0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

什么是MOS管亚阈值电压?MOSFET中的阈值电压是如何产生的?

工程师邓生 来源:未知 作者:刘芹 2024-03-27 15:33 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

什么是MOS管亚阈值电压MOSFET中的阈值电压是如何产生的?亚阈值区在 MOSFET器件中的作用及优点

MOS管亚阈值电压指的是在MOSFET器件中的亚阈值区域工作时,门极电压低于阈值电压的情况。在亚阈值区,MOSFET器件的电流呈指数增长的特性,而非线性关系。

MOSFET中的阈值电压是通过器件的制造工艺来调整和控制的,阈值电压决定了MOSFET转换开关的特性。在MOSFET中,门极电压高于阈值电压时,会使得通道区的空穴(P型MOSFET)或电子(N型MOSFET)引入通道,形成导电通路。而当门极电压低于阈值电压时,通道区将变为截止状态,不再导电。

亚阈值区在MOSFET器件中具有重要的作用和优点。以下是亚阈值区的几个主要作用和优点:

1. 低功耗特性:在亚阈值区域工作时,MOSFET器件的功耗较低。由于在亚阈值区,MOSFET的电流与门极电压的幂函数关系呈现,在较低的电压下前向偏置,电流的增长速度较慢,从而实现了低功耗操作。

2. 高灵敏度:亚阈值区具有高灵敏度的特点,可以有较小的电压变化产生较大的电流变化。这使得亚阈值区的MOSFET器件在某些特定应用中可以充当放大器传感器

3. 温度补偿:亚阈值区的电流与温度呈负温度变化关系,在温度变化范围内能够实现一定的温度补偿效果。这使得亚阈值区MOSFET器件在应对一些需要温度补偿电路的应用场景时具有优势。

4. 低噪声:亚阈值区工作时,器件中电流和电压的噪声较低,从而有助于降低整体电路的噪声水平。这使得亚阈值区的MOSFET器件在对噪声要求较高的应用领域中具备潜力。

总之,MOSFET器件中的亚阈值电压是指在门极电压低于阈值电压的情况下,器件工作在亚阈值区域的特性。在亚阈值区,MOSFET器件具有低功耗、高灵敏度、温度补偿和低噪声等优点,适用于一些对功耗、灵敏度和噪声要求较高的应用场景。了解亚阈值区的工作原理和特性对于设计和优化电路具有重要意义。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOSFET
    +关注

    关注

    150

    文章

    9435

    浏览量

    229741
  • MOS管
    +关注

    关注

    110

    文章

    2754

    浏览量

    74983
  • 阈值电压
    +关注

    关注

    0

    文章

    98

    浏览量

    52411
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    基于JEDEC JEP183A标准的SiC MOSFET阈值电压精确测量方法

    阈值电压 (Vth) 是 MOSFET (金属氧化物半导体) 的一种基本的电学参数。阈值电压 (Vth) 为施加到栅极的最小电压,以建立MOSFET
    的头像 发表于 11-08 09:32 6825次阅读
    基于JEDEC JEP183A标准的SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>阈值电压</b>精确测量方法

    合科泰MOSFET阈值电压选型策略

    MOSFET阈值电压是决定器件导通与否的关键参数,其变化特性直接影响电路设计的可靠性与能效。阈值电压定义为在半导体表面形成强反型层所需的最小栅极电压,对于 N 沟道
    的头像 发表于 10-29 11:32 575次阅读

    中低压MOSMDD4438数据手册

    这款N沟道MOSFET采用MDD独特的器件设计,实现了低导通电阻(RDS(ON))和快速开关性能。其低阈值电压系列专为同步整流电源系统设计,适用于低驱动电压应用场景。
    发表于 07-10 14:29 0次下载

    mos并联注意事项

    在电力电子系统MOS并联能有效提升电流承载能力,但需要精准匹配参数,如导通电阻与阈值电压。应选择热特性相近的器件进行组配,并采用门极驱动芯片配合RC延时电路。优化布局设计遵循电流
    的头像 发表于 06-24 09:10 785次阅读
    <b class='flag-5'>mos</b><b class='flag-5'>管</b>并联注意事项

    晶圆接受测试阈值电压测试原理

    在芯片制造的纳米世界里,阈值电压(Threshold Voltage, Vth)如同人体的“血压值”——微小偏差即可导致系统性崩溃。作为晶圆接受测试(WAT)的核心指标之一,Vth直接决定晶体
    的头像 发表于 05-21 14:10 2168次阅读
    晶圆接受测试<b class='flag-5'>中</b>的<b class='flag-5'>阈值电压</b>测试原理

    飞虹MOSFHP180N08V在音响功放的应用

    音响功放领域的MOS在不断迭代,近年来都是往高效、高功率密度和低失真的发展趋势。对于音响功放影响其失真的因素会有很多,在MOS管领域就会有跨导(gm)、阈值电压(Vth)、极间电容(
    的头像 发表于 04-21 14:56 1086次阅读
    飞虹<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>FHP180N08V在音响功放<b class='flag-5'>中</b>的应用

    MOSFET讲解-02(可下载)

    我们现在知道了,只要让 MOSFET 有一个导通的阈值电压,那么 这个 MOSFET 就导通了。那么在我们当前的这个电路,假设 GS 电 容上有一个
    发表于 04-16 13:29 7次下载

    TPS3813 带可编程窗口看门狗的电压监控器(复位 IC)数据手册

    VDD 并在 VDD 保持在阈值电压 (VIT) 以下时保持 RESET 有效。一个内部定时器延迟输出返回到非活动状态 (高电平),以确保系统正确复位。延迟时间 td = 25ms 典型值,在 VDD
    的头像 发表于 04-12 14:40 883次阅读
    TPS3813 带可编程窗口看门狗的<b class='flag-5'>电压</b>监控器(复位 IC)数据手册

    TPS3828-Q1 带看门狗定时器的汽车电压监控器数据手册

    阈值电压 VIT− 以下,电源电压监控器就会监控 VDD 并保持 RESET 低电平。内部定时器延迟输出返回到非活动状态 (高),以验证系统复位是否正确。延迟时间 td 在 VDD 上升到阈值电压 VIT - 以上后开始。当电源
    的头像 发表于 04-12 09:22 851次阅读
    TPS3828-Q1 带看门狗定时器的汽车<b class='flag-5'>电压</b>监控器数据手册

    TPS3825-Q1 具有手动复位功能的汽车电压监控器(复位 IC)数据手册

    阈值电压 VIT− 以下,电源电压监控器就会监控 VDD 并保持 RESET 低电平。内部定时器延迟输出返回到非活动状态 (高),以验证系统复位是否正确。延迟时间 td 在 VDD 上升到阈值电压 VIT - 以上后开始。当电源
    的头像 发表于 04-12 09:16 715次阅读
    TPS3825-Q1 具有手动复位功能的汽车<b class='flag-5'>电压</b>监控器(复位 IC)数据手册

    TPS3824-Q1 高电平和低电平有效,汽车电压监控器(复位IC)带看门狗和手动复位技术手册

    阈值电压 VIT− 以下,电源电压监控器就会监控 VDD 并保持 RESET 低电平。内部定时器延迟输出返回到非活动状态 (高),以验证系统复位是否正确。延迟时间 td 在 VDD 上升到阈值电压 VIT - 以上后开始。当电源
    的头像 发表于 04-11 18:01 752次阅读
    TPS3824-Q1 高电平和低电平有效,汽车<b class='flag-5'>电压</b>监控器(复位IC)带看门狗和手动复位技术手册

    TPS3847 用于 12V 电源轨的 380nA 电压监控器数据手册

    TPS3847 系列由宽工作电压、超低电流器件组成,这些器件 监控 supply pin的电压。每当 VCC 电源电压降至工厂调整的复位阈值电压以下。reset 输出 在 VCC
    的头像 发表于 04-11 09:25 637次阅读
    TPS3847 用于 12V 电源轨的 380nA <b class='flag-5'>电压</b>监控器数据手册

    SiC MOSFET的动态特性

    本文详细介绍了SiC MOSFET的动态特性。包括阈值电压特性、开通和关断特性以及体二极的反向恢复特性。此外,还应注意测试波形的准确性。
    的头像 发表于 03-26 16:52 1717次阅读
    SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>的动态特性

    EEPROM存储器的工作原理 EEPROM与FLASH存储器的比较

    : 写入数据时,通过施加高电压,电子被注入浮栅,改变晶体阈值电压,从而改变其导电状态,代表0或1。 擦除操作 : 擦除操作是通过施加反向高电压,使电子从浮栅
    的头像 发表于 12-16 16:35 3072次阅读

    IBM与Rapidus在多阈值电压GAA晶体技术的新突破

    IBM 与日本芯片制造商 Rapidus 在 2024 IEEE IEDM 国际电子器件会议上,对外展示了双方携手合作所研发的多阈值电压 GAA 晶体技术成果。该技术上的重大突破预计会被应用于
    的头像 发表于 12-12 15:01 1000次阅读