兆易创新将与ISSI合并 中国DRAM迈大步

　　中国发展半导体在存储始终无法取得突破性进展，现在有关厂商团队都积极动起来，近来相关整并、建厂消息一桩接一桩。早前曾报导过，中国NOR Flash厂商兆易创新（Gigadevice）可能与武岳峰等中国基金所收购的美国DRAM厂ISSI合并，从9月中停牌迄今的兆易创新19日再发出持续停牌公告，并正式揭露了即将与ISSI整并的消息！

　　19 日上海交易所上市的兆易创新再发停牌公告，以正在筹划重大事项为由，即日起将持续停牌，今年9 月中开始兆易创新即以重大资产重组为由停牌多时，此次，兆易创新也正式揭露了原因，且攸关中国存储产业的大布局。

　　兆易创新公告中指出，公司拟收购北京闪胜投资公司，北京闪胜主要拥有先前以中国私募基金武岳峰为首所收购的美DRAM 厂商ISSI（IntegratedSilicon Solution）股份，兆易创新若与ISSI 合并，加上现有的NOR Flash 技术，将成为Flash 与DRAM 兼备的综合型存储厂商。

　　ISSI 主要设计与销售SRAM、中低密度DRAM、EEPROM 等集成电路产品，主要应用于汽车、工业、医疗、网路、行动通讯、电子消费产品。ISSI为少数中资收购海外半导体企业成功的案例，而在收购ISSI 之前，中国也仅有从奇梦达（Qimonda）所分拆出来的西安华芯半导体一家DRAM 厂。

　　除了合并ISSI，兆易创新台面下也正积极筹画建厂，兆易创新传出将与中芯前执行长王宁国所主导的合肥长鑫团队共同在合肥建立存储厂，日前，兆易创新招募讯息与合肥长鑫环评文件曝光，间接证实了此消息，从种种文件来看，新厂可能落户合肥空港经济示范区，估计2017 年7 月动工，从事12 吋半导体存储芯片生产，总投资额高达494 亿人民币，产能初估一年在150 万片（月产能12.5 万片）。

　　中国DRAM的重要筹码？

　　2015年3 月12 日美国DRAM 厂商ISSI（IntegratedSilicon Solution）宣布被中国武岳峰资本（Summitview Capital）收购，双方以6.4 亿美元达成协议，此举被视为中国要在DRAM 产业迈开大步，未来恐造成***DRAM 厂不小的影响。

　　12 日中国武岳峰资本与ISSI 联合发表声明，前者以每股19.25 美元，总计约6.4 亿美元的代价与ISSI 达成收购协议，该项协议还需ISSI 股东与反垄断和其他监管机构批准，预计今年第三季完成交易。ISSI ***区的矽成分公司则会依***相关法规进行重组或出售部分业务。

　　ISSI 主要设计与销售SRAM、中低密度DRAM、EEPROM 等集成电路产品，主要应用于汽车、工业、医疗、网路、行动通讯、电子消费产品，目前致力于95 纳米与65 纳米产品设计和研发，2014年营收约3.29 亿美元。在收购ISSI 之前，中国仅有从奇梦达（Qimonda）所分拆出来的西安华芯半导体一家DRAM 厂，从事DDR2、DDR3 及SoC 设计，也跨入NAND Flash、SSD 设计，主要投身65 纳米、55 纳米与44 纳米产品与研发。

　　收购方武岳峰资本先前与上海市创业引导基金一同创立了IC 信息产业基金，配合中国政府欲大力推动IC 产业的战略目标，此次参与收购的除武岳峰资本还包含： eTown MemTek、北京集成电路基金子基金管理公司清芯华创（HuaCapital），还有中国清华园区所设立的华清积业（Huaqing Jiye）。中国半导体分析师顾文军分析，中国资本联合收购将成趋势。

　　顾文军也提到，武岳峰资本在IC方面的投资主要着墨于存储领域的布局，年前武岳峰资本即欲并购美国快闪存储大厂Spansion，然而后来花落Cypress，这次的投资标的ISSI亦在存储领域，目前DRAM产业以台韩厂商最为积极布局，中国的步步进逼，对台厂的威胁也加剧。

　　有关ISSI

　　ISSI （芯成半导体有限公司）专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品，用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。客户都是一些电子工业巨头，如3Com、Alcatel、Cisco、Ericsson、Hewlett Packard、IBM、Lexmark、Motorola、Nokia、Seagate等公司。

　　ISSI是国际化大公司，总部设在美国，在美国、欧洲拥有分公司，在***有合资企业，在中国香港设有子公司，销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、***、日本。共有雇员590人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品，产品都是由代工服务商代为生产，***的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。

　　芯成半导体（上海）有限公司ISSI的独资子公司，成立于2000年9月，2001年7月迁入张江，总投资1583万美元。

　　公司已独立开发和设计出静态存储器（SRAM）、电可擦写随机存储器（EEPROM）、智能卡芯片（Smart Card）、射频芯片（RF IC）、基于CAM的并行搜索处理芯片（Parallel Search Processor）以及智能人机接口芯片（HID）等多种产品。这些产品被广泛应用于通信、网络设备、移动电话及消费类电子产品领域，产品投产后供不应求，市场前景广阔。除上述产品以外，芯成（上海）目前正致力于90纳米和65纳米产品的设计和开发。

　　总公司还在中芯国际投资数千万美元，和芯成（上海）一起与中芯国际共同开发晶圆制造工艺。芯成（上海）还从国外进口价值几百万美元的测试设备和分析设备，进行产品测试、特性分析程序的开发及产品品质分析。