兆易创新布局新型存储器RRAM领域，为嵌入式产品提供存储解决方案

5月12日消息，兆易创新今日宣布，与领先的半导体IP供应商Rambus Inc. 就RRAM （电阻式随机存取存储器） 技术签署专利授权协议。同时，兆易创新还与其同Rambus 以及几家战略投资伙伴的合资企业——合肥睿科微（Reliance Memory）签署了授权协议 。根据协议内容，兆易创新从Rambus和睿科微获得180多项RRAM技术相关专利和应用，这将有助于兆易创新在新型存储器RRAM领域的前瞻性技术布局，从而为嵌入式产品提供更丰富的存储解决方案。

RRAM作为一种非易失性随机存储方式，能够在改变电压的前提下，通过改变电介质的电阻进行存储。 RRAM拥有独特物理与器件特性，可在工艺后端线（BEOL） 以列阵结构制造，其列阵结构的低电压特性能够有效降低MCU产品中嵌入式非易失性存储解决方案的功耗，非常适合物联网应用; 此外，根据学术界与行业发表的相关文献，在平衡性能、可靠性及成本的方面，RRAM有可能成为在DRAM和Flash之间一种可行的存储级内存（SCM）。

Rambus的大名很多DIY玩家都听说过，当年P4时代与Intel合作的RDRAM内存技术很先进，不过最后被AMD及其他厂商力推的DDR内存击败，Rambus退出了实体内存领域，专做内存授权了。

这十几年来，Intel、AMD、NVIDIA、高通、三星等公司先后都被Rambus拿下，签订了专利授权协议。如今中国公司也要进军内存市场了，专利授权也是绕不过去的，只要费用公平合理，金钱换市场是必然的，毕竟美国公司在这方面积累了太长时间了。

4月27日，合肥长鑫公司跟Rambus签署了内存授权协议，不过没有公布内存授权的具体内容。今天，Rambus又跟兆易创新签署了类似的协议，后者也获得了内存专利授权，同样没有公布具体金额。

兆易创新是国产存储芯片的龙头企业，不过之前主要是在NOR市场上，近年来也在积极进军内存市场，前两年还跟合肥长鑫签署了内存合作协议，共同研发19nm内存，兆易创新的创始人朱一鸣还是合肥长鑫的董事长。

不过合肥长鑫之前公布的股权结构来看，兆易创新没有任何股份，除了部分高管重合之外，两家公司是独立运营的，否则也不会有两份Rambus授权了。

根据兆易创新之前发布的公告，去年底该公司融资33.2亿元，主要用于DRAM内存研发及产业化，最快2021年开始量产。

在募资公告中，兆易创新公布了这个项目的预计实施时间及整体进度安排，具体如下：

·2020年，兆易创新将启动首款DRAM芯片产品定义，包括市场定位、产品规格及芯片设计工艺。

·2020年，兆易创新将定义首款芯片的生产职称，并将经过验证后的设计开展流片试样，反复修改直至通过系统验证。

·2021年，对首款芯片试样进行封装测试，并送交系统芯片商进行功能认证，并最终通过客户验证。

·2021年，首款芯片通过验证之后进行小批量生产，测试成功后进行大批量生产。

·2022-2025年，进行新系列芯片研发及量产。

兆易创新是一家扎根中国，服务全球的国际化公司，兆易创新一直密切关注存储领域的技术创新，积极进行战略布局，开拓具有差异化的细分市场。早在2018年5月，兆易创新就携手Rambus以及其他全球知名半导体投资机构创办了以RRAM技术为核心业务的合资公司合肥睿科微。

兆易创新董事长朱一明先生表示：“兆易创新一直以创新为己任，多年来致力新技术革新，强化产品竞争力，重视核心专利， 此次获得Rambus和睿科微针对RRAM技术的授权，有助于我们为客户提供更具创新特色的存储解决方案。”

Rambus技术合作和企业发展高级副总裁Kit Rodgers表示：“兆易创新在全球闪存领域已取得显著的成绩，我们很高兴能够将RRAM专利方案授权给兆易创新，此次授权能够帮助其在存储器领域开发创新型的解决方案，并加速其商用的进程。”

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