0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

联合电子400V SiC(碳化硅)电桥在太仓工厂迎来首次批产

联合电子 来源:联合电子 2024-04-01 09:28 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

2024年3月,联合电子400V SiC(碳化硅)电桥在太仓工厂迎来首次批产。本次量产标志着联合电子在400V电压平台上实现了Si和SiC技术的全面覆盖,也标志着联合电子同时拥有了400V Si,400V SiC和800V SiC的电桥解决方案。

2023年中国市场上约95%的NEV车型为400V电压平台。在主流的400V电压平台上,联合电子基于已经批产的400V Si电桥,进一步扩充了高性价比、高效率和高性能的400V SiC电桥产品线,充分满足了国内外客户的多样且严苛的要求。

电驱性能

峰值性能:峰值轮端扭矩4450Nm,峰值功率220kW。同时支持短时BOOST模式,实现BOOST模式下峰值扭矩4800Nm,峰值功率230kW,帮助整车实现弹射起步和短时超车;

峰值效率:得益于领先的硬件设计和先进的软件调制算法加持,联合电子400V SiC电桥可实现最高95.6%效率,可为OEM整车厂实现12.5kWh/100km的超低能耗;

最高转速:电机最高转速高达21000rpm,整车最高车速达210km/h。

联合电子400V碳化硅电桥采用自主封装SiC功率模块

逆变器单体最高效率99.5%;

逆变器采用联合电子自主封装功率模块,采用国际领先SiC芯片。常规工况下可实现620Arms/20s峰值电流输出,短时BOOST(超频使用)可达 650Arms/5s。联合电子自主封装的功率模块实现最低导通电阻和优异的散热能力:

采用第二代沟槽型SiC芯片,具有最低导通电阻,大幅降低电驱控制器系统损耗;

散热系数低(<0.1K/W),同面积下,大幅提升电驱系统的峰值功率和系统效率;

芯片最高运行温度可达200℃;

低寄生电感设计,有效降低电压应力,提高可靠性。可实现更低的寄生电阻,相同电流条件下功率模块损耗损耗可降低18%。

关键子部件技术 —— 电机

使用行业领先的电磁设计工艺,采用硅钢与磁钢技术,造就极低的电机损耗表现,最高效率可达97.5%;

为实现极致的功率密度,采用独特的扁线绕组技术带来极致的槽满率,为电机带来 6.8 kW/kg 超高功率密度,帮助电桥实现轻量化和小型化。

同时联合电子在400V SiC电桥平台新开发了先进控制算法,使电桥总成既能满足极致的安全性能又能做到严苛的能耗管理:

极致安全:

功能安全:满足功能安全ASIL D;

跛行回家功能:凭借先进的软件架构及硬件性能,能够帮助车辆在相关零部件损坏的情况下,实现无感继续驾驶故障车辆安全行驶到4S店维修,减少驾驶员的不良驾驶体验和安全影响;

云端电驱:联合电子首次开发了电驱最核心器件——功率模块寿命模型,帮助整车厂和终端用户及时了解电驱运行状态,实现故障远程预警及诊断;

信息安全:逆变器MCU使用最高等级的硬件信息安全模块,配合车规级的信息安全策略,满足ISO 21434标准。

电驱能耗:

温度模型:开发了高精度功率模块温度模型和电机温度模型,实现可变冷却液流量控制,降低整车热管理能耗;

变流量策略:开发了基于整车应用场景的电驱变流量策略,降低对整车水泵功耗需求,为整车节能降耗;

IPTC功能:支持余热回收功能,有效改善电池低温加热速率,提升整车低温驾驶体验,有利于整车热管理和更经济的使用成本;

脉冲加热功能:支持整车电池低温下应用,可实现超级快充功能。同时采用先进控制算法,优化解决行业脉冲加热功能NVH难题。

联合电子400V SiC电桥的批产不仅为多变的需求市场提供了更具性价比的产品,同时也为OEM在整车车型的规划上提供了更多更丰富的选项。

转载须署名联合电子并注明来自联合电子微信!!




审核编辑:刘清

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 逆变器
    +关注

    关注

    300

    文章

    5089

    浏览量

    214677
  • Boost
    +关注

    关注

    5

    文章

    389

    浏览量

    50671
  • SiC
    SiC
    +关注

    关注

    32

    文章

    3516

    浏览量

    68152
  • 寄生电感
    +关注

    关注

    1

    文章

    165

    浏览量

    15034
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    25

    文章

    3317

    浏览量

    51718

原文标题:联合电子400V碳化硅电桥迎来量产

文章出处:【微信号:联合电子,微信公众号:联合电子】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    倾佳电子市场报告:国产SiC碳化硅功率器件碳化硅户用储能领域的战略突破

    倾佳电子市场报告:国产SiC碳化硅功率器件碳化硅户用储能领域的战略突破 ——以基本半导体B2M065120Z
    的头像 发表于 11-24 04:57 139次阅读
    倾佳<b class='flag-5'>电子</b>市场报告:国产<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件<b class='flag-5'>在</b>全<b class='flag-5'>碳化硅</b>户用储能领域的战略突破

    倾佳电子碳化硅SiC MOSFET驱动特性与保护机制深度研究报告

    汽车产业链。倾佳电子聚焦于新能源、交通电动化和数字化转型三大方向,分销代理BASiC基本半导体SiC碳化硅MOSFET单管,SiC碳化硅MO
    的头像 发表于 11-23 11:04 1468次阅读
    倾佳<b class='flag-5'>电子</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET驱动特性与保护机制深度研究报告

    SiC碳化硅功率半导体:电力电子行业自主可控与产业升级的必然趋势

    SiC碳化硅功率半导体:电力电子行业自主可控与产业升级的必然趋势 倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅
    的头像 发表于 09-21 20:41 356次阅读
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>功率半导体:电力<b class='flag-5'>电子</b>行业自主可控与产业升级的必然趋势

    国产SiC碳化硅功率半导体全面取代Wolfspeed进口器件的路径

    Wolfspeed宣布破产的背景下,国产碳化硅(SiC)功率器件厂商如BASiC(基本股份)迎来了替代其市场份额的重大机遇。
    的头像 发表于 06-19 16:43 688次阅读

    基本半导体碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其电力电子领域的应用

    基本半导体碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其电力电子领域的应用 一、引言 电力电子技术飞速发展的今天,
    的头像 发表于 06-10 08:38 749次阅读
    基本半导体<b class='flag-5'>碳化硅</b> MOSFET 的 Eoff 特性及其<b class='flag-5'>在</b>电力<b class='flag-5'>电子</b>领域的应用

    国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构

    SiC碳化硅MOSFET国产化替代浪潮:国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构 1 国产SiC
    的头像 发表于 06-07 06:17 790次阅读

    开启焊机高效时代:国内首发400V SiC肖特基二极管B3D120040HC深度解析

    碳化硅逆变焊机输出整流应用的革新之选:国内首发400V SiC肖特基二极管B3D120040HC深度解析 引言:碳化硅技术引领焊机高效化浪潮 随着电力
    的头像 发表于 05-23 06:07 499次阅读
    开启焊机高效时代:国内首发<b class='flag-5'>400V</b> <b class='flag-5'>SiC</b>肖特基二极管B3D120040HC深度解析

    麦科信MOIP光隔离探头解决碳化硅SiC)项目问题

    作为某新能源车企的电机控制系统工程师,我的日常总绕不开碳化硅SiC)器件的双脉冲测试。三年前用传统差分探头测上管Vgs的经历堪称“噩梦”每当开关动作时,屏幕上跳动的±5V震荡波形,让我误以为
    发表于 04-15 14:14

    麦科信光隔离探头碳化硅SiC)MOSFET动态测试中的应用

    行业基础设施演进,为电力电子从“硅时代”迈向“碳化硅时代”提供底层支撑。 相关研究: L. Zhang, Z. Zhao, R. Jin, et al, \"SiC MOSFET
    发表于 04-08 16:00

    BASiC基本股份国产SiC碳化硅MOSFET产品线概述

    倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块电力电子应用中全面取代进口IGBT模块,助力电力电子
    的头像 发表于 02-12 06:41 838次阅读
    BASiC基本股份国产<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET产品线概述

    碳化硅半导体中的作用

    碳化硅SiC半导体中扮演着至关重要的角色,其独特的物理和化学特性使其成为制作高性能半导体器件的理想材料。以下是碳化硅半导体中的主要作
    的头像 发表于 01-23 17:09 2431次阅读

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半导体40mR/650V
    发表于 01-22 10:43

    SiC碳化硅MOSFET功率模块工商业储能变流器PCS中的应用

    *附件:国产SiC碳化硅MOSFET功率模块工商业储能变流器PCS中的应用.pdf
    发表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET栅极氧化层?如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?

    随着电力电子技术的不断进步,碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐,成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分,栅极氧化层对器件的整体性能和使用寿命
    发表于 01-04 12:37

    SiC市场激烈,万年芯碳化硅领域的深耕与展望

    2024年进入尾声,中国碳化硅SiC)却迎来一波“新陈代谢”:前有新玩家涌入-格力碳化硅芯片工厂建成投产;后有老玩家退场-世纪金光破产清算
    的头像 发表于 12-20 16:41 1195次阅读
    <b class='flag-5'>SiC</b>市场激烈,万年芯<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>领域的深耕与展望