继长鑫存储之后，兆易创新宣布与Rambus签订专利授权协议

兆易创新今日宣布，与领先的半导体IP供应商RambusInc.就RRAM(电阻式随机存取存储器)?技术签署专利授权协议。同时，兆易创新还与其同Rambus以及几家战略投资伙伴的合资企业——合肥睿科微（RelianceMemory）签署了授权协议。根据协议内容，兆易创新从Rambus和睿科微获得180多项RRAM技术相关专利和应用，这将有助于兆易创新在新型存储器RRAM领域的前瞻性技术布局，从而为嵌入式产品提供更丰富的存储解决方案。

RRAM作为一种非易失性随机存储方式，能够在改变电压的前提下，通过改变电介质的电阻进行存储。RRAM拥有独特物理与器件特性，可在工艺后端线(BEOL)以列阵结构制造，其列阵结构的低电压特性能够有效降低MCU产品中嵌入式非易失性存储解决方案的功耗，非常适合物联网应用;此外，根据学术界与行业发表的相关文献，在平衡性能、可靠性及成本的方面，RRAM有可能成为在DRAM和Flash之间一种可行的存储级内存（SCM）。

早在2018年5月，兆易创新就携手Rambus以及其他全球知名半导体投资机构创办了以RRAM技术为核心业务的合资公司合肥睿科微。

兆易创新董事长朱一明先生表示：兆易创新一直以创新为己任，多年来致力新技术革新，强化产品竞争力，重视核心专利，此次获得Rambus和睿科微针对RRAM技术的授权，有助于我们为客户提供更具创新特色的存储解决方案。

Rambus技术合作和企业发展高级副总裁KitRodgers表示：兆易创新在全球闪存领域已取得显著的成绩，我们很高兴能够将RRAM专利方案授权给兆易创新，此次授权能够帮助其在存储器领域开发创新型的解决方案，并加速其商用的进程。

此前，长鑫存储技术有限公司（以下简称“长鑫存储”）也与美国半导体公司RambusInc.（以下简称“蓝铂世”）签署专利许可协议。依据协议，长鑫存储从蓝铂世获得大量动态随机存取存储（以下简称“DRAM”）技术专利的实施许可。

长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明表示：“与蓝铂世达成的协议再次表明，长鑫存储高度重视知识产权相关的国际规则，持续强化知识产权组合。公司致力于通过自主研发与国际合作，不断增加在半导体核心技术和高价值知识产权方面的积累，并以此为基础实现可持续发展，稳步提升市场竞争力。”

蓝铂世总裁兼首席执行官LucSeraphin表示：“在中国DRAM市场投资显著增长的背景下，长鑫存储脱颖而出，成为中国DRAM产业的引领者。我们高兴地看到长鑫存储走上DRAM产业的国际舞台。这份长期协议的签署为长鑫存储的业务发展提供权益保障，同时认可了蓝铂世广泛的存储技术专利组合的重要价值。”

美国Rambus公司在内存技术上很有实力的，过去多年中三星、SK海力士、Intel、高通、NVIDIA等公司都跟他们签订了DRAM技术授权协议。

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