024-03-27 标签：MOS管电流电压漏电流 798

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